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[发明专利]采用析释提纯技术的太阳能级高纯硅的制备方法-CN200910306736.0无效
发明人： 郑智雄;张伟娜;林霞;戴文伟;胡满根;马殿军;赵志跃;南毅;王文静 -专利权人：南安市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2009-09-08 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了采用析释提纯技术的太阳能级高纯硅的制备方法，该方法采用中频感应炉，按一定质量比加入硅和铝，高温熔炼搅拌均匀，得到硅铝混合熔液，熔融状态的铝对硅中杂质具有较强吸附作用，通入氧气，使铝及杂质氧化成渣，分离后定向凝固，达到提纯硅的目的，多次氧化造渣和定向凝固后提纯效果更加明显。
采用提纯技术太阳能级高纯制备方法

[发明专利]一种减少单晶棒内应力的方法和装置-CN200910111786.3无效
发明人： 郑智雄;南毅;张伟娜;汪健;林霞;胡满根 -专利权人：南安市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少单晶棒内应力的方法和装置。该方法包括将温度为200～300℃的单晶棒从炉室中取出后，立即装入一种保温装置，该单晶棒置于该保温装置中自然冷却至室温。该装置包括一个圆筒体及一手车，所述的圆筒体内表面具一保温层。依靠本发明装置的保温效果，通过热时效就可以很好的去除单晶棒的残余内应力，从而减少切片时碎片造成的损失。
一种减少单晶棒内应力方法装置

[发明专利]一种低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法-CN200910309461.6无效
发明人： 郑智雄;张伟娜;戴文伟;林霞;黄惠东 -专利权人：南安市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，特别是指一种低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法，将纯度为4N～5.5N的硅片进行清洗和表面织构化处理，使硅片表面形成金字塔结构绒面，并采用等离子增强化学气相沉积镀膜厚为0.1-10μm的本征硅膜，然后进行高温晶化，晶化后的硅片进行清洗，清洗后的硅片再经过晶体硅太阳能电池的常规工艺进行处理，制成低纯度单晶硅太阳能电池，克服了4N～5.5N的硅片采用普通晶体硅太阳能电池的制造方法制造的电池漏电流过大而无法使用的缺点，使得冶金法制得的4N～5.5N的硅片可用于制造太阳能电池。
一种纯度单晶硅太阳能电池制造方法

[发明专利]低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法-CN200910309453.1无效
发明人： 郑智雄;张伟娜;戴文伟;林霞;黄惠东 -专利权人：南安市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及晶体硅太阳能电池领域，特别是指低纯度单晶硅太阳能电池的制造方法，将纯度为4N～5.5N的硅片首先进行高温煅烧，然后进行清洗和表面织构化处理，使硅片表面形成金字塔结构绒面，并采用等离子体增强化学气相沉积镀膜厚为0.1-10μm的本征硅膜，再经过晶体硅太阳能电池的常规工艺进行处理，制成低纯度单晶硅太阳能电池，克服了4N～5.5N的硅片采用普通晶体硅太阳能电池的制造方法制造的电池漏电流过大而无法使用的缺点，使得冶金法制得的4N～5.5N的硅片可用于制造太阳能电池。
纯度单晶硅太阳能电池制造方法

[发明专利]一种延长单晶炉真空泵寿命的装置-CN200910111784.4无效
发明人：马殿军;南毅;张伟娜;郑智雄;林霞;胡满根 -专利权人：南安市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种延长单晶炉真空泵寿命的装置。该装置包括一过滤器腔体，一位于腔体顶部的过滤器盖，一位于过滤器中央的进气管道，一位于过滤器腔体侧面的排气管道，其特征在于：所述的过滤器腔体内底部有一有机硅油层，有机硅油层上方有一滤网，所述的进气管道出口位于所述的有机硅油层与滤网之间。当气流携带各种杂质从炉室离开进入真空泵之前，先经油过滤器将杂质过滤，就不会危害到真空泵油，也就相应提高了真空泵的使用寿命。
一种延长单晶炉真空泵寿命装置

