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[发明专利]内连线结构、内连线布局结构及其制作方法-CN202110178192.5有效
发明人： 陈东郁;林佳芳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开一种内连线结构、内连线布局结构及其制作方法。该内连线结构包括基底，该基底上设置有绝缘材料。多条导线设置在该基底上并且被该绝缘材料覆盖，其中在一顶视图中，该多条导线沿着第一方向纵长地延伸并沿着第二方向平行排列，该第一方向与该第二方向互相垂直。多个气隙设置在该多条导线之间的该绝缘材料中，并且以端点对端点的方式沿着该第一方向排列。图案化硬掩模设置在部分该多条导线上，其中于该顶视图中，该图案化硬掩模沿着该第二方向延伸跨过该多条导线，并且不重叠该多个气隙。至少一插塞结构设置在该图案化硬掩模与该多条导线的重叠区域上，其中该插塞结构穿过该图案化硬掩模以电连接至该多条导线的其中一者。
连线结构布局及其制作方法

[发明专利]半导体存储元件-CN201710275226.6有效
发明人：陈建宏;庄孟屏;陈东郁;郭有策 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体存储元件，包含一存储列，多个存储单元，一第一P型阱区，一第二P型阱区，以及一N型阱区，该N型阱区位于该第一P型阱区以及该第二P型阱区之间。该半导体存储元件定义有多个第一区域以及多个第二区域，每一个第一区域以及每一个第二区域内都包含有一个该存储单元，各该第二区域内还包含有至少两个第一电压提供接触件，以及至少一第二电压提供接触件，其中该第一电压提供接触件以及该第二电压提供接触件并不位于各该第一区域内。
半导体存储元件

[发明专利]内连线结构、内连线布局结构及其制作方法-CN201610004548.2有效
发明人： 陈东郁;林佳芳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种内连线结构、内连线布局结构及其制作方法，该具有气隙的内连线布局结构包含有多个沿一方向延伸的气隙，以及设置于该多个气隙之间的至少一第一内连线单元。该第一内连线单元包含有一第一导线、一设置于该第一导线上的第一接着标记、以及一设置于该第一接着标记上且穿透该第一接着标记而电连接至该第一导线的第一插塞结构。该第一接着标记实体分离沿一直线排列的该多个气隙。
连线结构布局及其制作方法

[外观设计]文胸（929#）-CN201930676888.4有效
发明人： 陈东郁 -专利权人： 陈东郁
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： 02-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：文胸（929#）。2.本外观设计产品的用途：用于笼罩、保护女性乳房。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状及图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.无设计要点，省略左视图，右视图，俯视图，仰视图。
文胸 929

[外观设计]文胸（928#）-CN201930439299.4有效
发明人： 陈东郁 -专利权人： 陈东郁
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： 02-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：文胸（928#）。;2.本外观设计产品的用途：用于笼罩、保护女性乳房。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。;4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。;5.本外观设计产品为薄型产品，省略左视图，右视图，俯视图，仰视图。
文胸（928#）

[外观设计]文胸（187#）-CN201930213752.X有效
发明人： 陈东郁 -专利权人： 陈东郁
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： 02-01 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：文胸（187#）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于文胸。3．本外观设计产品的设计要点：产品的形状及图案的结合。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
外观设计图案图片

[外观设计]文胸（718#）-CN201930213751.5有效
发明人： 陈东郁 -专利权人： 陈东郁
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： 02-01 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：文胸（718#）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于文胸。3．本外观设计产品的设计要点：产品的形状及图案。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
外观设计图案图片

[发明专利]抑制谐波效应半导体结构及形成抑制谐波效应结构的方法-CN201310270870.6有效
发明人： 陈东郁;杨国裕 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种可抑制谐波效应的半导体结构及形成可抑制谐波效应的结构的方法。半导体结构包括半导体基板、装置、深沟槽、硅层及介电层。半导体基板包括半导体基板基底、埋入式介电层、表面半导体层及位于表面半导体层内的浅沟隔离层。装置设置于表面半导体层上。深沟槽邻近于装置并延伸通过浅沟隔离层及埋入式介电层而至半导体基板基底中。硅层设置于深沟槽下部中。硅层高度为与半导体基板基底顶表面高度相同或较低。介电层设于深沟槽中的硅层上。本发明形成可抑制谐波效应结构的方法，可于层间介电层形成前或后对半导体基板进行蚀刻，以形成如上述深沟槽，再于深沟槽中形成硅层。可利用硅层吸引住或攫获载流子或电荷，减缓寄生表面电荷，抑制谐波效应。
抑制谐波效应半导体结构形成方法

