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[发明专利]液处理方法和液处理装置-CN202111394120.0在审
发明人：宫窪祐允;高桥哲平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： B05B13/02 文献下载
摘要：本发明提供液处理方法和液处理装置，能够抑制由从基片甩落的涂敷液导致的棉絮状块的产生。液处理方法包括：将涂敷液供给到基片的正面的步骤；和使上述涂敷液在上述基片的正面上扩散，在该正面上形成涂敷膜的步骤，在上述形成涂敷膜的步骤中，从上述涂敷液到达上述基片的正面的周缘部前起，开始从溶剂供给部向上述周缘部连续供给上述涂敷液的溶剂，并至少持续至上述形成涂敷膜的步骤结束。
处理方法装置

[发明专利]电子设备-CN202080039103.2在审
发明人：天野彻;高桥哲平;榎户俊夫 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G06T1/00 文献下载
摘要：一种电子设备，具有：导光板；成像单元，被布置成面向导光板并且包括成像元件；多个发光元件，布置在成像单元的周围；以及折射单元，至少插入在发光元件与导光板之间并且对从发光元件发射的光进行折射。
电子设备

[发明专利]涂布处理方法、涂布处理装置以及存储介质-CN201810671122.1有效
发明人： 高桥哲平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： B05C11/08 文献下载
摘要：本发明提供对于以高膜厚均一性在基板表面形成液膜有效的涂布处理方法、涂布处理装置以及存储介质。涂布处理过程包括：以在晶圆表面的中心部形成抗蚀液的积液的条件向晶圆表面供给抗蚀液；一边以第一转速使晶圆旋转，一边向晶圆表面供给稀释液并使稀释液的供给位置从积液的外侧向积液的外周部分移动，该第一转速使积液停留在比晶圆的外周靠内侧的位置；在使稀释液的供给位置从积液的外侧移动到积液的外周部分之后，一边使晶圆继续以第一转速旋转，一边使稀释液的供给位置从积液的外周部分向积液的外侧移动；以及在使稀释液的供给位置从积液的外周部分移动到积液的外侧之后，以比第一转速高的转速使晶圆旋转以使抗蚀液向晶圆的外周侧扩散。
处理方法装置以及存储介质

[发明专利]头戴式显示器-CN201980047680.3在审
发明人：吉田高明;高桥英贵;高桥哲平 -专利权人：索尼公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H04N5/64 文献下载
摘要：根据本公开内容的头戴式显示器(10)设置有：前块(100)，其用于支承布置在用户的眼睛前方的显示单元；后块(300)，其布置在用户的头部后面；以及多个弹性构件(230、340)，其沿着连接前块(100)与后块(300)的带延伸。该多个弹性构件(230、240)中的每一个在一端处被固定到带，并且在另一端处被固定到后块(300)内的指定位置。
头戴式显示器

[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置-CN201880091637.2在审
发明人： 高桥哲平;井上徹人;菅井昭彦;望月孝;中村俊一 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置具有：半导体基板；第一导电型的漂移层；第二导电型的阱区；所述第二导电型的高浓度区域；所述第一导电型的源极区域；被设置在所述漂移层上的绝缘膜；经由设置在所述绝缘膜上的第一开口部来与所述源极区域及所述高浓度区域相接触的第一接触金属膜；被形成于所述第一接触金属膜的表面，并且经由设置在所述第一接触金属膜上的第二开口部来与所述高浓度区域相接触的第二接触金属膜；以及被形成于包含所述第一接触金属膜、所述第二接触金属膜的接触金属层的表面的源电极膜。其中，所述第一接触金属膜包含氮化钛，所述第二接触金属膜包含钛。
半导体装置制造方法以及

[发明专利]基片处理方法和基片处理装置-CN202010293846.4在审
发明人： 高桥哲平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基片处理方法和基片处理装置。处理基片的基片处理方法包括：(a)通过旋涂法在基片的表面涂敷涂敷液来形成涂敷膜的步骤；(b)对在上述(a)步骤中形成于基片的表面周缘部的上述涂敷膜的凸部，供给上述涂敷液的溶剂的步骤；和(c)在停止供给上述溶剂的状态下，使基片旋转，使上述凸部的顶点向基片的径向外侧移动的步骤，反复进行上述(b)步骤和上述(c)步骤。本发明能够除去形成在基片的表面周缘部的涂敷膜的凸部，使该涂敷膜在基片面内均匀地形成。
处理方法装置

[实用新型]基板处理装置-CN201821873287.9有效
发明人： 高桥哲平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开说明能够抑制棉状块的产生的基板处理装置。基板处理装置具备：旋转保持部，其保持基板，并且使所述基板绕沿与所述基板的表面正交的方向延伸的旋转轴以规定的转速旋转；处理液供给部，其构成为从位于所述表面侧的处理液喷嘴，向通过所述旋转保持部而旋转的所述基板的所述表面供给处理液；以及溶剂供给部，其构成为在比所述基板的外周缘靠外侧的位置，从位于所述表面侧的至少一个喷出喷嘴向下方供给有机溶剂。由此，能够抑制棉状块的产生。
基板基板处理装置旋转保持部棉状块处理液供给部处理液喷嘴方向延伸溶剂供给有机溶剂喷嘴处理液外周缘旋转轴正交的喷出

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的记录介质-CN201811353406.2在审
发明人： 高桥哲平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开说明能够抑制棉状块的产生的基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的记录介质。基板处理装置具备：旋转保持部，其保持基板，使基板绕沿与基板的表面正交的方向延伸的旋转轴以规定的转速旋转；处理液供给部，其构成为从位于表面侧的处理液喷嘴向表面供给处理液；溶剂供给部，其构成为从位于表面侧的至少一个喷出喷嘴向表面供给有机溶剂；以及控制部。控制部执行第一处理和第二处理，第一处理为控制旋转保持部和处理液供给部，在旋转保持部使基板旋转时，使处理液喷嘴向表面供给处理液，第二处理为控制溶剂供给部，在处理液由于伴随基板的旋转产生的离心力而到达基板外周缘之前，使喷出喷嘴在比外周缘靠外侧的位置向下方喷出有机溶剂。
基板基板处理装置处理液喷出处理液供给部处理液喷嘴旋转保持部基板处理有机溶剂喷嘴可读取基板外周缘方向延伸基板旋转控制溶剂控制旋转溶剂供给供给部棉状块外周缘旋转轴正交的计算机

[发明专利]锂离子二次电池负极用碳粒子、锂离子二次电池用负极以及锂离子二次电池-CN201080048216.5有效
发明人： 高桥哲平;石井义人;冈部圭儿;井田百合子;中村喜重 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01M4/587 文献下载
摘要：在锂离子二次电池负极用碳粒子中，2×10～2×104埃的细孔的细孔体积相对于碳粒子每单位质量为0.1ml/g以下，通过X射线衍射测定来求出的石墨结晶的层间距d(002)为3.38埃以下，C轴方向的微晶尺寸Lc为500埃以上，粒子截面的圆度为0.6～0.9。由此可以提供具有高容量且快速充电特性更优异的锂离子二次电池负极用碳粒子、使用该碳粒子的锂离子二次电池用负极、以及锂离子二次电池。
锂离子二次电池负极粒子以及

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