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[发明专利]一种利用高温生长SiO2-CN202010848774.5有效
发明人：秦国轩;杨晓东;魏印龙;刘家立;魏俊青;游子璇 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用高温生长SiO2栅介质层的硅纳米柔性薄膜晶体管制备方法，步骤依次包括PET柔性塑料衬底表面镀ITO底栅电极、采用SOI材料制作由多孔硅纳米薄膜与SOI硅基底构成双层硅贴合体、制作利用高温生长的SiO2栅介质层翻转后与硬质硅基底表面连接、N型离子注入掺杂多孔硅纳米薄膜表面制作源极与漏极金属钛电极及利用高温生长的SiO2栅介质层同硬质硅基底表面分离与ITO底栅电极连接；本发明一种利用高温生长SiO2栅介质层的硅纳米柔性薄膜晶体管制备方法制备的SiO2栅介质层的硅纳米柔性薄膜晶体管具有电学性能好、稳定性高的特点。
一种利用高温生长 sio base sub

[发明专利]一种硅纳米薄膜柔性底栅晶体管的制备方法-CN202010848331.6有效
发明人：秦国轩;魏印龙;杨晓东;魏俊青;游子璇;刘家立 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米薄膜柔性底栅晶体管的制备方法，步骤依次包括PET柔性塑料衬底表面依次沉积ITO底栅电极与BMN栅介质层、采用SOI材料制作由多孔硅纳米薄膜与SOI硅基底构成的双层硅贴合体、N型离子注入掺杂多孔硅纳米薄膜表面制作源极漏极金属钛电极及热释放胶带法从SOI硅基底表面转移N型离子注入掺杂多孔硅纳米薄膜与BMN栅介质层连接；本发明一种硅纳米薄膜柔性底栅晶体管的制备方法具有制备的硅纳米薄膜柔性底栅晶体管性能好、对准精度高、适于大规模生产的特点。
一种纳米薄膜柔性晶体管制备方法

[发明专利]柔性T型射频匹配电路及其制作方法-CN201911187180.8在审
发明人：秦国轩;杨晓东;游子璇 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本发明属于柔性射频器件领域，为设计并制备一种基于柔性工艺的T型射频匹配电路，采用柔性衬底配合金属沉积工艺，在较为简便的工艺中设计并制备柔性、高集成度、质轻、高性能的T型射频匹配电路，此种匹配网络极大丰富了匹配网络在不同领域及不同条件下的应用。为此，本发明采取的技术方案是，柔性T型射频匹配电路及其制作方法，结构为：输入信号经串接的两个电感后输出，两个电感的连接点经一个柔性金属‑介质层‑金属MIM电容接地。本发明主要应用于柔性射频器件设计制造场合。
柔性射频匹配电路及其制作方法

[发明专利]一种基于柔性衬底的柔性压控振荡器及制作方法-CN201911215897.9在审
发明人：秦国轩;游子璇 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H03B5/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于柔性衬底的柔性压控振荡器及制作方法，以进行硅纳米膜的转移的PET塑料衬底为模板，所述模板上设置有磁控溅射形成栅的介质层和电感介质层，以及设置有金属蒸发形成的电容电感电阻以及二极管金属层和输入输出端；包括三个电容即第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3、三个电感第一电感L1、第二电感L2和第三电感L3、四个电阻即第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4，一个二极管D、一个晶体管TFT和三个信号源即第一信号源SRC1、第一信号源SRC2和第三信号源SRC3，以及若干金属互联线。本发明具有较好的性能，极大的改善振荡器的工作功能与多状态下工作的能力；在柔性射频集成电路制作与智能穿戴领域具有广泛的应用前景。
一种基于柔性衬底压控振荡器制作方法

[发明专利]无源射频器件机器制作方法-CN201911073285.0在审
发明人：秦国轩;杨晓东;游子璇 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明属于射频无源器件领域，为提出一种新型无源滤波器结构，具有制作工艺简单，制作工艺与半导体制作工艺兼容的特点，使得无源器件易于与有源器件进行集成。在大规模集成电路的制作、SOC芯片高集成化生产以及射频单片集成电路等领域具有广泛的应用前景。为此，本发明采取的技术方案是，无源射频器件机器制作方法，首先通过光刻技术在本征半导体衬底上形成掺杂图形区域。然后，对该区域进行选择性高浓度掺杂，掺杂厚度为3‑5微米。掺杂后对器件进行退火处理，完成新型无源射频器件的制备。本发明主要应用于射频无源器件设计制造场合。
无源射频器件机器制作方法

