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[发明专利]钙钛矿纳米发光晶体的制造方法-CN201910100058.6有效
发明人：包真;曾于芮;刘如熹;童鸿钧;王宏嘉;李育群;蔡宗良 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明涉及钙钛矿纳米发光晶体、发光装置及钙钛矿纳米发光晶体的制造方法。本发明的钙钛矿纳米发光晶体具有以下化学式：Cs4BX6，其中B包含选自由Ge、Pb、Sn、Sb、Bi、Cu与Mn所组成的群组中的一种或多种，且X包含选自由Cl、Br及I所组成的群组中的一种或多种，其中Cs4BX6纳米发光晶体为纯相且Cs与B的元素摩尔比值(Cs/B)为大于1且小于4。此纯相钙钛矿纳米发光晶体具有良好的光热稳定性与高发光效率。
钙钛矿纳米发光晶体制造方法

[发明专利]像素阵列封装结构及显示面板-CN201910730800.1有效
发明人：吴慧茹;梁建钦;陈若翔;赖隆宽;蔡承佑;苏信纶;陈廷楷 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种像素阵列封装结构及显示面板。像素阵列封装结构包含基板、像素阵列、反射层、吸光层以及透光层。像素阵列设置于基板上。像素阵列包含多个发光二极管芯片。这些发光二极管芯片包含至少一红光二极管芯片、至少一绿光二极管芯片、至少一蓝光二极管芯片及其组合。反射层设置于基板上并位于任两相邻的发光二极管芯片之间。吸光层位于反射层上方并环绕像素阵列。透光层设置于像素阵列、反射层及吸光层上。透光层具有一上表面及与其相对的一下表面。下表面接触像素阵列且上表面具有一粗糙度为0.005至0.1mm。本发明提供的多个实施方式可以在不损失对比度的情况下，增加发光二极管芯片的出光亮度。
像素阵列封装结构显示面板

[发明专利]封装结构及其形成方法-CN202211006156.1在审
发明人：刘康弘;林志豪;郭修邑 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本公开提供一种封装结构及其形成方法。封装结构具有发光区与邻近于发光区的非发光区，且包括基板以及第一发光层、第二发光层与第三发光层。第一发光层、第二发光层与第三发光层依序堆叠于基板之上，且各包括透明粘着层、发光二极管芯片、重分布层以及平坦层。透明粘着层设置于发光区中。发光二极管芯片设置于透明粘着层上。重分布层形成于发光二极管芯片上且从发光区延伸至非发光区。平坦层设置于发光二极管芯片与重分布层上。
封装结构及其形成方法

[发明专利]微型发光二极管封装结构-CN202211279221.8在审
发明人：郭修邑;许国翊;林志豪;蔡旻哲;梁建钦 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：提供一种微型发光二极管封装结构。微型发光二极管封装结构包括重分布线路层、控制元件、多个微型发光二极管以及可挠性材料层。控制元件和微型发光二极管设置于重分布线路层上并与重分布线路层电性连接。可挠性材料层覆盖控制元件和微型发光二极管，其中微型发光二极管接触可挠性材料层。
微型发光二极管封装结构

[发明专利]电子元件连接基座及其电子装置-CN202210486805.6在审
发明人：李名京 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本公开提出一种电子元件连接基座及其电子装置。电子元件连接基座包括本体、第一导电层以及第二导电层。本体包括顶面、底面以及承载面，其中顶面和底面位于本体的相反两侧，承载面位于顶面与底面之间的本体的一侧，且承载面与底面之间实质上夹一不等于0度的角度。第一导电层设置于底面上且包括多个第一导电线路。第二导电层设置于承载面上且延伸至顶面上，第二导电层包括多个第二导电线路，其中承载面上的第二导电线路具有第一脚位布置，且顶面上的第二导电线路具有不同于第一脚位布置的第二脚位布置，第二脚位布置匹配于底面上的第一导电线路的脚位布置。
电子元件连接基座及其电子装置

[发明专利]发光二极管封装结构-CN202010165904.5有效
发明人：陈长翰;林浚朋;赖隆宽 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光二极管封装结构包括电路基板、反射杯、发光二极管芯片以及透镜结构。反射杯位于电路基板上且与电路基板共同构成一凹杯且形成一开口，反射杯具有第一金属环位于凹杯。发光二极管芯片固晶于凹杯内的电路基板上。透镜结构具有第二金属环用以接合第一金属环而覆盖开口。本发明的发光二极管封装结构采多件式组合设计并以金属环接结各组件，解决基板不平整的问题，增加共晶良率。
发光二极管封装结构

[外观设计]发光二极管封装-CN202230366502.1有效
发明人：蒋清淇;陈书伟;洪子源;王君伟;颜名辰 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： 26-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：发光二极管封装。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品为发光电子元件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。
发光二极管封装

[发明专利]显示装置-CN202210802324.1在审
发明人：林志豪;马维远;陈若翔 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种显示装置包含载板、多个第一封装体与多个第二封装体。第一封装体位于载板上，每一个第一封装体包含多个第一发光二极管晶片。第二封装体位于载板上，每一个第二封装体包含多个第二发光二极管晶片，第一封装体与第二封装体沿第一方向交替排列，且第一封装体的第一发光二极管晶片的排列方式不同于第二封装体的第二发光二极管晶片的排列方式。
显示装置

