专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]方便调节的交通运输导向牌-CN202223223692.5有效
  • 王永旺;秦玉玲;韩学光;冉波;李向科;刘雨晨 - 王永旺
  • 2022-12-01 - 2023-09-22 - E01F9/60
  • 本实用新型公开了方便调节的交通运输导向牌,包括外支撑管和调节组件,所述外支撑管内部滑动连接有内支撑管,用于调节指示方向与内容的所述调节组件设置于内支撑管上端,所述调节组件包括连接环、滑块、环形滑槽、指向牌、标志槽、第一转轴和槽盖,所述连接环内表面设置有滑块,且内支撑管上端设置有环形滑槽,所述滑块与环形滑槽滑动连接,且连接环右侧连接有指向牌,所述指向牌内部开设有标志槽,且标志槽左侧上端设置有第一转轴。该方便调节的交通运输导向牌,采用多个组件之间相互配合,通过调节组件快速调节指示方向以及指示内容,通过固定组件快速将该装置固定在合适高度,通过支撑组件固定该装置,防止其倾倒。
  • 方便调节交通运输导向
  • [实用新型]一种桥梁施工用防高空掉落装置-CN202120967138.4有效
  • 韩学光;徐蒙;米国宾;吴二朋;王学峰;安旭 - 天津市公路工程总公司
  • 2021-05-08 - 2022-02-11 - E01D21/00
  • 本实用新型公开了一种桥梁施工用防高空掉落装置,包括底座、置于底座底部的滚轮、置于底座上方的连接座、置于连接座与底座之间的升降结构、置于连接座与底座之间的导向结构、置于连接座上方一侧的辅助结构、置于连接座上方另一侧的伸缩结构、置于伸缩结构与辅助结构上方收集箱,滚轮上设有刹车片,升降结构置于导向结构之间,辅助结构可转动,伸缩结构一端与连接座固定连接,伸缩结构另一端与收集箱铰接;本实用新型的稳定性高,在运动过程中不会造成人员的伤害,同时不易造成机械结构的损坏,掉落物收集后,可方便快捷的倒出,装置可接着使用,从而有利于工作效率的提高。
  • 一种桥梁施工高空掉落装置
  • [实用新型]一种地铁行车组织调度显示装置-CN202122176218.0有效
  • 韩学光;冉波;李向科 - 韩学光
  • 2021-09-09 - 2022-02-08 - H05K7/20
  • 本实用新型涉及地铁设备技术领域,且公开了一种地铁行车组织调度显示装置,包括支撑脚,所述支撑脚顶部固定连接有机体,所述机体顶部固定连接有控制台,所述机体内开设有工作腔,所述工作腔底部设置有水冷机构,所述工作腔左侧设置有风冷机构,水冷机构包括有水箱、出水管、水泵、连接管、吸热板、水冷块和回水管,所述水箱固定连接于工作腔底部中间,所述出水管固定连接于水箱右侧中部,所述水泵固定连接于出水管右端。该地铁行车组织调度显示装置,当机体随着使用温度升高时,打开滚珠风扇,此时蓄电池给滚珠风扇供电,可以使机体内部空气可以进行流通,从而对机体内部进行基础散热工作。
  • 一种地铁行车组织调度显示装置
  • [实用新型]一种用于地铁行车组织技能培训装置-CN202122184478.2有效
  • 冉波;李向科;韩学光 - 冉波
  • 2021-09-10 - 2022-01-14 - G09B19/00
  • 本实用新型涉及教学用具技术领域,且公开了一种用于地铁行车组织技能培训装置,包括箱体,所述箱体底部固定连接有滚轮,所述箱体顶部设置有展示机构,所述箱体内设置有调节机构。该用于地铁行车组织技能培训装置,通过设置调节机构,在使用过程中,当需要调节展示方向时,启动电机,电机输出轴的转动带动第一螺纹杆的转动,直至展示板与箱体呈垂直时关闭电机,转动两个固定杆左右两端的固定环,两个固定环向中间运动推动两个限位环向中间运动直至两个限位环相对面的限位块进入到对应的限位槽内时停止,此时该装置可以更好的向学员展示教学内容,而且展示效果更加的直观,方便教师对教学内容的讲解,增加该装置的实用性。
  • 一种用于地铁行车组织技能培训装置
  • [实用新型]多功能组合燃气装置-CN201120518072.7有效
  • 韩学光 - 韩学光
  • 2011-12-10 - 2012-07-25 - F24C3/00
  • 本实用新型具体为一种多功能组合燃气装置,解决了现有燃气用具单独配置存在能耗高、占用空间大且不便于清洗维护的问题。排烟管上通过软管连接有位于室外的抽风机,灶具后侧下方固定有燃气热水器,燃气热水器的上方设有与其连通的烟道,位于排烟管内部的烟道前壁开有排烟口,排烟管侧壁穿有转轴,转轴上固定有位于排烟口处的挡板,且转轴上固定有与其垂直的销轴,排烟管上固定有牵引器,牵引器与销轴之间设有与两者连接的钢丝绳和弹簧。本实用新型结构设计合理可靠,节省空间且便于安装,延长了使用寿命,而且燃气热水器及集烟罩都便于清洗拆装,抽风机可安装于室外,大幅降低噪声。
  • 多功能组合燃气装置
