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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种硅的冶炼方法-CN200810070924.3无效
发明人： 郑智雄;林霞;戴文伟;胡满根;闻震利;洪紫州 -专利权人：厦门市三晶阳光电力有限公司
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅的冶炼方法。本发明通过在碳粉和二氧化硅粉混匀体中加入碱性溶液腐蚀二氧化硅粉体的表面，而后800℃~1000℃下将前述加入碱性溶液的碳粉和二氧化硅混合粉末挤压成块状，使碳、二氧化硅粉体的表面充分结合，增加反应接触面，并使碱性溶液中的水份蒸发，从而提供了一种生产成本低，操作步骤简单的金属硅冶炼方法。
一种冶炼方法

[发明专利]等离子火焰枪底吹熔化金属硅中难熔元素的方法-CN200810070929.6无效
发明人： 郑智雄 -专利权人：南安市三晶硅品精制有限公司
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子火焰枪底吹熔化金属硅中难熔元素的方法，包括以下步骤：将火焰枪火焰出口安置在盛硅容器底部中央，将金属硅熔解，倒入盛硅容器中，之后将火焰枪产生的等离子火花推入硅液体并使硅液体翻滚，最后弃除废渣。这种方法可将金属硅中的难熔物质例如钛、硼、碳等，在硅液表面富集形成渣壳弃除，达到提纯的效果。
等离子火焰枪底吹熔化金属硅中难熔元素方法

[发明专利]弥散气体导入金属硅提纯法-CN200810070927.7无效
发明人： 郑智雄 -专利权人：南安市三晶硅品精制有限公司
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种弥散气体导入金属硅提纯法，目的在于简化传统的通气导入方式，使气体能与硅熔液充分反应和延长盛硅容器的使用寿命。本发明首先采用微米级的耐高温的金属氧化物颗粒，高压成型制作弥散微孔贯通出气头，出气头安置在盛硅容器底部中央，将气体底部导管穿过盛硅容器底部连接气源，并在气源结合部装控气阀门。根据气体种类和硅液体积调整进气压力，以硅液面不形成明显沸腾为佳，中间可停气或更换不同气体种类。每次操作完毕弃除容器壁渣壳后盛硅容器可继续使用。本发明克服了现有出气头停气时易堵塞的这一缺点，经实践，采用本方法制造的出气头在使用氧气的情况下可连续使用50次，氩气100次。
弥散气体导入金属硅提纯

[发明专利]弥散贯通气体导入出气头制造方法-CN200810070926.2无效
发明人： 郑智雄 -专利权人：南安市三晶硅品精制有限公司
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： C21C5/48 文献下载
摘要：一种弥散贯通气体导入出气头制造方法，该方法为在耐高温的微米级高纯金属氧化物颗粒中加入碱性液体，并搅拌均匀，高压成型后再烧结完成出气头制件，最后在气头底部装入金属导管并用金属板做护套，以保证气体由顶部溢出。采用本发明的方法制造出的出气头制件，气体出气均匀，有利于有效改善熔液流动，使得熔液中的温度分布均匀，反应充分，有效去除杂质，同时避免气体浪费；颗粒空隙小，不易堵塞，有利于延长出气头自身的使用寿命。经实践，采用本方法制造的出气头在使用氧气的情况下可连续使用50次，使用氩气的情况下可连续使用100次。
弥散贯通气体导入出气制造方法

[发明专利]一种使用惰性气体助熔金属硅的方法-CN200810071123.9无效
发明人： 郑智雄 -专利权人：南安市三晶硅品精制有限公司
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用惰性气体助熔金属硅的方法。本发明采用在石墨坩埚中通入惰性气体，促进硅熔体和坩埚的热传递，使热量分布均匀，既促进了位于坩埚中心位置的金属硅溶解，同时，由于大量的热量被传递至金属硅，坩埚表面的温度会降低，也减少了热量和电能的浪费。
一种使用惰性气体金属硅方法

