“段世芳”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种腐蚀重结晶法制备多面体羟基氧化铁薄膜的方法-CN201910283107.4有效
发明人：秦冬冬;牛利;段世芳;韩冬雪;陶春兰;耿园园;韦秋钰 -专利权人：广州大学
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明属于无机纳米材料领域，公开了一种腐蚀重结晶法制备多面体羟基氧化铁薄膜的方法。该方法利用腐蚀重结晶的原理，采用“自上而下”的反应模式，通过调节前驱体样品特性和反应参数，成功获得了形貌规整、尺寸均一、与基底结合力强、具有不同晶面暴露特性的立方体、八面体、及多面体β‑FeOOH纳米晶薄膜。该方法拥有“自下而上”方法产物纯度高，无需分离提纯的优点；同时继承了“溶液沉淀法”可以在同一反应体系下通过调节反应参数制备不同形貌催化剂的先进性。可以作为一种广泛的纳米材料的制备方法，为其他纳米材料的制备提供指导意义。
一种腐蚀重结晶法制多面体羟基氧化铁薄膜方法

[发明专利]一种单斜相二氧化钒纳米线薄膜及其制备方法和应用-CN201910213229.6有效
发明人：秦冬冬;牛利;耿园园;韩冬雪;陶春兰;段世芳;韦秋钰 -专利权人：广州大学
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C01G31/02 文献下载
摘要：本发明属于无机纳米材料技术领域，公开了一种单斜相二氧化钒纳米线薄膜及其制备方法和应用。本发明采用溶液相前驱体滴涂‑空气中煅烧的方法，可以在透明电极上制备得到单斜相二氧化钒纳米线；该纳米线微形貌分明，与电极结合力强，在一般非破坏性后续加工过程中都不会脱落；纳米线结晶度高，在电极表面分布均匀。而且该方法在空气气氛中常压进行，制备工艺简单，便捷，生产成本低，反应条件温和且易于控制。所制备的单斜相二氧化钒为纳米线一维结构，该类结构广泛存在的量子尺寸效应、小尺寸效应、表面效应和界面效应等特性，使得它可应用于光电开关、热敏电阻、光信息储存、锂离子电池等领域。
一种单斜氧化纳米薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种透明导电基底上生长的[010]方向钒酸铋纳米管晶体阵列及其制备和应用-CN201810489112.6有效
发明人：秦冬冬;耿园园;段世芳;张平;刘文峰;邓湘舟 -专利权人：广州大学
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： B01J23/22 文献下载
摘要：本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，公开了一种透明导电基底上生长的[010]方向钒酸铋纳米管晶体阵列及其制备方法和应用。该方法首先通过溶胶‑凝胶法在透明导电基底上制备钒酸铋种子，然后用水热/溶剂热法在有形貌调控剂存在的情况下，借助高压釜来制备BiVO4纳米管晶体阵列，最后将制得的BiVO4纳米管置于管式炉中高温退火即可得到透明导电基底上生长的单斜相[010]方向钒酸铋纳米管晶体阵列。本发明直接在透明导电基底上生长一维纳米管阵列，简化了一维单晶材料在半导体器件应用中的工序，而且整个制备过程无有毒、有害物质的产生，不会对环境造成污染、也不会危害人体健康，安全、环保。
一种透明导电基底生长 010 方向钒酸铋纳米晶体阵列及其制备应用

[发明专利]一种钒掺杂硫化铋纳米线晶体薄膜及其制备方法和应用-CN201910213220.5有效
发明人：秦冬冬;牛利;耿园园;韩冬雪;陶春兰;段世芳;韦秋钰 -专利权人：广州大学
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，公开了一种钒掺杂硫化铋纳米线晶体薄膜及其制备方法和应用。本发明以FTO为基底，以钒酸铋固体薄膜为前驱体，通过溶液反应制备了钒掺杂的硫化铋纳米线薄膜。这种“固相薄膜前驱体‑溶液反应‑固相薄膜产物”的工艺既有效实现了硫化铋纳米线的钒掺杂，又解决了传统的粉末状硫化铋以光降解为主要应用的局限性，同时克服了纯液相反应体系中硫化铋产物的分离和纯化问题。该方法可为光催化、太阳能电池及其它高性能半导体器件核心部件的开发提供更优性能的半导体材料。本发明在扩展了硫化铋应用范围的同时，简化了传统工艺和相应后处理流程，节约了成本，有效提高了产品质量和纯度。
一种掺杂硫化纳米晶体薄膜及其制备方法应用

