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[发明专利]具有内嵌沟道二极管的平面分离栅SiC MOSFET-CN202310843891.6在审
发明人：赵琳娜;顾晓峰;鹿存莉;季颖 -专利权人：江南大学
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有内嵌沟道二极管的平面分离栅SiC MOSFET，属于半导体技术领域。该SiC MOSFET结构为分离栅极结构，在平面器件结构的基础上，内嵌了源极多晶硅结构，并与源极金属直接接触。通过在传统平面结构的基础上内嵌的源极多晶硅，使得器件的JFET区域变短，器件导通电阻增大。故为了降低器件的导通电阻，在栅极下方的JFET区域的浓度调大，宽度调大。正向导通时，相比于传统器件的两个导电沟道，本结构具有四个导电沟道。续流二极管的反向导通电压小于体二极管的反向导通电压，避免了体二极管的开启，降低了系统损耗。同时，避免了传统器件存在的双极退化效应，提高了器件的可靠性。
具有沟道二极管平面分离 sic mosfet

[发明专利]一种集成反向续流二极管的平面SiC MOSFET-CN202210665711.5在审
发明人：赵琳娜;顾晓峰;谈威;鹿存莉 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成反向续流二极管的平面SiC MOSFET，属于半导体技术领域。该器件栅极为分离栅结构，通过源极多晶硅将栅极多晶硅分成左右两部分，并在底部添加额外的P‑shield区域，源极多晶硅通过贯穿续流管氧化物与P‑shield区相连；该结构使得集成在平面结构氧化物底部的沟道二极管可在器件中代替体二极管作为续流二极管，减小了传统SiC MOSFET中因为电子与空穴的复合导致的双极退化效应，且续流二极管的开启压降小于体二极管，降低电路系统功耗；本申请的分离栅结构取代了传统的整块栅极结构，减少了栅极与漏极之间电容正对面积，改善了器件电容特性和米勒效应，降低了器件的开关损耗以及开关时间。
一种集成反向二极管平面 sic mosfet

[实用新型]一种用于棉花异纤检测的图像采集装置-CN202020568435.7有效
发明人：刘晨;鹿存莉;李莎;蒋凯 -专利权人：无锡太湖学院
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于棉花异纤检测的图像采集装置，包括矩形顶板、四块隔挡板、三个线阵CCD摄像机、两个环形日光灯、一个环形紫外灯以及三个悬吊调节机构。该用于棉花异纤检测的图像采集装置利用三个检测区间内的灯光和摄像组合能够满足棉花中有色异纤和无色异纤的采集图像拍摄，从而能够在后期对采集图像进行识别处理时能够识别出采集图像中是否存在异纤；利用竖向调节管、调节螺母、竖向悬吊管以及设备安装板构成的悬吊调节机构，能够实现对线阵CCD摄像机以及环形日光灯或环形紫外灯的高度调节，满足现场安装需要。
一种用于棉花检测图像采集装置