[发明专利]金属硅冶炼炉水冷除尘的方法-CN200810071121.X无效
发明人： 郑智雄 -专利权人：南安市三晶硅品精制有限公司
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： B01D50/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属硅电弧高温提纯过程中的气体除尘方法。本发明在金属硅冶炼炉膛上方加设双层通水水套炉罩；在炉罩上方开垂直烟囱，烟囱内安放蜂窝状金属管道，管道外壁的一部分与烟囱焊接密封，在管道外壁与烟囱内壁之间注满循环冷却水。高温气体从水冷套中间通过。本发明应用上述水冷方法减少高温气流将粉尘颗粒带入除尘装置，使二氧化硅收集纯度提高和降低气流温度保护布袋除尘器，延长布袋使用寿命。
金属硅冶炼水冷除尘方法

[发明专利]金属硅冷却槽模具通水降温的方法-CN200810071122.4无效
发明人： 郑智雄 -专利权人：南安市三晶硅品精制有限公司
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及金属硅提纯领域，特别涉及金属硅提纯过程中，金属硅熔液冷却凝固模具的通水降温快速冷却和保护模具的方法。本发明在使用原有传统的冷却钢模铸造时加入无缝钢管，在钢管内通入加压的循环冷却水，从而达到降低钢模温度，保护钢模和加快硅液冷却速度的目的。
金属硅冷却模具通水降温方法

[发明专利]一种软化金属硅冶炼炉炉渣的方法-CN200810070923.9无效
发明人： 郑智雄 -专利权人：南安市三晶硅品精制有限公司
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种软化金属硅冶炼炉炉渣的方法，包括以下步骤：将氟化钙粉、焦炭、二氧化硅以1∶3～5∶12～15重量比混合并翻拌均匀，投入冶炼炉内，在1550℃～1950℃下熔炼成金属硅，非硅物质则与氟化钙反应软化后，与熔融的金属硅一同排出冶炼炉。本发明使冶炼炉底积存的非硅物质经氟化钙软化后随熔融的硅液一同排出冶炼炉，从而延长了冶炼炉的使用寿命，并无需停炉清渣，降低生产成本。
一种软化金属硅冶炼炉渣方法

[发明专利]一种硅铁的冶炼方法和硅铁冶炼炉-CN200810071124.3无效
发明人： 郑智雄 -专利权人：南安市三晶硅品精制有限公司
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： C22C33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅铁的冶炼方法和硅铁冶炼炉。本发明采用中频感应合并直流电极的方法，同时提高石墨坩埚中心点和周边温度，从而加速中心点和周边埚体的分子流动，使电弧产生的聚集在中心点的大量热量被传递至周边区域，使位于坩埚周边位置的硅石亦能脱氧还原形成硅铁，同时，由于中心点聚集的大量热量得以向周边传导，使中心区域形成的碳化硅数量大大减少，电弧也得以进一步扩散。
一种冶炼方法

[发明专利]一种降低金属硅中氧、碳含量的方法-CN200810070925.8无效
发明人： 郑智雄 -专利权人：南安市三晶硅品精制有限公司
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低金属硅中氧、碳含量的方法。本发明采用在硅液中吹入氧气、氢气和水蒸气，使氢气和氧气在硅液中反应产生局部高温，使硅液中的O、C元素随气体排放而除去，从而提供了一种操作步骤简单、生产成本低廉的降低硅液中O、C元素含量的方法。
一种降低金属硅含量方法

[发明专利]一种太阳能电池用高纯度硅及其生产方法-CN02135841.9无效
发明人： 郑智雄 -专利权人： 郑智雄
申请日： 2002-11-26 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明提供一种纯度为99.90－99.999％的太阳能电池用高纯度硅及其生产方法。该方法包括将作为原料的金属硅熔炼成硅熔体，往该硅熔体中添加石灰、氧化铁、萤石；和/石灰、萤石；和/吹入氧气、氯气、含水的氢气以及氩气；最终使该硅熔体中在结晶器中顺序定向凝固步骤。
一种太阳能电池纯度及其生产方法

[发明专利]高纯度硅及其生产方法-CN02135840.0无效
发明人： 郑智雄 -专利权人： 郑智雄
申请日： 2002-11-26 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明提供一种纯度为99.99999－99.99999999％的高纯度硅及其生产方法。该方法包括将作为原料的金属硅熔炼成硅熔体，往该硅熔体中添加石灰、氧化铁、萤石；和/或石灰、萤石；和吹入氧气、氯气、含水的氢气以及氩气；最终使该硅熔体中在结晶器中顺序定向凝固步骤。
纯度及其生产方法

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