“隆达电子股份有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果469个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]发光装置-CN201210302971.2无效
发明人：卢昱昕 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-08-23 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明公开一种发光装置，其包括反射杯、基板、光源、第一波长转换层、第二波长转换层及反射装置。基板设于反射杯的凹部的底部。光源设于基板上且用以发射光线。第一波长转换层位于基板上且环绕光源。第二波长转换层位于基板上且环绕第一波长转换层。盖板位于光源上方，且固设于反射杯上。反射装置面对光源地设置且包括反射角调整机构及反射片。反射角调整机构可活动地设于盖板上，而反射片设于反射角调整机构。通过反射角调整机构带动反射片改变其角度，调整光线自反射片反射而入射至第一波长转换层及第二波长转换层的比例，进而产生不同色温的光线。
发光装置

[发明专利]发光二极管阵列模块-CN201210430104.7在审
发明人：田运宜 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种发光二极管阵列模块在此揭露，发光二极管阵列模块包括基板、多个发光二极管芯片以及反射结构。发光二极管芯片以覆晶接合于基板上。反射结构设置于基板上且介于任两发光二极管芯片之间，以避免发光二极管芯片所发射的光线相互吸收。
发光二极管阵列模块

[发明专利]封装胶成型治具及其操作方法-CN201210430714.7有效
发明人：蔡培崧;杨正宏 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本发明揭露一种封装胶成型治具及其操作方法。封装胶成型治具应用于一发光二极管支架上，其中发光二极管支架具有凹部用以容置封装胶。封装胶成型治具包含本体部与压合部。本体部具有位于相反侧的第一表面与第二表面。压合部凸出于第一表面上，用以压合于凹部上。压合部具有一曲面用以容置位于凹部中的部分封装胶，且一穿孔形成于曲面与第二表面之间。当压合部压合于凹部时，压合部迫使部分封装胶流入穿孔中，且封装胶的一表面通过曲面呈曲面状。
封装成型及其操作方法

[发明专利]发光二极管封装体及其制造方法-CN201210430093.2有效
发明人：蔡培崧 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明揭露一种发光二极管封装体及其制造方法。发光二极管封装体包含导电支架、反射杯、发光二极管芯片与透镜。反射杯包覆导电支架，并且在固晶区形成一露出部分导电支架表面的凹陷开口。发光二极管芯片设置于凹陷开口内的导电支架表面。透镜设置于凹陷开口上方，并固定于反射杯表面，其中透镜是由一圆顶网状框体，及填入于圆顶网状框体的封装胶所构成。
发光二极管封装及其制造方法

[发明专利]发光二极管阵列-CN201210430788.0无效
发明人：田运宜;梁建钦 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光二极管阵列在此揭露，其中发光二极管阵列包括导电基板、多个发光二极管芯片、多条导线以及绝缘结构。发光二极管芯片配置于导电基板上，导线连接发光二极管芯片，绝缘结构位于导线下方，其中当导线塌陷时，绝缘结构阻隔导线与导电基板，以避免导线接触导电基板。
发光二极管阵列

[发明专利]发光二极管装置-CN201210430092.8无效
发明人：田运宜;梁建钦 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明揭露一种发光二极管装置，包含基板、发光二极管芯片、光学透镜以及粘着介面层。发光二极管芯片电性连接于基板。光学透镜具有一容置空腔用以覆盖于发光二极管芯片上，容置空腔的内壁具有一扩散微结构。粘着介面层填充于光学透镜的容置空腔内。
发光二极管装置

[发明专利]发光二极管及制造发光二极管的方法-CN201210410264.5有效
发明人：余长治;唐修穆;林孟毅 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明在此揭露一种发光二极管及制造发光二极管的方法，发光二极管包含基材、第一型半导体层、纳米柱层以及透明平坦层。第一型半导体层形成于基材上。纳米柱层形成于第一型半导体层上，纳米柱层包含多个纳米柱，每一纳米柱包含量子井结构以及第二型半导体层。量子井结构接触第一型半导体层，第二型半导体层形成在量子井结构上。透明平坦层沟填于这些纳米柱之间，并使第二型半导体层表面露出。
发光二极管制造方法

[发明专利]垂直式固态发光元件的制作工艺-CN201210273661.2有效
发明人：梁文灯 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直式固态发光元件的制作工艺，其包括下列步骤。提供一承载基板。形成一M金属氮化物缓冲层于承载基板上，形成一脆弱结构于缓冲层上，其中脆弱结构含有多数M金属滴状结构。依序形成一第一型半导体层、一有源层以及一第二型半导体层于脆弱结构上。形成一第二型电极于第二型半导体层上，第一型半导体层、有源层、第二型半导体层与第二型电极构成一发光堆叠结构。破坏脆弱结构，使其自发光堆叠结构分离，并使发光堆叠结构的第一型半导体层表面裸露。形成一第一型电极于第一型半导体层表面上。
垂直固态发光元件制作工艺