[发明专利]光转换材料、其制造方法、包含其的发光装置及背光模组-CN202010098819.1有效
发明人：蔡宜庭;王宏嘉;童鸿钧;李育群;蔡宗良 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：一种光转换材料、其制造方法、包含其的发光装置及背光模组。光转换材料包含通式(1)且满足条件(2)。通式(1)为MmAaCcEe:ESxREy，M为选自由Ca、Sr和Ba所组成的群组的至少一元素，2≤m≤3；A为选自由Mg、Mn、Zn和Cd所组成的群组的至少一元素，0.01≤a≤1；C为选自由Si、Ge、Ti和Hf所构成的群组的至少一元素，1≤c≤9；E为选自由O、S和Se所构成的群组的至少一元素，5≤e≤7；ES为至少一选自由二价Eu、Sm和Yb所构成群组的至少一元素，0≤x≤3；及RE为至少一选自由三价Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er和Tm所构成的群组的至少一元素，0≤y≤3。条件(2)为x+y＝3。本发明的光转换材料具有窄光谱特性，其可提供色纯度佳的绿光并且具有较佳的流明效率。
转换材料制造方法包含发光装置背光模组

[发明专利]像素单元与其制造方法-CN202111356457.2在审
发明人：林志豪;苏信纶;蔡旻哲;陈若翔 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种像素单元与其制造方法，像素单元包含基板、线路层与三个发光元件。线路层包含多个第一电极线路与多个第二电极线路排列于基板上。第一电极线路与第二电极线路并排且以间距分开。在每一个第一电极线路靠近所对应相邻的第二电极线路的第一端部处具有第一挡墙结构，在每一个第二电极线路靠近所对应相邻的第一电极线路的第二端部处具有第二挡墙结构。三个发光元件分别发出红光、绿光与蓝光。发光元件分别以覆晶型态连接至并排相邻的第一电极线路的其中一者与第二电极线路的其中一者。第一与第二电极线路之间的间距足够窄，因此可应用于微型发光二极管晶片。
像素单元与其制造方法

[发明专利]封装结构、显示装置及其制造方法-CN202210749505.2在审
发明人：林志豪;陈若翔;马维远;吴慧茹;蔡旻哲;郭修邑;梁建钦 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：提供封装结构、显示装置及其制造方法。封装结构包括导电元件、第一介电层、重布线层、第二介电层、遮光层、导电层及发光二极管单元。第一介电层设置在导电元件上。重布线层设置在第一介电层上。重布线层与导电元件电性连接。第二介电层设置在第一介电层上。遮光层设置在第二介电层上。导电层设置在重布线层上，且包括可见光反射率小于30％的第一导电层。发光二极管单元设置在导电层上。
封装结构显示装置及其制造方法

[发明专利]发光二极管-CN202210806118.8在审
发明人：郭修邑;王德忠 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：一种发光二极管包括第一反射层、第二反射层、多层发光结构及半导体层。第一反射层具有第一反射率，而第二反射层具有第二反射率，其中第二反射率大于第一反射率。多层发光结构设置于第一反射层与第二反射层之间。半导体层设置于第一反射层上并具有上出光面，其中第一反射层比第二反射层更邻近上出光面，上出光面与第一反射层之间的第一间距小于或等于5μm。因此，发光二极管产生的光线具有波长一致性高、正向出光强且出光光角小的特性。
发光二极管

[发明专利]发光模组-CN202111014419.9在审
发明人：吴升达;张波 -专利权人：达亮电子（滁州）有限公司;隆达电子股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： F21V9/32 文献下载
摘要：本发明公开一种发光模组及灯条模组，该发光模组包含电路基板、多条荧光线以及多个发光二极管芯片。多条荧光线形成于电路基板的一表面上，且该多条荧光线交错形成至少一矩形框。每一矩形框内设置有至少一发光二极管芯片。本发明在发光二极管芯片之间增加荧光线的设置，改善发光二极管芯片之间距过大的发光不均匀现象(例如，白光发光二极管单灯上方较亮周围发暗的缺点，或蓝光发光二极管单灯较亮周围发蓝的缺点)，以实现更佳的成像色彩。此外，本发明在运用矩形的荧光线框下亦能改善高动态范围(HDR)动态对比下单区出光下光环效应(Halo Effect)问题。
发光模组

[发明专利]发光装置-CN202111629590.0在审
发明人：蒋清淇;陈书伟;洪子源;王君伟 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光装置包含电路基板、围墙、发光二极管芯片、荧光胶体以及盖板。围墙形成于电路基板上，借以共同形成凹杯。围墙具有透光与反射的性质，且具有高度H2。发光二极管芯片固晶于凹杯内的电路基板上，且具有一厚度H1。荧光胶体填充于凹杯内，且覆盖于发光二极管芯片上。盖板覆盖于荧光胶体上，盖板具有透光与反射的性质且具有一最大厚度H3微米，其中H3＝A*(H2/H1)+B，A的数值范围是10.5～15.5，B的数值范围是0.05～131.5。通过应用上述H2/H1比值与H3的关系，发光装置即能迅速获得符合背光模块需求的尺寸或生产参数，提升生产的效率。
发光装置

[发明专利]显示器电路结构、显示器以及拼接式显示器-CN201811267272.2有效
发明人：张国彦;陈冠志;赖隆宽 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：一种显示器电路结构、显示器以及拼接式显示器。电路结构包含具有相对第一侧和第二侧的基板、第一和第二短接条、多个发光单元及多条第一和第二导线。基板包含显示区和外围区。第一和第二短接条设置于外围区并分别邻近第一和第二侧。发光单元设置于显示区并在第一方向上排列成第一行。各发光单元包含位于基板的第一和第二电极及电性连接第一和第二电极的至少一发光元件。各第一导线连接对应的第一电极且包含朝第一方向延伸至第一短接条的第一线段。第二导线在不同于第一导线的平面上延伸。各第二导线连接对应的第二电极且包含朝相反于第一方向延伸至第二短接条的第二线段。电路结构可用于拼接组装成大型的显示面板，并避免短路或电信干扰的问题。
显示器电路结构以及拼接