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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体封装结构-CN202210282184.X在审
  • 刘乃玮;齐彦尧;林子闳;许文松 - 联发科技股份有限公司
  • 2019-05-10 - 2022-08-05 - H01L23/66
  • 本发明公开一种半导体封装结构，包括：半导体晶粒；第一模塑料层，围绕所述半导体晶粒；第一再分布层结构，形成在所述半导体晶粒的非主动表面和所述第一模塑料层上；第二模塑料层，形成在所述第一再分布层结构上；绝缘覆盖层，覆盖所述第二模塑料层；以及第一天线，电耦合到所述半导体晶粒，包括：第一天线元件，形成在所述第一再分布层结构中；以及第二天线元件，形成在所述第二模塑料层和所述绝缘覆盖层之间。这样可以使用绝缘覆盖层保护第二天线元件，避免天线氧化及测试期间的表面损坏，还可以加固第二天线元件，减少第二天线元件脱落的可能性。
  • 半导体封装结构
  • [发明专利]半导体封装结构-CN201910390849.7有效
  • 刘乃玮;齐彦尧;林子闳;许文松 - 联发科技股份有限公司
  • 2019-05-10 - 2022-04-19 - H01L23/66
  • 本发明公开一种半导体封装结构，包括：半导体晶粒；第一模塑料层，围绕所述半导体晶粒；第一再分布层结构，形成在所述半导体晶粒的非主动表面和所述第一模塑料层上；第二模塑料层，形成在所述第一再分布层结构上；绝缘覆盖层，覆盖所述第二模塑料层；以及第一天线，电耦合到所述半导体晶粒，包括：第一天线元件，形成在所述第一再分布层结构中；以及第二天线元件，形成在所述第二模塑料层和所述绝缘覆盖层之间。这样可以使用绝缘覆盖层保护第二天线元件，避免天线氧化及测试期间的表面损坏，还可以加固第二天线元件，减少第二天线元件脱落的可能性。
  • 半导体封装结构
  • [发明专利]具有天线的半导体封装及其制造方法-CN201910397868.2有效
  • 刘乃玮;齐彦尧;林子闳;许文松 - 联发科技股份有限公司
  • 2019-05-14 - 2022-03-29 - H01L23/31
  • 本发明提供一种形成半导体封装结构的方法，包括：提供第一晶片级封装结构，第一晶片级封装结构包括：第一封装层，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一重分布层结构，形成在第一封装层的第二表面上；第一天线元件，形成在第一重分布层结构中并且对应于管芯区域；半导体管芯，位于第一封装层中并且对应于管芯区域；使用第一粘合层将第二晶片级封装结构接合到第一重分布层结构上，其中第二晶片级封装结构包括：第二封装层，具有附着到第一粘合层的第三表面和与第三表面相对的第四表面；以及第二天线元件，形成在第二封装层的第四表面上，其中，在接合第二晶片级封装结构之后，第二天线元件和第一天线元件形成贴片天线。
  • 具有天线半导体封装及其制造方法
  • [发明专利]半导体封装结构-CN201910397870.X有效
  • 刘乃玮;齐彦尧;高也钧;叶世晃;林子闳;许文松 - 联发科技股份有限公司
  • 2019-05-14 - 2022-01-11 - H01L23/66
  • 本发明公开一种半导体封装结构，包括：半导体晶粒；第一再分布层结构，形成在所述半导体晶粒的非主动表面上；天线结构，包括：第一天线元件，形成在所述第一再分布层结构中；以及第一绝缘层，覆盖所述第一再分布层结构；第二绝缘层，形成在所述第一绝缘层上；第二天线元件，形成在所述第二绝缘层上，并与所述第二绝缘层直接接触。本发明第一绝缘层和第二绝缘层形成多层结构，这样可以提供比单层的绝缘层更好的控制厚度。因此可以增加天线结构的设计灵活性，以获得所需的介电常数(Dk)和所需的耗散因子(Df)。
