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[发明专利]一种DCB基板上铜箔圆角台阶的加工成型方法-CN202310662101.4在审
发明人：童辉;吴承侃;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种DCB基板上铜箔圆角台阶的加工成型方法，对圆角矩形状铜箔的边缘进行刻蚀；首先，在覆铜陶瓷基板的铜箔上方覆盖干膜，干膜上开设有两圈内外设置的孔洞组；两圈孔洞组分别为位于内侧的内孔组以及位于外侧的外孔组；内孔组以及外孔组均包括以邻近的铜箔圆角的圆心为中心周向等间隔角度排布的边缘方孔；内孔组以及外孔组均包括对接边缘方孔且呈直线状排列的对接方孔；其次，在干膜上方喷射腐蚀液，进行刻蚀。本发明通过优化了台阶的形成方法，将DCB基板上铜箔圆角蚀刻成台阶圆角，圆角处可靠性可以提高5倍以上。
一种 dcb 基板上铜箔台阶加工成型方法

[发明专利]一种用于测试DCB覆铜陶瓷基板压膜均匀性的方法-CN202310612911.9在审
发明人：赵天宇;徐节召;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01N19/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于测试DCB覆铜陶瓷基板压膜均匀性的方法，具体步骤如下：先压一段空膜，树脂膜在结合后降速为0停留25‑35S，在热压轮上受压、受热，形成压痕区；通过测量以及观察压痕区的压痕来判定压膜是否均匀，从而保证覆铜陶瓷基板半成品铜面与膜良好结合附着。在正式生产之前，先进行空膜贴膜均匀性检测，检测合格后再进行贴附生产，保证树脂膜与铜表面压膜均匀，减少膜层间气泡、皱膜、膜脱落不良引起的贴附产品糊板、图形不全等不良，提高生产良率。
一种用于测试 dcb 陶瓷基板压膜均匀方法

[发明专利]一种氮化铝陶瓷上下表面同时蒸镀的装置及其蒸镀方法-CN202310568198.2在审
发明人：祝林;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷上下表面同时蒸镀的装置及其蒸镀方法。一种氮化铝陶瓷上下表面同时蒸镀的装置，包括一用于摆放氮化铝陶瓷的框架；框架的顶部为用于摆放已氧化铜片的上摆放位；框架的底部为用于摆放已氧化铜片的下摆放位；框架中央设置有上下设置的上方孔以及下方孔，上方孔的外边缘的垂直投影位于下方孔的外边缘的垂直投影的外围；上方孔为用于摆放氮化铝陶瓷的陶瓷摆放位。本发明氮化铝陶瓷在装置中间，两片铜片分别在底部和顶部，实现氮化铝陶瓷上下两个表面同时蒸镀，生产效率高，成本低。
一种氮化陶瓷上下表面同时装置及其方法

[发明专利]一种改善薄型瓷片的DCB基板烧结气泡不良的方法-CN202310253500.5在审
发明人：孙见;杜涛;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种改善薄型瓷片的DCB基板烧结气泡不良的方法，包括如下步骤：步骤一，在垫板的左右两侧的上方黏贴两条相互平行的瓷条，组成烧结治具；垫板的前后两端均开设有缺口；步骤二，将烧结治具摆放在传送带上，且烧结治具的垫板接触传送带；步骤三，将待烧结的瓷片以及铜箔先后依次摆放在烧结治具上，瓷片的厚度小于0.38mm；步骤四，进行烧结。本发明将垫板设计成前后两端开口的形状，使瓷片仅在中间与垫板接触，而在长度方向两端仅边缘处接触，通过减少接触面积来减少垫板对DCB基板烧结影响，使薄瓷片变形处于一种自然变形状态，氧化亚铜共晶液流淌均匀，从而减少烧结气泡不良。
一种改善瓷片 dcb 烧结气泡不良方法

[发明专利]一种用于覆铜陶瓷基板成品的油墨开窗方法-CN202211724280.1在审
发明人：邹旭阳;徐节召;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于覆铜陶瓷基板成品的油墨开窗方法，在前制程完成后，进行图形印刷时，先进行油墨阻焊，然后将大致阻焊区域进行印刷烘烤，再用激光雕刻方法进行开窗及表面处理，解决了小尺寸油墨开窗及产品小批量生产成本高的问题。前制程完成后，进行图形印刷时，先进行油墨阻焊，然后将大致阻焊区域进行印刷烘烤，再用激光雕刻方法进行开窗及表面处理。本发明完全摒弃了使用丝网印刷时，防焊图形边缘会形成锯齿状油墨以及难以在凹凸不平表面进行印制的缺陷，且开窗精度高，解决了小尺寸油墨开窗及产品小批量生产成本高的问题。
一种用于陶瓷成品油墨开窗方法