[发明专利]柔性π型射频匹配电路及其制作方法-CN201911187179.5在审
发明人：秦国轩;杨晓东;游子璇 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本发明属于柔性射频器件领域，为设计并制备一种基于柔性工艺的π型射频匹配电路，采用柔性衬底配合金属沉积工艺，在较为简便的工艺中设计并制备柔性、高集成度、质轻、高性能的π型射频匹配电路，此种匹配网络极大丰富匹配网络在不同领域及不同条件下的应用。为此，本发明采取的技术方案是，柔性π型射频匹配电路及其制作方法，由一个柔性薄膜电感以及两个柔性金属‑介质层‑金属MIM电容接地构成，通过在制作电感的螺旋金属层与电容的顶层电极层掩膜版时预留互连线位置，直接生长金属互连线进行连接，连接关系是所述柔性薄膜电感两端分别经一个所述MIM电容接地。本发明主要应用于柔性射频器件设计制造场合。
柔性射频匹配电路及其制作方法

[发明专利]一种基于柔性衬底的柔性整流器及制作方法-CN201911206080.5在审
发明人：秦国轩;游子璇 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-11-30 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L27/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于柔性衬底的柔性整流器及制作方法，在柔性衬底上制作两个柔性电容、两个柔性电感、三个柔性电阻、一个柔性二极管和一个低通滤波器，各器件通过金属互连线连接并，实现将未调制射频信号转换成直流输出信号的处理。本发明的整流器电路中的柔性器件具有结构轻薄、可弯曲折叠，抗机械冲击能力强等优点，适用于在空间受限情况下的整流工作；因为整流器电路是射频集成电路设计制造的重要模块之一，所以本发明设计的基于柔性衬底的柔性整流器电路具有巨大的发展空间，可以进行大规模的推广使用；可填补柔性电子领域无整流器制作的空白，为柔性射频集成电路的设计制造奠定基础。
一种基于柔性衬底整流器制作方法

[发明专利]一种基于柔性衬底的共面波导及制作方法-CN201911168226.1在审
发明人：秦国轩;游子璇 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于柔性衬底的共面波导及制作方法，具体结构为层式结构，从下至上依次为柔性衬底(3)、高介电常数介质层(4)、第一、第二GND金属层(11)、(12)以及它们之间设置的传输线金属层(2)，其中，所述传输线金属层(2)包括共面波导输入端和共面波导输出端；采用一种新型的电路结构设计以及制备工艺，在柔性PET衬底上采用磁控溅射的方法涂上一层高介电常数钛酸钡介质层作为微带线介质层。通过HFSS设计优化共面波导结构参数，通过ADS仿真得到版图设计，采用磁控溅射高介电常数介质层，光刻后金属蒸发生长技术。本发明使得柔性器件在大规模集成电路中的应用提供了可能；在柔性射频集成电路的制作与智能穿戴领域具有广泛的应用前景。
一种基于柔性衬底波导制作方法

[发明专利]一种基于柔性衬底的带通滤波器及制作方法-CN201911168227.6在审
发明人：秦国轩;游子璇 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01P1/203 文献下载
摘要：本发明公开了基于柔性衬底的带通滤波器及制作方法，具体结构为层式结构，自下而上依次GND金属层(4)、柔性衬底(3)以及高介电常数介质层(2)；其中，所述高介电常数介质层(2)上还设置有第一、第二微带线金属层(11)、(12)。采用一种新型的电路结构设计以及制备工艺，在柔性PET衬底上采用磁控溅射的方法涂上一层高介电常数钛酸钡介质层作为微带线介质层。通过HFSS设计优化带通滤波器结构参数，通过ADS仿真得到柔性带通滤波器的版图设计，采用磁控溅射高介电常数介质层，光刻后金属蒸发生长技术，从而实现一个较高频率下工作以及可弯曲工作的带通滤波器的制备。本发明的带通滤波器具有较好的性能以及较高的工作频率，在柔性射频集成电路的制作与智能穿戴领域具有广泛的应用前景。
一种基于柔性衬底带通滤波器制作方法

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