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[发明专利]半导体封装结构及用于制造半导体封装结构的方法-CN202310083015.8在审
发明人： 陈筱芸;黄启宏;黄耀聪;张正佶;张胜杰 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供半导体封装结构及用于制造半导体封装结构的方法，可在不损害芯片封装尺寸的情形下，增加3DIC芯片封装的电容密度。在一个实施例中，本发明提供的半导体封装结构包括：第一集成电路(IC)芯片，该第一IC芯片包括：基板，包括第一表面和与该第一表面相对的第二表面，第一有源器件，设置在该基板的该第一表面上，以及无源器件，设置在该基板的该第二表面上，其中该无源器件包括：多个沟槽，设置在该基板中并穿过该基板的该第二表面，第一导电层和第二导电层，设置在该多个沟槽中和该基板的该第二表面上，以及第一介电层，设置在该第一导电层与该第二导电层之间；和该半导体封装结构还包括：第二IC芯片，该第二IC芯片包括设置在该第一IC芯片上的第二有源器件。
半导体封装结构用于制造方法

[发明专利]半导体封装结构-CN202211295744.1在审
发明人： 陈筱芸;黄耀聪;张正佶 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体封装，包括：第一重分布层；第一半导体晶粒，设置在该第一重分布层上方并且包括具有第一宽度的第一通孔；第二通孔，与该第一半导体晶粒相邻，并且具有大于该第一宽度的第二宽度；模塑材料，围绕该第一半导体晶粒和该第二通孔；第二半导体晶粒，设置在该模塑材料上方，并电耦接到该第一通孔和该第二通孔；以及第二重分布层，设置在该第二半导体晶粒上方。本发明的半导体封装结构包括堆叠的多个半导体晶粒而不是一个大的半导体晶粒，可以降低制造成本和难度，并且可以提高良率和性能。此外，由于避免了热耦合，因此可以增强散热效率。
半导体封装结构

[发明专利]半导体封装组件-CN202210908601.7在审
发明人：陈泰宇;陈进来;陈筱芸;许文松;苏浩坤;何敦逸;杨柏俊;于达人;马伯豪 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体封装组件，包括：系统单芯片封装，包括：逻辑晶粒，具有焊盘；以及第一基板，通过该焊盘电连接到该逻辑晶粒；存储器封装，堆叠在该系统单芯片封装上，包括：第二基板，具有上表面和底表面；以及存储晶粒，安装在该第二基板的该上表面上并使用接合引线电连接到该第二基板；以及散热器，位于该系统单芯片封装和该存储器封装之间，其中该散热器与远离该焊盘的该逻辑晶粒的背表面接触。本发明采用套筒式的散热器将存储器封装的四周全部围绕，使得热量可以从存储器封装四周散发，大幅提高了散热的面积，从而大大提高了散热效率。
半导体封装组件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211428741.0在审
发明人：邵栋梁;萧义理;陈筱芸;董志航;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造器件的方法包括通过间隔件将第一半导体器件连接至第二半导体器件。第一半导体器件具有在第一半导体器件上设置的第一接触焊盘并且第二半导体器件具有在第二半导体器件上设置的第二接触焊盘。该方法包括在第一半导体器件的第一接触焊盘和第二半导体器件的第二接触焊盘之间形成浸没互连件。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于接合的多撞击工艺-CN201611124232.3有效
发明人：邵栋梁;董志航;施玟伶;陈筱芸;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：一种方法包括实施第一撞击工艺以使第一封装组件的金属凸块撞击第二封装组件的金属焊盘。金属凸块和金属焊盘的第一个包括铜。金属凸块和金属焊盘的第二个包括铝。该方法还包括实施第二撞击工艺以使金属凸块撞击金属焊盘。实施退火以使金属凸块接合在金属焊盘上。本发明实施例涉及封装及其形成方法以及用于接合的多撞击工艺。
用于接合撞击工艺

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710494979.6在审
发明人：邵栋梁;萧义理;陈筱芸;董志航;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造器件的方法包括通过间隔件将第一半导体器件连接至第二半导体器件。第一半导体器件具有在第一半导体器件上设置的第一接触焊盘并且第二半导体器件具有在第二半导体器件上设置的第二接触焊盘。该方法包括在第一半导体器件的第一接触焊盘和第二半导体器件的第二接触焊盘之间形成浸没互连件。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法