[发明专利]一种改善DCB基板烧结时翘曲不良的方法-CN202211555613.2在审
发明人：孙见;贺贤汉;阳强俊;祝林;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种改善DCB基板烧结时翘曲不良的方法，包括如下步骤：步骤一，回字形垫板的上侧粘接两条相互平行的瓷条，组成烧结治具；步骤二，将所述烧结治具摆放在所述传送带上，且所述烧结治具的回字形垫板接触所述传送带；步骤三，将待烧结的陶瓷片以及铜箔先后依次摆放在所述烧结治具的瓷条上；步骤四，进行烧结。本发明可达到烧结完成后DCB基板的翘曲方向和大小一致，提高了产品烧结良率，垫板放置简单，操作容易，同时无需再放置小瓷片，就可防止传送带污染产品表面，提高了生产效率。
一种改善 dcb 烧结时翘曲不良方法

[发明专利]一种DCB基板双层同时烧结的方法-CN202211389733.X在审
发明人：祝林;贺贤汉;杜涛;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： F27B21/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种DCB基板双层同时烧结的方法，包括如下步骤：步骤一，将一层待烧结的陶瓷板以及铜箔两者先后依次放置在烧结治具的凹形摆放槽内；步骤二，烧结治具的上端摆放有盖板，将另一层待烧结的陶瓷板以及铜箔两者先后依次放置在盖板上方；步骤三，进行烧结。本发明实现DCB基板铜箔和陶瓷板的烧结由单层变为上下双层同时烧结，提高了烧结炉烧结产能及生产效率，同时提高了烧结良率。
一种 dcb 双层同时烧结方法

[发明专利]一种改善陶瓷覆铜载板高温烧结后外观不良的方法-CN202110671462.6有效
发明人：李辛未;贺贤汉;蔡俊;李炎;阳强俊;马敬伟 -专利权人：江苏富乐华半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及改善陶瓷覆铜载板高温烧结后外观不良的方法，包括：A、微蚀，采用硫酸与过硫酸钠混合液对陶瓷覆铜载板进行微蚀并进行溢流水洗，硫酸的浓度为18.4～36.8g/L，过硫酸钠的浓度为20～40g/L；B、喷砂，采用Al2O3质量百分比为10～20％的金刚砂悬浊液作为喷砂液，上下喷淋，喷砂角度为90°，喷砂压力为2kg/cm2，喷砂距离为8～12mm，铜基体经过喷砂处理后平均厚度减少0.5‑0.8μm；C、水洗烘干，依次采用回收水洗、溢流水洗、加压水洗、超声波浸洗、HF水洗、摇摆高压水洗、加压水洗、DI水洗、干板组合进行水洗和烘干，冷却后取出；D、烧结再结晶，将步骤C处理后得到的产品置于烧结炉内，并通入氮气和空气混合气，控制炉内氧分压在8～15ppm，在1075～1083℃条件下烧结，使铜片表面再结晶。
一种改善陶瓷覆铜载板高温烧结外观不良方法

[发明专利]一种陶瓷覆铜基板在化学沉银时铜侧壁不上银的方法-CN202110805886.7有效
发明人：徐节召;贺贤汉;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H05K3/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种陶瓷覆铜基板在化学沉银时铜侧壁不上银的方法，陶瓷覆铜基板包括上下设置的铜层以及陶瓷层，铜层上开设有间隙，包括如下步骤:步骤一，丝网印刷油墨层，油墨层包括填充在间隙内的间隙填充层，油墨层还包括覆盖在间隙填充层以及铜层上方的上油墨层；步骤二，预烤；将油墨层烤干，实现油墨层不粘曝光底片；步骤三，采用曝光底片进行一次曝光；曝光底片上设有遮光区域，遮光区域的边缘对间隙的外边缘进行遮挡；步骤四，显影出图形；步骤五，二次曝光，将油墨固化；一次曝光的能量强度低于二次曝光的能量强度。本发明处理后，防止铜侧壁在化银时上银，同时避免了间隙处的油墨在化银时/去膜时溢出污染银面和生产线。
一种陶瓷覆铜基板化学沉银时铜侧壁不上银方法

[发明专利]一种厚铜箔的预氧化处理方法-CN202110543746.7有效
发明人：祝林;贺贤汉;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C23C8/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种厚铜箔的预氧化处理方法，铜箔以设置150mm/min～170mm/min之间的速度依次途径预氧化了的三个升温区、四个恒温区以及降温区；三个升温区依次为温度设置在595℃～610℃之间的第一升温区、温度设置在675℃～690℃之间的第二升温区以及温度设置在745℃～760℃之间的第三升温区；四个恒温区的温度设置在790℃～810℃之间。本专利通过上述预氧化参数设置组合，可使厚铜箔经预氧化工艺处理后，使表面充分氧化，从而达到厚铜箔烧结时避免出现大量烧结气泡不良及铜箔无法烧结现象的目的，实现大于0.40mm厚铜箔DBC基板的生产。
一种铜箔氧化处理方法