[发明专利]发光二极管照明装置-CN201210408545.7有效
发明人：蔡培崧;王君伟 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：一种发光二极管照明装置，包含灯杆以及灯具，灯具固设于灯杆上。灯具包含基板、具有第一出射光波长λ1的发光二极管、荧光粉罩层以及灯罩。发光二极管设置于基板上。荧光粉罩层覆盖于发光二极管上方，荧光粉罩层包含多个具有第二出射光波长λ2的第一荧光粉单元及具有第三出射光波长λ3的第二荧光粉单元，其中该些第一、第二荧光粉单元彼此交互排列，且于荧光粉罩层的出光面的法线方向上彼此不重叠。每一组相邻的第一、第二荧光粉单元所组成区域的长或宽的最大宽度小于2328微米。灯罩包覆基板、发光二极管以及荧光粉罩层。
发光二极管照明装置

[发明专利]发光装置-CN201210292253.1无效
发明人：许峰荣 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明公开一种发光装置，其包括光学透镜及发光二极管。光学透镜具有凹部、下表面、外出光面及散热通道，其中凹部从下表面往外出光面的方向延伸而形成内入光面，且散热通道从外出光面延伸至内入光面。发光二极管则对应凹部之处设置。
发光装置

[发明专利]发光装置-CN201210292251.2无效
发明人：陈圣平;杨贺顺 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：本发明公开一种发光装置，其包括透光管件、散热底板、发光元件、卡合件以及端盖。散热底板设于透光管件内。发光元件设于散热底板上。卡合件设于该透光管件内且具有卡孔。端盖具有内侧壁且包括卡合部，此卡合部具有一固定面及一导角面。卡合部以固定面固设于内侧壁上，而导角面以愈往端盖的开口愈接近固定面的方式相对固定面倾斜。当端盖套入透光管件的一端时，卡合部通过导角面卡合于卡孔。
发光装置

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201210407259.9有效
发明人：余长治;唐修穆;林孟毅 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明揭露一种发光二极管及其制造方法，发光二极管依序包含基板、第一型半导体层、结构层、发光层、第二型半导体层、第一型接触垫、透明导电层及第二型接触垫。其中，结构层是由一具梯形侧壁的发光二极管堆叠结构以及多个纳米柱自梯形侧壁向外延伸的规则排列的纳米柱所构成。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]半导体发光结构-CN201210262163.8有效
发明人：罗传煜 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光结构，包括一n型半导体层、一p型半导体层以及一有源层。有源层位于n型半导体层与p型半导体层之间，且有源层是由多数阱层以及多数势垒交错层叠而成为一多量子阱结构。靠近n型半导体层的此些阱层中至少包括一层第一厚度的第一阱层，且靠近p型半导体层的此些阱层中至少包括一层第二厚度的第二阱层，第一厚度大于第二厚度，使得有源层相对靠近n型半导体层的区域对电子的局限能力增加，以提高有源层的转换效率，且第一厚度与第二厚度之间具一厚度差△d1，且0nm＜△d1≦10nm。
半导体发光结构

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201210410261.1有效
发明人：余长治;唐修穆;林孟毅 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及其制造方法，发光二极管不包含P型氮化镓层。此发光二极管依序包含N型半导体层、多重量子井层、P型氮化铟镓(InGaN)层以及氧化铟锡层。氧化铟锡层的晶粒尺寸介于5埃至1000埃间。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]光源模块-CN201210408845.5在审
发明人：田运宜;蔡培崧;梁建钦 -专利权人： 隆达电子股份有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：一种光源模块包含一基板、一第一发光元件、一第二发光元件以及一第三发光元件。第一发光元件包括有一蓝色发光二极管芯片设置于基板上，且蓝色发光二极管芯片上并被一第一波长转换层覆盖，使得蓝色发光二极管芯片所发出的蓝光被转换成具第一波长的光线。第二发光元件包括有一蓝色发光二极管芯片设置于基板上，且蓝色发光二极管芯片上并被一第二波长转换层覆盖，使得蓝色发光二极管芯片所发出的蓝光被转换成具第二波长的光线。第三发光元件包括有一蓝色发光二极管芯片。
光源模块

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top