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[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201410578307.X在审
发明人：吴中瀚;陈奎伯;吴兴华;林信成;欧乃天;黄桂武 -专利权人：昱晶能源科技股份有限公司
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明揭露一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包含半导体基材、硼背面场层、钝化层、背面电极层及铝局部背面场层。半导体基材具有一正面及一背面相对设置。硼背面场层位于背面下方的半导体基材内。钝化层位于硼背面场层的上方，且具有一开口贯穿钝化层。背面电极层位于开口内。铝局部背面场层位于开口下方的半导体基材内，并接触硼背面场层及背面电极层。硼背面场层及铝局部背面场层可提升背面导电度及有效增加载子的收集效率；钝化层可提升背面钝化效果，进而提升太阳能电池的电池转换效率。
太阳能电池及其制造方法

[实用新型]太阳能电池-CN201520523129.0有效
发明人：叶建锋;吴其隆;林志龙;郑人夤;蔡锦堂;黄桂武 -专利权人：昱晶能源科技股份有限公司
申请日： 2015-07-20 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种太阳能电池，包含半导体基板、多个指状电极、至少一主电极以及至少一指状回路电极。半导体基板具有收光面。指状电极沿第一方向排列且设置于收光面上。主电极沿第二方向排列且设置于收光面上，其中主电极连接多个指状电极。第二方向垂直于第一方向。指状回路电极沿第二方向排列且设置于收光面上，其中指状回路电极连接至少二个指状电极，其中指状回路电极具有非方波的周期性排列。在刮印制造电极时，由于指状回路电极的方向不垂直于刮印方向，使刮刀经过网板的开口时，不致于下陷，进而确保指状回路电极具有足够的厚度。
太阳能电池

[实用新型]太阳能电池-CN201520177511.0有效
发明人：吴家宏;柯震宇;颜贤成;陈易聪;童智圣;洪光辉;蔡惟鼎;邱彦凱;欧乃天;黄桂武 -专利权人：昱晶能源科技股份有限公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池，包含基板、钝化层、背电极层以及至少一汇流电极。基板具有相对的第一主表面与第二主表面，其中第二主表面作为入光面，第一主表面分为第一区域与第二区域。钝化层设置于第一主表面上，其中钝化层包含设置于第一区域上的第一部份与设置于第二区域上的第二部份，第一部份具有多个开孔，且开孔裸露基板。背电极层设置于第一部份上与开孔中，背电极层透过开孔与基板接触。汇流电极设置于第二部份上，其中基板与汇流电极被钝化层的第二部份隔离。藉由使太阳能电池的基板与汇流电极被钝化层的第二部份隔离，于是开孔对于钝化层的开口率下降，钝化层的结构将会较为完整，可以提升太阳能电池的转换效率0.01％至0.02％。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN201310460259.X在审
发明人：陈易聪;颜贤成;吴家宏;洪光辉;柯震宇;童智圣;陈玄芳;欧乃天;黄桂武 -专利权人：昱晶能源科技股份有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池的制造方法。此制造方法包含提供具有抗反射层的半导体基板；形成金属电极材料于抗反射层上，以形成第一电极图案；烧结第一电极图案；移除于烧结第一电极图案中于金属电极材料的表面形成的氧化层；以及形成电镀层于经移除氧化层的金属电极材料上，以形成太阳能电池的正面电极。
太阳能电池制造方法

[实用新型]用于制作太阳能电池电极的印刷网版及太阳能电池-CN201420644145.0有效
发明人：吴其隆;吴家宏;童智圣;郑人夤;蔡锦堂;欧乃天;黄桂武 -专利权人：昱晶能源科技股份有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： B41F15/36 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于制作太阳能电池电极的印刷网版及太阳能电池。此印刷网版包含网纱层以及印刷图案层。印刷图案层设置于网纱层与半导体基板之间。印刷图案层具有电极落料区、遮挡部及至少一支撑点，其中遮挡部邻接于电极落料区，且支撑点位于电极落料区中。电极落料区具有第一侧边及相对于第一侧边的第二侧边。第一侧边具有至少一第一支撑凸块，及第二侧边具有至少一第二支撑凸块。在第一侧边及第二侧边之间的任一直线上具有第一支撑凸块、第二支撑凸块、支撑点或其组合。使用此印刷网板所制成的太阳能电池的电极具有均匀的厚度，可提高电极结构与模组端电极的焊接拉力且增加接触面积。
用于制作太阳能电池电极印刷

[发明专利]太阳能电池的制作方法-CN201310183555.X有效
发明人：陈易聪;颜贤成;吴家宏;洪光辉;柯震宇;陈玄芳;欧乃天;黄桂武;童智圣 -专利权人：昱晶能源科技股份有限公司
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是提供一种太阳能电池的制作方法，其步骤包含提供一半导体基板，此半导体基板上具有一迎光面及一背光面，而迎光面上具有一抗反射层。接着，网印多个第一电极图案于抗反射层上，并烧结第一电极图案。然后，蚀刻部分第一电极，以减少第一电极的宽度，再电镀与第一电极相同材料于第一电极上，以形成太阳能电池的正面电极。
太阳能电池制作方法

[发明专利]制造太阳能电池的方法及太阳能电池-CN201310165702.0有效
发明人：洪光辉;颜贤成;吴家宏;陈易聪;柯震宇;陈玄芳;欧乃天;黄桂武;童智圣 -专利权人：昱晶能源科技股份有限公司
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明揭露一种制造太阳能电池的方法及太阳能电池。制造太阳能电池的方法包括下列步骤：提供一第一导电型层，第一导电型层具有一上表面。掺杂一掺质至第一导电型层中，以于第一导电型层的上表面的下方形成一第二导电型层。第二导电型层具有一轻掺杂区。利用一激光掺杂制程掺杂掺质至第二导电型层的轻掺杂区中，以于第二导电型层的轻掺杂区中形成一半导体图案层。半导体图案层的掺质浓度大于第二导电型层的轻掺杂区的掺质浓度。
制造太阳能电池方法