[发明专利]一种DBC基板上铜箔台阶的制作方法-CN202011520067.X有效
发明人：陈天华;贺贤汉;王斌;戴洪兴;周轶靓;阳强俊 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种DBC基板上铜箔台阶的制作方法，步骤一、在铜箔图形的菲林图纸上需制作台阶的铜箔区域设计密集小方孔；步骤二、将设计有密集小方孔的铜箔图形与铜箔其他图形一起蚀刻，使得密集小方孔下的铜箔区域被蚀刻变成平面形成铜箔台阶平面；铜箔其他图形也同时被一次性蚀刻成型；通过在铜箔图形的菲林图纸上需制作台阶的铜箔区域设计密集小方孔，在同铜箔其他图形一起正常蚀刻后，这些小方孔就可形成台阶，解决了DBC基板焊接芯片区域制成台阶式需通过二次腐蚀的问题，达到提高生产效率、降低成本，同时提高产品良率的目的。
一种 dbc 基板上铜箔台阶制作方法

[发明专利]覆铜陶瓷基板双面同时烧结方法-CN202210207242.2在审
发明人：杜涛;贺贤汉;祝林;阳强俊 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供覆铜陶瓷基板双面同时烧结方法，先将基体垫片放置于烧结炉网带上，而后放置发泡陶瓷垫板，该发泡陶瓷不与铜和铜的氧化物反应；而后依次将铜片、瓷片、铜片叠放在发泡陶瓷垫板上进行烧结，烧结完毕后，将双面覆铜陶瓷基板取下。本发明利用发泡陶瓷作为烧结垫板材料，其在键合温度区间不与铜片反应，解决烧结垫片与铜片粘连、残留烧结印记的问题。与实心陶瓷垫板材料相比，发泡陶瓷导热系数低，一定程度上抑制了下层铜片晶粒偏大的情况。此外，发泡陶瓷与铜片实际接触面积大大减小，有效降低垫板材料对铜片的损伤。且发泡陶瓷热震性好，可循环使用，此外操作简单，对产品无污染，可提高DCB生产效率与生产质量。
陶瓷双面同时烧结方法

[实用新型]一种用于DCB基板掰倒角时的治具-CN202121881166.0有效
发明人：邹旭阳;贺贤汉;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域。一种用于DCB基板掰倒角时的治具，包括透明材质的治具板；治具板的侧壁上开设有用于横向插入DCB基板的角部的插口，插口的横截面面积呈三角形；插口的顶部内壁设有一台阶，插口的底部用于接触DCB基板的底面，台阶的下表面用于接触DCB基板待掰倒角区域；台阶的边缘与DCB基板待掰倒角区域的切割线平行，且台阶的边缘与治具板开设有插口侧的边缘平行，且台阶的边缘的截面呈圆弧状。本专利通过优化治具，便于实现对DCB基板倒角的掰断。在掰倒角时把产品边角插入插口内，而插口内部有一台阶，使之在掰边时作用力平行于需掰断的切割线，解决了掰倒角时出现的掰角破损不良及生产效率低的问题。
一种用于 dcb 基板掰倒角

[发明专利]DBC覆铜陶瓷基板上圆形半腐蚀沉孔的设计方法-CN202111119413.8在审
发明人：陈天华;贺贤汉;周轶靓;徐节召;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种DBC覆铜陶瓷基板上圆形半腐蚀沉孔的设计方法，包括：A、菲林图形设计：包括位于中心的圆形非曝光圈以及环形设置在该圆形非曝光圈外的多个环形圈。每个环形圈由交替设置的扇形非曝光区域和扇形曝光区域组成；外层环形圈中的扇形非曝光区域的中心位于内层环形圈中扇形非曝光区域侧边延长线上；环形圈与圆形非曝光圈之间，相邻两个环形圈之间的区域为曝光区域；B、沉孔加工：图形设计完毕后，先进行显影去除曝光区域，而后蚀刻去除非曝光区域，得到圆形半腐蚀沉孔。根据本发明方法制成的沉孔弧面光滑，与底部垂直，且尺寸精确，满足了后道封装时焊接要求。
dbc 陶瓷基板上圆形腐蚀设计方法

[发明专利]提高烧结炉传送带表面氧化层可靠性的方法-CN202110923667.9在审
发明人：祝林;贺贤汉;阳强俊;戴洪兴 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： F27D7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高烧结炉传送带表面氧化层可靠性的方法，包括：第一氧化处理段，将高温烧结炉的温度设置在990℃～1010℃，通入氮气，将传送带进行循环空运转，并在每次运转时确保在炉内保持停留时间；传送带循环空运转时间为1～2天；第二氧化处理段，将高温烧结炉的温度调整至1065℃～1075℃，通入氮气，将经步骤1处理后的传送带再次进行循环空运转，并在每次运转时确保炉内停留时间；传送带持续进行空运转的时间为4～5天。通过本发明的两段式氧化处理，将传送带氧化时间从需12～15天左右缩短到5～7天左右，降低氧化处理时间，提高了烧结炉的产能及生产效率。与此同时，也降低了炉膛的清理频率，从原来的60天，提高至180天以上，提高了产品的烧结良率。
提高烧结炉传送带表面氧化可靠性方法

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