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[发明专利]氧掺杂多孔的g-C3-CN201810323091.0有效
发明人：郭强;韩东远;范晓星;宋朋;韩宇;王绩伟 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种氧掺杂多孔的g‑C3N4光催化剂的制备方法，包括将三聚氰胺溶于去离子水中，在加热搅拌的条件下，逐滴加入含有醛基的有机物，将所得溶液放入烘箱中，于80‑150℃下烘干，得到前驱体；将前驱体研磨，在惰性气体的环境下进行煅烧，得到中间产物；将中间产物在空气环境下进行煅烧，得到目标产物。利用本发明方法制备的多孔氧掺杂g‑C3N4纳米材料，有效的促进电子转移，降低复合率，提高光催化活性，采取该方法处理前驱体不仅可以改变该体系结构还可以引入有用的外来原子，而且比以往的氧掺杂成本低、简单、操作方便，并且在可见光照射下可以有效地降解有机污染物。
掺杂多孔 base sub

[发明专利]氮缺陷石墨相氮化碳纳米片光催化剂及其制备方法与应用-CN201810419179.2有效
发明人：郭强;韩东远;范晓星;韩宇;王绩伟;宋朋 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开氮缺陷石墨相氮化碳纳米片光催化剂及其制备方法与应用，制备方法如下：1)将三聚氰胺，双氰胺，硫脲尿素等富氮有机物放入坩埚内在220‑420℃温度间进行高温煅烧处理并保持0.5‑10h，冷却，得前驱体；2)将前驱体研磨，在惰性气体环境下进行煅烧，得到产物为氮缺陷石墨相氮化碳纳米片光催化剂。利用本发明的方法制备的氮缺陷石墨相氮化碳的纳米材料，能够提供更多的催化反应位点，同时氮缺陷可以捕获光生电子，有效使光生电子‑空穴分离，降低复合率，提高光催化活性。利用所获得的光催化剂，在可见光照射下可以有效地降解有机污染物。
缺陷石墨氮化纳米光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种大比表面积碳缺陷石墨相氮化碳光催化剂及其制备方法和应用-CN201810246294.4有效
发明人：范晓星;孔令茹;田莉;刘京;韩东远;董芳菲;王绩伟;韩宇 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开一种大比表面积碳缺陷石墨相氮化碳光催化剂及其制备方法和应用。具体步骤为：将硝酸滴加于石墨相氮化碳中，得混合液；将混合液在一定温度下水热得到固体粉末，将固体粉末在空气氛围中烘干得目标产物。本发明制备方法简单，条件温和，有很好的工业化生产前景，所获得的石墨相氮化碳光催化剂在420nm以上的可见光照射下可降解异丙醇至丙酮。
一种表面积缺陷石墨氮化光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]多孔g-C3-CN201711189398.8有效
发明人：范晓星;王洪亮;韩东远;刘晶;孔令茹;王绩伟;韩宇 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了多孔g‑C3N4光催化剂及其制备方法和应用。以三聚氰胺和乙醛为原料，利用乙醛对三聚氰胺前驱体改性，通过两次不同环境焙烧制备g‑C3N4光催化剂。本发明制备的g‑C3N4拥有大的表面积和高孔隙率。多孔结构能够有效提高能量转换的效率，增加半导体比表面积，从而提供更多的表面活性位，提高光催化活性。此外，纳米孔壁结构降低了光生电子空穴的传输距离，提高光生电子和空穴的分离效率，降低复合率，极大地改善了在可见光下的光催化活性。该方法具有成本低和方便操作的优点。利用其在可见光照射下可降解异丙醇等有害物质，在环境净化和清洁能源生产中具有重要的实际应用价值。
多孔 base sub

[发明专利]高活性多孔的g-C3-CN201711214581.9有效
发明人：范晓星;韩东远;刘京;王绩伟;韩宇;宋朋 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提出了高活性多孔的g‑C3N4光催化剂及其制备方法和应用。于三聚氰胺水溶液中，在磁力搅拌下，逐滴加入乙二醛，将所得混合液放入烘箱中，于100‑110℃下烘干，得前驱体；将前驱体研磨，在氮气的环境下进行煅烧，得中间产物；将中间产物在空气环境下进行煅烧，得目标产物高活性多孔的g‑C3N4光催化剂。利用本发明的方法制备的多孔的O掺杂的g‑C3N4纳米材料，有效的分离电子空穴对，降低复合率，可以有效的提高光催化活性，该方法成本低、简单、方便操作。利用其在可见光照射下可降解异丙醇。
活性多孔 base sub

