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[发明专利]半导体电路、驱动方法和电子设备-CN201780028722.X有效
发明人：神田泰夫;鸟毛裕二 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：一种半导体电路包括第一电路(IV1、IV3)和第二电路(IV2、IV4)、第一晶体管(31)和第二晶体管(32)、第一存储元件(35)、以及驱动器(22、23、52、53)。所述第一电路(IV1、IV3)和所述第二电路(IV2、IV4)分别将第一节点(N1)和第二节点(N2)处的电压的反相电压施加至所述第二节点(N2)和所述第一节点(N1)。所述第一晶体管(31)被接通以将所述第一节点(N1)和第三节点耦合。所述第二晶体管(32)包括耦合至所述第一节点(N1)的栅极、漏极和源极。所述漏极和所述源极中的一个耦合至所述第三节点，并且另一个被供应第一控制电压(SCL1)。所述第一存储元件(35)包括耦合至所述第三节点的第一端和被供应第二控制电压(SCTRL)的第二端。所述第一存储元件(35)能够采取第一或第二电阻状态。所述驱动器(22、23、52、53)控制所述第一晶体管(31)的操作并且生成所述第一控制电压(SCL1)和所述第二控制电压(SCTRL)。
半导体电路驱动方法电子设备

[发明专利]半导体电路、驱动半导体电路的方法以及电子设备-CN201780012636.X有效
发明人：神田泰夫;鸟毛裕二 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-01-27 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本公开的半导体电路设置有：第一电路，配置为能够基于第一节点处的电压产生第一节点处的电压的反相电压并将反相电压施加到第二节点；第二电路，配置为能够基于第二节点处的电压产生第二节点处的电压的反相电压并将反相电压施加到第一节点；第一晶体管，该第一晶体管将第一节点连接到第三节点；第二晶体管，该第二晶体管向第三节点提供第一直流电压；第三晶体管，该第三晶体管具有连接到第三节点的漏极或源极，并且具有连接到第一节点或第二节点的栅极；以及第一存储元件，该第一存储元件连接到第三节点，并且能够采取第一电阻状态或第二电阻状态。第一电路和第二电路被配置为使得第一节点处的电压在施加电源之后容易地变为预定的初始电压。
半导体电路驱动方法以及电子设备

[发明专利]半导体电路、驱动方法和电子设备-CN201680078102.2有效
发明人：神田泰夫;鸟毛裕二 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：该半导体电路包括：第一电路，被配置为使用第一节点的电压来由此生成反转电压，并且将反转电压施加到第二节点；第二电路，被配置为使用第二节点的电压来由此生成反转电压，并且将反转电压施加到第一节点；第一晶体管，当被导通时将第一节点连接到第三节点；第二晶体管，当被导通时向第三节点供应第一直流电压；和第一存储单元，连接到第三节点，并且具有能够采取第一电阻状态或第二电阻状态的第一存储元件。
半导体电路驱动方法电子设备

[发明专利]存储元件、半导体器件和写入方法-CN201410017862.5无效
发明人：神田泰夫;甘利浩一;时任俊作;鸟毛裕二;有马孝之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明期望提供一种能够提高所存信息的可靠性的存储元件、半导体器件和写入方法。所述存储元件包括：电熔丝，其设置为插在第一输入节点与第二输入节点之间；以及反熔丝，其设置为插在所述第二输入节点与第三输入节点之间。所述第三输入节点所构成的节点上所施加的电压与施加至所述第一输入节点上的电压可以单独地施加。
存储元件半导体器件写入方法

[发明专利]电熔丝、半导体装置以及电熔丝的信息写入方法-CN201210072170.1无效
发明人：神田泰夫;甘利浩一;时任俊作;鸟毛裕二;有马孝之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开了电熔丝、半导体装置以及电熔丝的信息写入方法。所述电熔丝包括：丝状体，所述丝状体具有第一导电层和在所述第一导电层上形成的第二导电层，其中在所述丝状体中通过改变所述第一导电层的状态与所述第二导电层的状态的组合产生至少三种可辨别的电阻状态。所述半导体装置包括上述电熔丝、写入部、读取部、阈值信号生成部和辨别部。所述电熔丝的信息写入方法包括以下步骤：首先，对上述电熔丝设定用于产生预定的电阻状态的烧熔条件；然后，在设定的所述烧熔条件下使电流流过所述丝状体，从而在所述丝状体中产生预定的电阻状态。根据本发明，能够以节省空间的方式有效地增大安装在例如半导体集成电路等的芯片上的电熔丝的容量。
电熔丝半导体装置以及信息写入方法

[发明专利]半导体器件-CN201080026524.8无效
发明人： 鸟毛裕二 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G11C17/14 文献下载
摘要：公开的是存取时间或功耗的降低与每条字线的存储位数的改善能够得到平衡的半导体器件。存储器单元阵列(1)具有存储器单元(MC)和多个单元晶体管(TRB1、TRB2)以至少一条线的宽度布置的配置，所述存储器单元(MC)包含电阻值根据流动的电流而变化的熔丝元件(F)，所述多个单元晶体管(TRB1、TRB2)并联连接至所述熔丝元件(F)。在该半导体器件中，多个单元晶体管(TRB1、TRB2)之中的要导通的单元晶体管的数目可以由要从外部输入的写入控制信号(WRITE)和内部的逻辑电路(5)(以及字线驱动器电路(4))控制。
半导体器件

[发明专利]半导体器件和半导体器件的驱动方法-CN201110206194.7无效
发明人：神田泰夫;甘利浩一;时任俊作;鸟毛裕二;有马孝之;国广恭史 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件和该半导体器件的驱动方法。所述半导体器件具有电熔断器元件，所述电熔断器元件包括：第一细丝、连接着所述第一细丝的第二细丝以及串联读出部，所述串联读出部连接着所述第一细丝的一端，所述一端与所述第一细丝连接着所述第二细丝的另一端相反，所述串联读出部读取所述第一细丝和所述第二细丝的串联电阻。本发明能够使用现有的工序而不需要任何额外的加工步骤，提供含有可靠的多值化电熔断器元件的半导体器件。
半导体器件驱动方法