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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]隔离区中的霍尔效应传感器的构造-CN201610965444.8有效
发明人：凯特·瑞安·格伦;拉伊尼·J·阿加尔瓦;阿吉特·夏尔马 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/118 文献下载
摘要：本申请案涉及一种隔离区中的霍尔效应传感器的构造。CMOS集成电路(100)包含具有形成于第一隔离层(120)中的霍尔板(118)的霍尔传感器(106)，所述第一隔离层(120)与MOS晶体管(108)下方的第二隔离层(136)同时形成。具有与所述第一隔离层(120)相反的导电类型的第一浅阱(124)形成于所述霍尔板(118)上方且延伸到所述霍尔板(118)。所述第一浅阱(124)与所述MOS晶体管(108)下方的第二浅阱(134)同时形成。所述霍尔传感器(106)可为用于感测垂直于所述集成电路(100)的衬底(102)的顶部表面(112)而定向的磁场的水平霍尔传感器，或可为用于感测平行于所述集成电路(100)的所述衬底(102)的所述顶部表面(112)而定向的磁场的垂直霍尔传感器。
隔离中的霍尔效应传感器构造

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