[发明专利]高光电转换效率Sn-CN201810451914.8有效
发明人：范晓星;刘京;王晓娜;韩东远;宋朋;韩宇;王绩伟 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2018-05-12 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了高光电转换效率Sn
薄膜光阳极高光电转换效率制备方法和应用光阳极薄膜载流子传输效率光电转换效率空穴致密磁控溅射法电泳沉积法高结晶性高温退火光电化学浸渍提拉导电基光电极凝胶法水分解粉体沉积制备复合生长应用

[发明专利]Pb₃Nb₄O₁₃光阳极材料的制备方法-CN201710351082.8有效
发明人：范晓星;田莉;孔令茹;王洪亮;韩东远;刘京;韩宇;王绩伟 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种新的光阳极材料Pb₃Nb₄O₁₃的制备方法。此方法是先以PbO和Nb₂O₅为原料，利用固相反应法制备Pb₃Nb₄O₁₃粉体，利用电泳沉积法将粉体制备成薄膜电极。并将Pb₃Nb₄O₁₃光电极薄膜焙烧，得到结晶性较好的电极薄膜。Pb₃Nb₄O₁₃是一种多元金属氧化物，其能带位置横跨水的导带与价带的位置，适合进行水的分解，其在水溶液中性质稳定，并且具有良好的光化学特性，并且制备方法简单、方便操作。对于Pb₃Nb₄O₁₃的探究，为水的分解提供新的催化材料，缓解当今的环境能源紧张的局势。
pb3nb4o13 阳极材料制备方法

[发明专利]硫掺杂石墨相氮化碳纳米片光催化剂及其制备方法与应用-CN201811485049.5在审
发明人：范晓星;成祥祥;韩东远;裴宇鹏;景新媚;王绩伟 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了硫掺杂石墨相氮化碳纳米片光催化剂及其制备方法与应用，制备方法如下：1)将富氮有机物放入坩埚内在300‑500℃进行高温煅烧处理并保持1‑10h，冷却，得前驱体A；2)将含硫富氮有机物研磨溶于水中，加入草酸，充分搅拌后放入烘箱中60‑120℃加热烘干，得前驱体B；3)将前驱体A和B混合后进行高温煅烧，得到产物为硫掺杂石墨相氮化碳纳米片光催化剂。本发明所述的硫掺杂石墨相氮化碳的纳米材料，能够提供更多的催化反应位点，同时构建出的硫掺杂结构可以捕获光生电子，有效使光生电子‑空穴分离，降低复合率，提高光催化活性。本发明所述的光催化剂，在可见光照射下可以有效地降解有机污染物。
硫掺杂光催化剂石墨相氮化碳纳米前驱体制备高温煅烧光生电子有机物放入富氮降解有机污染物草酸烘箱空穴光催化活性可见光照射催化反应加热烘干纳米材料研磨氮化碳有效地构建水中位点坩埚捕获应用冷却复合

[发明专利]高活性多孔g-C₃N₄光催化剂及其制备方法与应用-CN201811402344.X在审
发明人：范晓星;蔡鹤;韩东远;裴宇鹏;景新媚;王绩伟 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提出了高活性多孔的g‑C₃N₄光催化剂及其制备方法和应用。在磁力搅拌下，在三聚氰胺水溶液中，逐滴加入乙醛酸，将所得混合液放入烘箱中，在80‑150℃条件下烘干，得前驱体；将前驱体研磨，在氮气的环境下进行煅烧，得中间产物；将中间产物在空气环境下进行煅烧，得目标产物高活性多孔的g‑C₃N₄光催化剂。利用本发明的方法制备的高产率多孔的g‑C₃N₄纳米材料，可以在可见光下有效的降低电子空穴对复合率，从而提高光催化活性，并且大大提高了g‑C₃N₄的产率。
光催化剂高活性前驱体煅烧制备三聚氰胺水溶液制备方法和应用氮气烘箱光催化活性可见光磁力搅拌电子空穴空气环境目标产物纳米材料研磨高产率混合液乙醛酸烘干产率放入复合应用

[发明专利]Sn2Nb2O7光阳极材料及Sn2Nb2O7光电极薄膜-CN201711170982.9在审
发明人：范晓星;刘京;王绩伟;韩东远;王晓娜 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明公开了Sn2Nb2O7光阳极材料及Sn2Nb2O7光电极薄膜。以SnO和Nb2O5为原料，利用固相反应法制备Sn2Nb2O7粉体，将此粉体作为原材料，利用电泳沉积法将此材料制备成薄膜电极。并将Sn2Nb2O7光电极薄膜焙烧，得到结晶性较好的电极薄膜。Sn2Nb2O7是一种多元金属氧化物，其能带位置横跨水的导带与价带的位置，适合进行水的分解，其在水溶液中性质稳定，具有良好的光化学特性，并且制备方法简单。对于Sn2Nb2O7的探究，为水的分解提供新的催化材料，有益于可再生能源的研究，缓解当今环境能源紧张的严峻形势。
sn2nb2o7 阳极材料电极薄膜

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