  • [发明专利]基于锆钛酸铅存储介质的铁电动态随机存储器及制备方法-CN201010199035.4有效
  • 谢丹;罗亚烽;冯婷婷;韩学光;任天令;刘理天 - 清华大学
  • 2010-06-04 - 2010-11-24 - H01L27/108
  • 本发明涉及基于锆钛酸铅存储介质的铁电动态随机存储器制备方法属于微电子新材料与器件技术领域,包括:硅衬底,源区、漏区,隔离层介质膜,铁电薄膜层,栅电极,源极,漏极,以及用于测试该存储器的衬底接触区和衬底接触电极;其中,隔离层介质为:HfO2、Hf-Al-O、TiO2、Al2O3中的任意一种;所述铁电薄膜层为:Pb(Zr1-xTix)O3。该方法包括:对硅衬底进行清洗和氧化;第一次光刻形成源漏区:第二次光刻形成衬底接触区:生长氧化层:第三次光刻形成栅区:生长隔离层介质薄膜:制备隔离层介质薄膜和生长铁电薄膜:制备电极金属层:第四、五次光刻形成栅电极和接触孔;制备源极、漏极以及衬底接触金属层:合金化处理。本发明制备的FEDRAM器件具有更小的漏电,更高的保持特性。
  • 基于锆钛酸铅存储介质动态随机存储器制备方法
  • [发明专利]基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器及制备方法-CN201010199043.9有效
  • 谢丹;罗亚烽;冯婷婷;韩学光;任天令;刘理天 - 清华大学
  • 2010-06-04 - 2010-11-24 - H01L27/108
  • 本发明涉及基于金属氧化物气相沉积铁电动态随机存储器,包括:硅衬底,源区、漏区,隔离层介质膜,铁电薄膜层,栅电极,源极,漏极,以及用于器件测量的衬底接触区和衬底接触电极;所述隔离层介质为:ZrO2、TiO2中的任意一种;所述铁电薄膜层为:Pb(Zr1-xTix)O3(PZT),各组份的摩尔比例为:Pb∶(Zr+Ti)∶O=1∶1∶3,Zr∶Ti=(1-x)∶x,x取值范围为0.1<x<1.0;该方法包括:对硅衬底进行清洗、氧化层;先后光刻,依次形成源漏区、衬底接触区并生长氧化层及栅区:生长隔离层介质薄膜和铁电薄膜:制备电极金属层:形成栅电极:形成接触孔:制备金属层,形成衬底接触电极金属层及合金化处理。本发明获得了大面积、均匀致密的、性能良好的存储介质薄膜和隔离层材料,用其制备的器件具有更小的漏电,更高的保持特性。
  • 基于金属氧化物沉积动态随机存储器制备方法
  • [发明专利]基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器及其制备方法-CN201010202569.8有效
  • 谢丹;罗亚烽;冯婷婷;韩学光;任天令;刘理天 - 清华大学
  • 2010-06-11 - 2010-10-27 - H01L27/115
  • 本发明涉及基于铋系存储材料的铁电动态随机存储器及其制备方法,属于微电子新材料与器件技术领域,该器件的区别特征为隔离层介质为:ZrO2或TiO2;铁电薄膜层为BXT或BXFY中的任意一种:其中,X为掺杂的稀土元素,Y为掺杂的过渡金属元素。该方法包括:对硅衬底进行清洗及氧化:光刻形成源漏区和衬底接触区后生长氧化层:再光刻形成栅区后生长隔离层介质薄膜和铁电薄膜;在铁电薄膜上溅射电极金属层;再光刻和刻蚀形成栅电极、接触孔;源极、漏极以及衬底接触金属层及电极金属层;最后合金化处理。本发明可获得大面积、均匀致密的、性能良好的存储介质薄膜和隔离层材料,用其制备的FEDRAM器件具有更小的漏电,更高的保持特性。
  • 基于存储材料动态随机存储器及其制备方法
  • [发明专利]基于原子层沉积隔离层的铁电动态随机存储器及制备方法-CN201010202577.2有效
  • 谢丹;罗亚烽;冯婷婷;韩学光;任天令;刘理天 - 清华大学
  • 2010-06-11 - 2010-10-27 - H01L27/115
  • 本发明涉及基于原子层沉积隔离层的铁电动态随机存储器及其制备方法,属于微电子新材料与器件技术领域,该器件的区别特征为隔离层介质为:HfO2、Hf-Al-O、TiO2、Al2O3中的任意一种;铁电薄膜层为BXT或BXFY中的任意一种:其中,X为掺杂的稀土元素,Y为掺杂的过渡金属元素。该方法包括:对硅衬底进行清洗及氧化:光刻形成源漏区和衬底接触区后生长氧化层:再光刻形成栅区后生长隔离层介质薄膜和铁电薄膜;在铁电薄膜上溅射电极金属层;再光刻和刻蚀形成栅电极、接触孔;源极、漏极以及衬底接触金属层及电极金属层;最后合金化处理。本发明可获得大面积、均匀致密的、性能良好的存储介质薄膜和隔离层材料,用其制备的FEDRAM器件具有更小的漏电,更高的保持特性。
  • 基于原子沉积隔离动态随机存储器制备方法

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