[发明专利]一种单晶炉热场的排气方法和装置-CN200910111785.9无效
发明人：南毅;张伟娜;郑智雄;林霞;胡满根 -专利权人：南安市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶炉热场的排气方法和装置，其在单晶炉热场的上保温罩开上排气口，使气流由上排气口流出，经过保温罩与炉壁之间的间隙进入抽气管道，由真空泵抽离；本发明装置包括炉壁、石墨坩埚、石英坩埚、加热器、保温罩、导流筒，其特征在于：保温罩包括上保温罩、主保温罩及下保温罩，上保温罩上开设有上排气口，所述的炉壁和保温罩之间留有间隙。本发明热场中的排气气流通道，由于不经过底部加热器，故不会造成热量的无意义损耗，较原有下排气热场更加节能，同时提高生产效率。
一种单晶炉热场排气方法装置

[发明专利]一种延长单晶炉真空泵寿命的方法-CN200910111783.X无效
发明人：南毅;马殿军;张伟娜;郑智雄;林霞;胡满根 -专利权人：南安市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种延长单晶炉真空泵寿命的方法。本发明的方法是在真空泵和炉室之间的真空抽气管道上安置一个油过滤器，过滤掉气流从炉室中携带出的各种杂质。当气流携带各种杂质从炉室离开进入真空泵之前，先经油过滤器将杂质过滤，就不会危害到真空泵油，也就相应提高了真空泵的使用寿命。
一种延长单晶炉真空泵寿命方法

[发明专利]本征隔离结构太阳能电池及其制造方法-CN200910306215.5无效
发明人：闻震利;王文静;洪紫州;郑智雄 -专利权人：南安市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2009-08-27 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池，特别是指本征隔离结构太阳能电池及其制造方法，它依次包括铝背场/P型晶体硅衬底/本征硅薄膜/N型铜铟镓硫或铜铟镓硒薄膜/透明导电薄膜/银栅线。和现有技术相比，本发明在本征隔离结构太阳能电池中采用铜铟镓硫或铜铟镓硒作为窗口层，通过调节其镓含量可以调节带隙宽度，并且可以调节晶格常数使其与晶体硅达到较好的晶格匹配，从而提高电池效率。
隔离结构太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种减少多晶硅铸锭应力的方法和装置-CN200910112125.2无效
发明人： 郑智雄;张伟娜;赵志跃;程香;汪健;南毅;林禹 -专利权人：南安市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少多晶硅铸锭应力的方法和装置，该方法包括将多晶硅铸锭从炉室中取出后，立即放置于一个与多晶硅锭形状匹配的保温装置内，自然放置3天～30天后取出；取出后立即去除边皮，并破成标准方锭保存。该装置包括一保温罩及一手车，所述的保温罩为六面体结构。使用本发明的方法和装置，使多晶硅铸锭均匀冷却，则其几乎不会产生热应力；冷却后取出多晶硅锭，并立即将杂质较为集中的边皮去掉，则减少了杂质导致的应力集中，避免杂质存在时导致的顶部开裂。
一种减少多晶铸锭应力方法装置

[发明专利]一种低纯度硅制备单晶棒的方法-CN200910112105.5无效
发明人：南毅;郑智雄;张伟娜;林霞 -专利权人：南安市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种低纯度硅制备单晶棒的方法，涉及单晶硅的制备领域。本发明的方法包括加料，抽真空，熔化，仔晶浸入，细颈，放肩，等径，冷却，取晶步骤，其特征在于：在等径过程中，在等径体长度为1～500mm时，其平均拉径速度为0.95～1.25mm/min，其上限速度为1.6mm/min，下限速度为0.30mm/min，增加热场-1.0～3.0℃；在等径体长度为600～2300mm时，其上限速度为1.30mm/min，下限速度为0.30mm/min，增加热场5～120℃。本发明整个工艺及设备提供的动态热场的纵向温度梯度较大，成晶界面较宽，使之能克服材料本身的缺陷，提高引晶成功率及单晶的有效长度，达到95％以上的成晶率。
一种纯度制备单晶棒方法

