专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]绝缘栅双极型晶体管的硅外延片生产工艺-CN201711099661.4有效
  • 王作义;康宏;马洪文;胡宝平;陈小铎;崔永明;卞小玉 - 四川广瑞半导体有限公司
  • 2017-11-09 - 2019-02-12 - H01L21/02
  • 本发明公开了绝缘栅双极型晶体管的硅外延片生产工艺,包括依次进行的以下步骤:步骤一、将硅衬底材料采用纯水清洗后放入反应器内;步骤二、采用氢气作为载流气体排出反应器内的空气;步骤三、将反应器内部升温至1160~1180℃,再采用HCL刻蚀3~4min,然后将反应器内部的HCL排除;步骤四、将反应器内部的温度降至1130~1140℃的生长温度;步骤五、向反应器内通入由氢气和四氯化硅气体混合构成的反应气体,使得硅衬底表面生成硅单晶层,得到硅外延片;步骤六、停止向反应器内通入反应气体,待反应器内部降至室温时,向反应器内通入氮气3~4min;步骤七、打开反应器取出硅外延片。本发明整体工艺简单,便于实现,成本低,且应用时能减小N+/P+交界面处过渡区的宽度。
  • 绝缘栅双极型晶体管外延生产工艺
  • [发明专利]8英寸功率芯片的硅外延片生产工艺-CN201711097978.4有效
  • 王作义;康宏;马洪文;胡宝平;陈小铎;崔永明;卞小玉 - 四川广瑞半导体有限公司
  • 2017-11-09 - 2018-12-18 - C30B25/20
  • 本发明公开了8英寸功率芯片的硅外延片生产工艺,包括依次进行的以下步骤:步骤一、将硅衬底材料采用纯水清洗后放入反应器内;步骤二、采用氢气作为载流气体排出反应器内的空气;步骤三、将反应器内部升温至1160~1180℃,再采用HCL刻蚀3~4min,然后将反应器内部的HCL排除;步骤四、将反应器内部的温度降至1020~1030℃的生长温度;步骤五、向反应器内通入硅烷和掺杂剂,使得硅衬底表面生成硅单晶层,得到硅外延片;步骤六、停止向反应器内通入反应气体,待反应器内部降至室温时,向反应器内通入氮气3~4min;步骤七、打开反应器取出硅外延片。本发明整体工艺简单,便于实现,成本低,且应用时能提升生产的硅外延片电阻率均匀一致性。
  • 英寸功率芯片外延生产工艺

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