[发明专利]太阳能电池-CN201110276435.5无效
发明人： 黄桂武;郭明锦;邱彦凯;蔡锦堂;陈添赐 -专利权人：昱晶能源科技股份有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能电池，所述太阳能电池包含光电转换层、抗反射层以及多个导电通道。抗反射层位于光电转换层上。所述些导电通道形成在抗反射层上且电性连接至光电转换层，其中这些导电通道的材质包含导电胶及色料，使其外观颜色与抗反射层的颜色相同。
太阳能电池

[发明专利]光伏面板及形成光伏面板的导电通道的方法-CN201110103089.0有效
发明人：张凯胜;王振展;陈姿君;吴家宏;林宏明;蔡锦堂;陈添赐;黄桂武 -专利权人：昱晶能源科技股份有限公司
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种光伏面板及形成光伏面板的导电通道的方法。光伏面板包含一光伏阵列、一汇电条、多个导电通道以及一导电带。汇电条位于光伏阵列上，且具有多个连接部。多个导电通道位于光伏阵列且分别连接至该些连接部。导电带焊接于汇电条上，其中每一导电通道与导电带之间具有一间隙。
面板形成导电通道方法

[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN201110050999.7有效
发明人：邱彦凯;郭明锦;蔡锦堂;陈添赐;黄桂武 -专利权人：昱晶能源科技股份有限公司
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，其步骤包含对基板的第一表面进行离子布植以形成第一掺杂层，接着对基板的第二表面进行离子布植以形成第二掺杂层，然后对基板、第一掺杂层与第二掺杂层所形成的结构执行退火程序，并通过退火程序形成第一钝化层于该第一掺杂层上与形成第二钝化层于该第二掺杂层上，于经退火程序后所形成的第一钝化层上形成第三钝化层，再于经退火程序后所形成的第二钝化层上形成第四钝化层，然后分别于第三钝化层与第四钝化层上形成导电电极。
太阳能电池制造方法

[发明专利]组合物与高分子-CN201110139011.4有效
发明人：杨丰瑜;徐美玉;黄桂武;骆伯远 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C08L25/18 文献下载
摘要：一种组合物与高分子。所述组合物包括高分子与三聚氰胺衍生物。所述高分子具有以下化学式：其中R为氢基、卤化物、烷基、烷氧基、卤烷基或硝基。n为1～5的整数。x+y+z＝1，x＞0，y≥0，z≥0。所述三聚氰胺衍生物包括其中，R₁为氢基、C_qH_2q+1或m、q独立地为1～10的整数，R₂、R₃与R₄独立地为氢基、卤化物或C₁～C₅₄烷基。
组合高分子

[发明专利]两亲性可分散纳米二氧化钛材料-CN200810210868.9有效
发明人：杨丰瑜;徐美玉;黄桂武 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-08-20 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C01G23/047 文献下载
摘要：本发明提供一种两亲性可分散纳米二氧化钛材料，能分散于一极性溶剂与一非极性溶剂，包括以下部分：二氧化钛纳米粒子；至少一脂肪酸，以共价键键结到该二氧化钛纳米粒子，包含一饱和或未饱和、线性或分枝的C5-C18烷链；以及至少一有机磷酸酯，以共价键键结到该二氧化钛纳米粒子，包含一饱和或未饱和、线性或分枝的C5-C17烷链。本发明还包括将两亲性可分散纳米二氧化钛材料应用于有机薄膜晶体管上。
两亲性可分散纳米氧化材料

[发明专利]有机非易失性存储材料及存储器件-CN200710110191.7有效
发明人：陈俊荣;林恒田;范瑞芬;黄桂武;丁晴;詹益仁 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明提供一种有机非易失性存储材料，包括均匀分散于第一高分子中的纳米粒子。纳米粒子的金属核被第二高分子包覆，形成核壳结构。第一高分子与第二高分子可由相同的单体聚合而成，且第一高分子的聚合度及分子量大于第二高分子。由于本发明的非易失性存储材料具有优异的均匀性，可稳定地展现存储器件的电性表现如重复读写的次数、数据维持时间、低电压、低写入电流、及高电流开关比。
有机非易失性存储材料器件

[实用新型]半导体结构-CN200420089324.9无效
发明人： 黄桂武;刘埃森;彭宝庆;雷明达;万文恺;林正忠;林义雄;林佳惠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-08-31 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种半导体结构，其在导体区完成后，利用例如选择性反应(Selective Reaction)、等离子体表面处理(PlasmaSurface treatment)或离子植入(Ion Implanation)等方式来钝化(Passivate)导体区间的绝缘区表面，借以防止导体区的原子沿绝缘区表面扩散至绝缘区中。
半导体结构

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN03122496.2有效
发明人：彭宝庆;林义雄;雷明达;刘埃森;林佳惠;林正忠;万文恺;黄桂武 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-04-28 - 公布日： 2004-11-03 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构的制造方法，其是在基材的第一表面上形成高介电常数(High Dielectric Constant；High k)薄膜后，且在任何高温热处理步骤前，先利用含卤素(Halogen)化学物对与基材的第一表面相对的基材第二表面进行背面清洗，以去除第二表面或第一表面边缘上的高介电常数材料污染；采用本发明的制造方法，不仅可防止交互污染，还可确保组件品质与制备可靠度。
半导体结构制造方法