[发明专利]一种减少多晶硅铸锭应力的方法-CN200910112123.3无效
发明人： 郑智雄;张伟娜;赵志跃;程香;汪健;南毅;林禹 -专利权人：南安市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少多晶硅铸锭应力的方法。本发明是将多晶硅锭放置于超声振荡清洗机中，同时放入100℃的水，开加热器，使水保持沸腾状态，开启超声波清洗机，使其保持高频振荡状态，逐渐冷却后将硅锭取出。取出后，立即将硅锭去边皮后破成小方锭，空气中储存。采用本发明方法可大大减少多晶硅铸锭应力。
一种减少多晶铸锭应力方法

[发明专利]一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉-CN200910304181.6无效
发明人： 郑智雄;马殿军;张伟娜;南毅;王致绪;徐诗双;洪朝海;程香 -专利权人：南安市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种微正压状态下生长多晶硅锭的方法和铸锭炉。该方法采用先抽真空，再充氩气至正压状态的气压模式熔炼多晶硅；该铸锭炉设置一个超压自动放气阀及防爆阀。采用微正压下生长多晶硅锭，可减少氩气用量，并可防止气体倒流，更加安全，同时可防止多晶硅铸锭氧化。
一种正压状态生长多晶方法铸锭

[发明专利]一种多晶硅铸锭炉保温系统-CN200910304187.3无效
发明人：马殿军;郑智雄;张伟娜;南毅;王致绪;徐诗双;洪朝海;程香 -专利权人：南安市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅铸锭炉的保温系统，其包括炉体，炉体内绕炉体四周设一金属框架，在金属框架侧壁内还设有侧壁莫来石纤维板，金属框架顶部设有顶部莫来石纤维板，坩埚下方的石墨板底部设有底部莫来石纤维板，位于石墨板底部、位于金属框架侧壁内及位于金属框架顶部的各莫来石纤维板共同组成一封闭空间，在所述的侧壁莫来石纤维板靠炉体中心的内侧还设有一层刚玉莫来石承烧板。本发明的保温系统可在多晶硅熔炼铸锭过程中减少电能消耗，在铸造大型硅锭时，减少硅锭的热应力，提高切片成品率，尤其适用于生产450kg以上重量的多晶硅铸锭。
一种多晶铸锭保温系统

[发明专利]一种延长单晶炉排气口保温罩寿命的方法和装置-CN200910112104.0无效
发明人：南毅;张伟娜;郑智雄;汪建 -专利权人：南安市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种延长单晶炉排气口保温罩寿命的方法和装置。本发明是在每个排气口上安装一个耐高温的硬质材料套管，如硬质石墨套筒或耐高温陶瓷套管。采用本发明方法，附于石墨套管上的反应过程中产生的SiC杂质便于清洗，耐高温陶瓷套管则不产生SiC杂质，由此避免了SiC杂质附于碳毡上带来的危害。
一种延长单晶炉排气口保温寿命方法装置

[发明专利]一种混合气体导入金属硅熔液的方法-CN200810070928.1无效
发明人： 郑智雄 -专利权人：南安市三晶硅品精制有限公司
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种混合气体导入金属硅熔液的方法，用于去除金属硅中P、B、O、C杂质。首先采用微米级的耐高温的金属氧化物颗粒，高压成型制作多个弥散微孔贯通出气头，再将这些出气头根据导气种类分别紧密结合，安置于盛硅容器底部。再将气体按氧50％、氢25％、水蒸气25％，气体压力3kg的比例导入硅熔液中。每次操作完毕弃除容器壁渣壳后盛硅容器可继续使用。使用该方法避免了混合气体在进入熔液前过早混合反应，提纯后金属硅中的P、B、O、C含量分别下降25％、25％、50％和下降40％。
一种混合气体导入金属硅方法