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[发明专利]一种次氯酸根离子的荧光检测方法及其应用-CN202211048527.2有效
发明人：荣铭聪;王丹茹;牛利;韩冬雪;林春晓;刘汝锋;邓湘舟 -专利权人：广州大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明提供一种次氯酸根离子的荧光检测方法及其应用，通过将荧光碳量子点纳米材料作为荧光探针，应用于次氯酸根离子的传感检测，并以490nm～500nm处的荧光强度作为次氯酸根离子对碳量子点纳米材料的荧光响应信号，构建了检测次氯酸根离子的传感体系。该检测方法能实现对次氯酸根离子的选择性检测，具有广阔的应用前景。
一种次氯酸离子荧光检测方法及其应用

[发明专利]一种BCNO量子点的制备方法-CN201811324051.4有效
发明人：荣铭聪;邓湘舟 -专利权人：广州大学
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种BCNO量子点的制备方法。本发明利用燃烧法制备的块体BCNO荧光粉材料作为前驱体，通过双氧水辅助超声剥离块体BCNO荧光粉材料，制备量子产率高、尺寸均一、水溶性和生物相容性良好BCNO量子点，以解决目前BCNO量子点分散性差，制备工艺复杂的问题。本发明通过控制反应过程中块体BCNO荧光粉材料与双氧水溶液的比例、双氧水溶液的浓度、超声处理的频率、温度和时间，可制备出量子产率高、水溶性良好、生物相容性良好的BCNO量子点。
一种 bcno 量子制备方法

[发明专利]一种对硝基甲苯的荧光比率检测方法-CN201910715964.7有效
发明人：荣铭聪;邓湘舟;赵丹莉;刘汝峰;李晓 -专利权人：广州大学
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开一种对硝基甲苯的荧光比率检测方法，所述方法基于Eu‑g‑C3N4纳米材料，建立Eu‑g‑C3N4纳米材料的荧光强度与对硝基甲苯的浓度之间相互作用关系，将样品溶液与Eu‑g‑C3N4的纳米材料母液、缓冲液混合，并定容至1mL；测定体系在420nm和600nm处的荧光强度；通过将样品溶液F600nm/F420nm的荧光强度比值与标准曲线进行比对，即得出样品溶液中的对硝基甲苯含量。本发明的检测方法成本低、操作简单，能够快速稳定地对检测样品中对硝基甲苯荧光含量，检测灵敏度高，不易受环境波动等因素的影响，选择性好，适用性广，对硝基甲苯的便捷检测具有重要的实践意义。
一种硝基甲苯荧光比率检测方法

[发明专利]一种基于荧光光度法测定亚硫酸盐的方法及应用-CN201910584057.3有效
发明人： 邓湘舟;荣铭聪;陈冬杰 -专利权人：广州大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于荧光光度法测定亚硫酸盐的方法及应用，所述方法包括以下步骤：(1)将定量的待测样品分散在定量的缓冲溶液或纯水中，提取待测样品中可能含有的亚硫酸盐，收集清液，取定量的清液与吡咯红Y和pH为6.0‑8.5缓冲溶液混合均匀，得到待测溶液A；(2)制备试剂空白溶液B；(3)在激发波长500‑580nm和发射波长540‑650nm下，以相同的条件分别测试待测溶液A、空白溶液B的荧光强度值，得到待测溶液A和空白溶液B的荧光强度值的差值；(4)用外标法定量。本发明的方法为一种新的亚硫酸盐的检测方法，可以用于食品中亚硫酸盐的检测，本发明方法灵敏度高、选择性好、简便快速，分析时间短。本发明的一种用于测定亚硫酸盐的试剂盒，使用简便、精确。
一种基于荧光光度测定亚硫酸盐方法应用

[发明专利]一种基于界面作用的氯化亚铊的制备方法-CN201811049605.4有效
发明人：吴颖娟;陈迪云;邓湘舟;崔明超;王伟彤;庞博 -专利权人：广州大学
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于界面作用的氯化亚铊的制备方法，属于金属化合物制备技术领域，该制备方法是以硫酸灰渣、稀酸和含有F‑的稀酸为原料提取出Tl+，溴水再将Tl+氧化成Tl3+；盐酸改性的活性炭吸附Tl3+，草酸铵溶液从盐酸改性的活性炭中还原并洗脱出Tl+，即得Tl+洗脱液；向Tl+洗脱液中加入氯化物，搅拌加热使TlCl晶体析出。本发明制备方法能缩短提取时间和制备出更纯的氯化亚铊。
一种基于界面作用氯化制备方法

