专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种场效应晶体管及其制备方法和应用-CN202010284282.8有效
  • 郭北斗;宫建茹 - 国家纳米科学中心
  • 2020-04-13 - 2023-09-29 - H01L29/786
  • 本发明提供一种场效应晶体管及其制备方法和应用,所述场效应晶体管包括绝缘衬底,以及设置于所述绝缘衬底的绝缘层上的二维纳米材料层,所述二维纳米材料层上设置有源电极和漏电极,所述源电极和漏电极之间的导电沟道的宽度为0.5~10nm。所述场效应晶体管通过对源电极和漏电极之间导电沟道的控制,可有效改善场效应晶体管的性能和功耗。所述场效应晶体管的导电沟道通过电反馈法制备得到,所述电反馈法实现了导电沟道尺寸的精确可控,使导电沟道尺寸可低至3nm以下,能够满足硅基集成电路技术的小尺寸和高性能的需求。
  • 一种场效应晶体管及其制备方法应用
  • [发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN202210313772.5在审
  • 万红凤;宫建茹;郭北斗 - 国家纳米科学中心
  • 2022-03-28 - 2022-07-05 - H01L31/032
  • 本发明涉及一种光电探测器及其制备方法,所述光电探测器包括第一衬底层,以及在所述第一衬底层的绝缘层一侧自下而上依次设置的第二衬底层、光敏层、保护层以及电极间隙为0.5~20nm的源极和漏极。本发明构造的超短电极间隙能减小电子‑空穴对的复合,有效缩短载流子的渡越和扩散时间,从而提高器件响应速度和探测精确度,实现器件对微弱光的探测;同时,在第二衬底层中铁电材料的配合下,能有效调控载流子的输运状况,使得器件在背栅电压和源漏电压不变时,实现不同波长光的探测,且不影响器件的光吸收效率又能有效降低功耗,而在没有栅压时也能有效降低暗电流,使所述光电探测器的性能进一步提升。
  • 一种光电探测器及其制备方法
  • [发明专利]一种固溶体纳米线及其制备方法和用途-CN201910062837.1有效
  • 萨德·阿拉·简;郭北斗;宫建茹 - 国家纳米科学中心
  • 2019-01-23 - 2021-04-09 - C23C16/30
  • 本发明提供了一种固溶体纳米线及其制备方法和用途。本发明提供的固溶体纳米线为InP‑ZnSe固溶体纳米线。所述制备方法包括:(1)在衬底上覆盖催化剂,并对覆盖催化剂的衬底进行退火,得到退火衬底;(2)将InP和ZnSe的混合物置于一端封口一端开口的石英管的一侧,将退火衬底置于所述石英管的另一侧,将所述石英管置于反应炉中,抽真空后通入保护性气体,在加热条件下进行化学气相沉积反应,得到所述固溶体纳米线;其中,InP和ZnSe的混合物的温度高于退火衬底的温度。本发明提供的固溶体纳米线尺寸均匀,结晶度良好,迁移率高,带隙大小可调,可用于器件中,减少稀有金属In的使用量。
  • 一种固溶体纳米及其制备方法用途
  • [发明专利]一种二硫化钼电催化产氢电极及其制备方法和用途-CN201810018879.0有效
  • 魏玉轩;郭北斗;宫建茹 - 国家纳米科学中心
  • 2018-01-09 - 2020-03-10 - C25B11/06
  • 本发明涉及一种二硫化钼电催化产氢电极及其制备方法和用途,所述二硫化钼电催化产氢电极包括电极基底和负载在所述电极基底表面的二硫化钼纳米片阵列,所述二硫化钼纳米片阵列掺杂有Ni(II)和Co(II);所述二硫化钼纳米片阵列包括垂直于所述电极基底表面的一级纳米片和垂直于所述一级纳米片的二级纳米片。本发明二硫化钼电催化产氢电极具有多级次纳米片阵列结构,具有较大的电化学活性表面积,大幅提高二硫化钼的催化活性,表现出优异的产氢性能;且采用水热法在电极基底上沉积层状双金属氢氧化物,然后以其为牺牲模板,水热反应得到具有多级次结构的二硫化钼,同时实现了元素掺杂和结构优化,便于操作。
  • 一种二硫化钼电催化电极及其制备方法用途

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