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- [发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN201810964660.X有效
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清水祐介;北村彰规;高桥正彦
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东京毅力科创株式会社
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2018-08-23
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2023-02-24
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H01L21/3065
- 本发明提供一种抑制通过蚀刻而形成的槽的关键尺寸的扩大的蚀刻方法和蚀刻装置。蚀刻方法包括搬送工序、改性工序、去除工序以及蚀刻工序。在搬送工序中，将层叠有基底膜、第一有机膜以及掩膜的被处理体搬入腔室内并载置在载置台上。在改性工序中，利用被供给到腔室内的包含碳元素、氢元素以及氟元素的第一气体的等离子体，对被处理体的表面进行改性。在去除工序中，向载置台施加第一电力的高频偏压，利用在腔室内生成的第二气体的等离子体将形成于未被掩膜覆盖的第一有机膜的表面的改性层去除。在蚀刻工序中，向载置台施加比第一电力低的第二电力的高频偏压，利用在腔室内生成的第二气体的等离子体对已被去除的改性层的下层的第一有机膜进行蚀刻。
- 蚀刻方法装置
- [发明专利]蚀刻方法以及半导体器件的制造方法-CN200910130006.X有效
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森琢哉;高桥正彦
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东京毅力科创株式会社
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2009-03-26
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2009-09-30
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H01L21/3213
- 本发明提供一种能够使多晶硅膜相对于硅氧化膜的选择比变大、并且能够抑制在硅衬底上产生凹部的蚀刻方法以及半导体器件的制造方法。一种晶圆(W)，在硅衬底(35)上依次形成栅极氧化膜(36)、多晶硅膜(37)以及具有开口部(39)的硬掩模(38)，在与开口部(39)对应的多晶硅膜(37)的沟槽(40)内形成有自然氧化膜(41)，在该晶圆(W)中，对自然氧化膜(41)进行蚀刻直到多晶硅膜(37)在沟槽(40)的底部露出为止，将环境的压力设定为13.3Pa，向处理空间(S2)提供氧气、溴化氢气体以及氩气，将产生偏压的高频电力的频率设定为13.56MHz，通过从溴化氢气体产生的等离子体对多晶硅膜(37)进行蚀刻而完全除去多晶硅膜(37)。
- 蚀刻方法以及半导体器件制造
- [发明专利]改变工件姿势的设备和方法-CN200810097091.X无效
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中川惠美子;古矢正明;高桥正彦
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株式会社东芝
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2008-05-14
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2008-11-19
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B25J15/06
- 工件姿势改变设备和方法，设备包括：包括吸引口的第一吸嘴，吸引口能吸引工件第一表面，工件具有多个处于不同平面上的表面；与第一吸嘴具有预定倾斜角的第二吸嘴，第二吸嘴包括处于与第一吸嘴的吸引口不同平面上的吸引口，第二吸嘴的吸引口能吸引工件第二表面；真空压力切换装置，用来将真空压力施加于第一吸嘴以使其吸引口吸引工件第一表面，真空压力切换装置停止向第一吸嘴供应真空压力并将真空压力施加于第二吸嘴以使其吸引口吸引工件第二表面，并将工件从第一吸嘴传送至第二吸嘴。方法包括：利用第一吸嘴的吸引口吸引工件第一表面；利用真空压力切换装置将真空压力从第一吸嘴施加至第二吸嘴；利用第二吸嘴的吸引口吸引工件以改变工件姿势。
- 改变工件姿势设备方法
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