[发明专利]一种透明导电基底上生长的[010]方向钒酸铋纳米管晶体阵列及其制备和应用-CN201810489112.6有效
发明人：秦冬冬;耿园园;段世芳;张平;刘文峰;邓湘舟 -专利权人：广州大学
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： B01J23/22 文献下载
摘要：本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，公开了一种透明导电基底上生长的[010]方向钒酸铋纳米管晶体阵列及其制备方法和应用。该方法首先通过溶胶‑凝胶法在透明导电基底上制备钒酸铋种子，然后用水热/溶剂热法在有形貌调控剂存在的情况下，借助高压釜来制备BiVO4纳米管晶体阵列，最后将制得的BiVO4纳米管置于管式炉中高温退火即可得到透明导电基底上生长的单斜相[010]方向钒酸铋纳米管晶体阵列。本发明直接在透明导电基底上生长一维纳米管阵列，简化了一维单晶材料在半导体器件应用中的工序，而且整个制备过程无有毒、有害物质的产生，不会对环境造成污染、也不会危害人体健康，安全、环保。
一种透明导电基底生长 010 方向钒酸铋纳米晶体阵列及其制备应用

[发明专利]溴化亚铊和溴化铊的制备方法-CN201810264008.7有效
发明人：吴颖娟;邓湘舟;肖唐付;张鸿郭;龙建友;陈镇新;李祥平 -专利权人：广州大学
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了溴化亚铊和溴化铊的制备方法，属于金属化合物制备技术领域，该制备方法是以硫酸灰渣、硫酸废水和溴化物为原料进行制备；硫酸灰渣包含Fe2O3、Fe3O4、TlF和TlF3，硫酸废水包含HF和Tl+。本发明溴化亚铊和溴化铊的制备方法既能降低生产成本，又能得到更纯的产物。
溴化亚铊溴化铊制备方法

[发明专利]一种超薄氧化锌纳米片电极的制备方法-CN201810489863.8有效
发明人：秦冬冬;段世芳;耿园园;张平;刘文峰;邓湘舟 -专利权人：广州大学
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，公开了一种超薄氧化锌纳米片电极及其制备方法。该方法主要包括以下步骤：先通过低温水热法制备氧化锌纳米线，再将氧化锌纳米线和次亚磷酸钠置于管式炉中，升温使次亚磷酸钠分解产生磷化氢气体，对氧化锌纳米线进行一步气相转换的方式制备超薄氧化锌纳米片。该方法制备条件易得、操作简单，整个制备过程在较短的时间内就可以完成，在制备过程中没有引入任何特定化合物作为络合剂，减少实际生产过程中的成本和能耗，且制得的氧化锌纳米片均匀分布、排列紧密，是一种低成本的大面积ZnO超薄纳米片电极制备的方法，并有效的提高了光电转换效率，同时在推广氧化锌在能源环境领域的应用具有很大的意义。
氧化锌纳米片氧化锌纳米线制备次亚磷酸钠制备过程电极半导体纳米材料光电转换效率制备技术领域超薄纳米片磷化氢气体电极制备能源环境排列紧密生产过程制备条件低成本低温水管式炉络合剂氧化锌能耗分解引入转换应用

[发明专利]一种铕掺杂的g-C₃N₄基半导体材料及其制备方法-CN201811323925.4在审
发明人：荣铭聪;邓湘舟 -专利权人：广州大学
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种铕掺杂的g‑C₃N₄基半导体材料及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：(1)将铕的水溶性无机盐、三聚氰酸、2,4‑二氨基‑6‑苯基‑1,3,5‑三嗪和超纯水混合，搅拌均匀，得到混合液；(2)将混合液烘干，得到白色固体前驱体；(3)将白色固体前驱体在惰性气体保护下，在450℃～550℃煅烧2～4h，自然冷却，得到所述铕掺杂的g‑C₃N₄基半导体材料，其中所述g‑C₃N₄基半导体材料中Eu含量为0～10wt％且不包括0wt％。本发明通过不同比例铕元素的掺杂，g‑C₃N₄基半导体材料的荧光可从亮蓝色红移至黄绿色。
半导体材料铕掺杂制备混合液前驱体惰性气体保护水溶性无机盐三聚氰酸超纯水二氨基亮蓝色烘干荧光苯基红移三嗪煅烧掺杂

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