  • 半导体封装结构
  • [发明专利]半导体封装结构-CN201910591577.7有效
  • 刘乃玮;齐彦尧;高也钧;叶世晃;林子闳;许文松 - 联发科技股份有限公司
  • 2019-07-02 - 2021-06-29 - H01L23/66
  • 本发明公开一种半导体封装结构，包括半导体晶粒；第一再分布层结构，形成在所述半导体晶粒的非主动表面上；第二再分布层结构，形成在所述半导体晶粒的主动表面上并且电耦合到半导体晶粒的主动表面；接地层，形成在所述第一再分布层结构中；第一模塑料层，形成在所述第一再分布层结构上；第一天线，包括：第一天线元件，形成在所述第二再分布层结构中；以及第二天线元件，形成在所述第一模塑料层上；其中，所述第一天线元件和所述第二天线元件中的每一个均具有与所述半导体晶粒重叠的第一部分。本发明使得第一天线元件和第二天线元件的位置更加向内靠拢，从而减小了半导体封装的尺寸，特别是减小了半导体封装的横向尺寸。
  • 半导体封装结构
  • [发明专利]半导体封装结构-CN202010760016.8在审
  • 齐彦尧;刘乃玮;于达人;林子闳;许文松;林世钦 - 联发科技股份有限公司
  • 2020-07-31 - 2021-02-02 - H01L25/16
  • 本发明公开一种半导体封装结构，包括：半导体晶粒，具有第一表面、与该第一表面相对的第二表面、以及邻接在该第一表面和该第二表面之间的第三表面；重分布层结构，在该半导体晶粒的该第一表面上的并电耦接到该半导体晶粒；保护绝缘层，覆盖该重分布层结构、该半导体晶粒的该第二表面和该第三表面；以及导电结构，穿过该保护绝缘层并电耦接到该重分布层结构。本发明可以保护半导体晶粒，提高半导体封装结构的稳定性。
  • 半导体封装结构
  • [发明专利]半导体封装结构-CN202010768717.6在审
  • 齐彦尧;刘乃玮;林子闳 - 联发科技股份有限公司
  • 2020-08-03 - 2021-02-02 - H01L25/16
  • 本发明公开一种半导体封装结构，包括：天线装置，包括：导电图案层，包括第一天线元件，形成在绝缘基板中并且邻近于该绝缘基板的第一表面；第二天线元件，形成在该绝缘基板的与该第一表面相对的第二表面上；以及半导体封装，包括：重分布层结构，接合并电连接到该导电图案层；第一半导体晶粒，电连接到该重分布层结构；密封层，形成在该重分布层结构上并围绕该第一半导体晶粒。这样将半导体封装设置在绝缘基板外，从而可以减小带有天线的绝缘基板的厚度，并且可以减小半导体封装结构的尺寸以及晶粒到天线的损耗。
  • 半导体封装结构
  • [发明专利]半导体封装结构及其形成方法-CN201910849994.7在审
  • 齐彦尧;刘乃玮;于达人;林子闳;许文松 - 联发科技股份有限公司
  • 2019-09-02 - 2020-03-24 - H01L23/485
  • 本发明公开一种半导体封装结构，包括：半导体晶粒，具有第一表面，与所述第一表面相对的第二表面，以及邻接在所述第一表面和所述第二表面之间的第三表面；第一保护绝缘层，覆盖所述半导体晶粒的第一表面和第三表面；重分布层结构，电耦合到所述半导体晶粒并由所述半导体晶粒的第一表面上的第一保护绝缘层围绕；第一钝化层，覆盖所述第一保护绝缘层和所述重分布层结构；以及至少一个导电结构，穿过所述第一钝化层并电耦合到所述重分布层结构。第一保护绝缘层覆盖或封装半导体晶粒，以保护半导体晶粒免受环境影响，从而防止半导体晶粒由于例如应力，化学物质和/或湿气而损坏，并且在随后的制程期间保持半导体封装结构的可靠性。
  • 半导体封装结构及其形成方法
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  • 共 9 条
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