[发明专利]鳍状场效晶体管结构及其制作方法-CN201210019069.X有效
发明人： 陈东郁;王志荣 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种鳍状场效晶体管结构及其制作方法。鳍式场效晶体管结构包含基底、鳍状结构、绝缘层与栅极结构。绝缘层覆盖基底以及部分围绕鳍状结构的侧面形成一L型绝缘层，其中该L型绝缘层与鳍状结构有蚀刻选择比。栅极结构部分包围鳍式结构，通过L型绝缘层，可以控制鳍状场效晶体管的通道宽度。
鳍状场效晶体管结构及其制作方法

[发明专利]在基板中形成沟槽的方法-CN201210093060.3在审
发明人： 陈东郁;王志荣 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明公开一种在基板中形成沟槽的方法。其首先在一基板上形成一第一图案化掩模层，第一图案化掩模层具有一第一沟槽。接着在基板上全面形成一物质层，物质层共形地沿着该第一沟槽形成。然后在物质层上形成一第二图案化掩模层，以填满第一沟槽。接着移除部分的物质层，而保留位于第二图案化掩模层与基板之间的物质层，以形成一第二沟槽。最后，以第一图案化掩模层以及第二图案化掩模层为掩模进行一蚀刻制作工艺。
基板中形成沟槽方法

[发明专利]半导体结构及其制法-CN201110230893.5有效
发明人： 陈东郁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制法，该半导体结构包括基板、第一物质层以及第二物质层。基板上定义有沟槽区域，沟槽区域具有两个不相邻的第一区域，以及具有位于两个第一区域之间且与两个第一区域相邻的第二区域。第一物质层设置于基板的沟槽区域以外的区域。第二物质层设置于该第二区域中，第二物质层与第一物质层齐高。
半导体结构及其制法

[发明专利]限定多晶硅图案的方法-CN200510079423.8有效
发明人：周珮玉;陈东郁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-06-21 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种限定多晶硅图案的方法，其方法包括于一基底上形成一多晶硅层，以及于多晶硅层上形成一图案化的屏蔽层，接着进行一第一蚀刻工艺，蚀刻未被屏蔽层覆盖的部分多晶硅层，以于多晶硅层表面形成多个凹洞，然后进行一剥除工艺，使用不含氧(O₂)的气体剥除屏蔽层，最后进行一第二蚀刻工艺，继续蚀刻部分的多晶硅层，以使多个凹洞通达至基底表面。
限定多晶图案方法

[发明专利]在低介电常数材料层中形成开口的方法-CN02141023.2有效
发明人：王志荣;陈东郁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-07-11 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种在低介电常数材料层中形成开口的方法。依序在具有金属线的基底上形成盖层、第一介电层、蚀刻阻挡层、第二介电层、CMP阻挡层、金属硬罩幕层、硬罩幕层、以及BARC层，在定义硬罩幕层以及金属硬罩幕层以形成一第一开口以后，在硬罩幕层上形成一种液态充填材料层并填满第一开口，用一层定义过的光阻层作为罩幕定义充填材料层以及低介电常数介电层，以得到一个第二开口，将光阻层随着充填材料一并移除以后，利用金属硬罩幕层以及硬罩幕层作为罩幕，盖层为蚀刻阻挡层，以形成一个镶嵌开口。
介电常数材料形成开口方法

[发明专利]形成开口于一高分子型介电层中的方法及其结构-CN01121173.3有效
发明人：陈学忠;陈东郁;刘志建;林庆福 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2001-06-11 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：一种形成一开口于一高分子型介电层中的方法。此方法包括提供一基底，此基底上已形成有一导电结构层，一高分子型介电层。进行一热制造工艺以均匀硬化此高分子型介电层。形成一掩模层于基底上。定义掩模层及高分子型介电层以形成一开口，其中开口暴露出此高分子型介电层的一表面。进行一局部硬化制造工艺，将高分子型介电层被开口暴露的表面局部硬化。其中局部硬化制造工艺，包括利高能量光，电子束或离子束的照射源，进行局部硬化。
形成开口高分子型介电层中的方法及其结构

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