[发明专利]磷掺杂石墨相氮化碳纳米薄膜的制备方法-CN201710042164.4有效
发明人：卢小泉;权晶晶;秦冬冬;李洋;段世芳;耿园园;贺彩花;王秋红 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷掺杂的石墨相氮化碳纳米薄膜的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。先将高分子聚合物2,4‑二氨基‑1,3,5‑三嗪和三聚氰酸混合反应制备石墨相氮化碳的前驱体，然后将该前驱体置于FTO玻璃表面通过高温煅烧的方法制备氮化碳薄膜，最后将氮化碳薄膜置于磁舟中，以次亚磷酸钠作为磷源在氮气氛下煅烧得到磷掺杂的石墨相氮化碳纳米薄膜。本发明方法以FTO导电玻璃为基底材料，制备过程简单、成本低廉；得到的磷掺杂石墨相氮化碳纳米薄膜形态好、纯度高，且克服了磷掺杂石墨相氮化碳纳米粉末材料分散性差的缺点，光催化活性高；整个制备过程中无有毒、有害物质的产生，不会对环境造成污染、也不会危害人体健康，安全环保。
掺杂石墨氮化纳米薄膜制备方法

[发明专利]一种超薄氧化锌纳米片电极的制备方法-CN201810489863.8有效
发明人：秦冬冬;段世芳;耿园园;张平;刘文峰;邓湘舟 -专利权人：广州大学
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，公开了一种超薄氧化锌纳米片电极及其制备方法。该方法主要包括以下步骤：先通过低温水热法制备氧化锌纳米线，再将氧化锌纳米线和次亚磷酸钠置于管式炉中，升温使次亚磷酸钠分解产生磷化氢气体，对氧化锌纳米线进行一步气相转换的方式制备超薄氧化锌纳米片。该方法制备条件易得、操作简单，整个制备过程在较短的时间内就可以完成，在制备过程中没有引入任何特定化合物作为络合剂，减少实际生产过程中的成本和能耗，且制得的氧化锌纳米片均匀分布、排列紧密，是一种低成本的大面积ZnO超薄纳米片电极制备的方法，并有效的提高了光电转换效率，同时在推广氧化锌在能源环境领域的应用具有很大的意义。
氧化锌纳米片氧化锌纳米线制备次亚磷酸钠制备过程电极半导体纳米材料光电转换效率制备技术领域超薄纳米片磷化氢气体电极制备能源环境排列紧密生产过程制备条件低成本低温水管式炉络合剂氧化锌能耗分解引入转换应用

[发明专利]一种磷化氧化钽纳米管及其制备方法-CN201710825918.3有效
发明人：秦冬冬;段世芳;耿园园;张平;刘文峰 -专利权人：广州大学
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明公开一种磷化氧化钽纳米管及其制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。该方法是先通过阳极氧化钽片制备氧化钽纳米管，然后通过等离子束刻蚀的方法得到表面均匀的氧化钽纳米管，最后在管式炉中通过高温分解次亚磷酸钠进行磷处理或直接用PH₃处理，最终得到磷化氧化钽纳米管。本发明选用钽片作为基底材料，运用简单的阳极氧化法制备了Ta₂O₅纳米管，最后在管式炉里经过高温磷处理，使得材料的吸收边发生了红移，整个制备过程简单，实验条件容易且易控，光催化性能高，是一种低成本制备黄绿色及黑绿色氧化钽纳米管的方法，对推广氧化钽在能源环境领域的应用具有很大的意义。
一种磷化氧化纳米及其制备方法

[发明专利]BiVO₄纳米线的水热法制备工艺-CN201710042462.3有效
发明人：秦冬冬;耿园园;段世芳;李洋;王秋红;贺彩花;权晶晶 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C01G31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种BiVO4纳米线的水热法制备工艺，属于半导体纳米材料制备技术领域。通过先在FTO玻璃上进行BiVO4种子液的旋涂和煅烧得到BiVO4种子层，然后用水热法在反应釜中制备BiVO4纳米线，最后将制得的BiVO4纳米线置于管式炉中高温退火即可。本发明制备过程简单、易操作，整个制备过程无需价格高昂的设备，成本低廉，制得的BiVO4纳米线具有良好的晶型，光催化活性高；制备过程在反应釜中进行，便于FTO玻璃的取放，不会对样品造成损伤，且反应釜中温度可以达到很高，能够探究反应温度大于100℃时对BiVO4纳米线生长的影响；本发明整个制备过程无有毒、有害物质的产生，不会对环境造成污染、也不会危害人体健康，安全、环保。
bivo4 纳米法制工艺

[发明专利]Fe2O3纳米管的牺牲模板法制备工艺-CN201710042773.X有效
发明人：卢小泉;贺彩花;秦冬冬;王秋红;李洋;权晶晶;段世芳;耿园园 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： C01G49/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种Fe2O3纳米管的牺牲模板法制备工艺，属于半导体纳米材料制备技术领域。通过先在FTO玻璃上进行自催化氧化还原反应得到FTO/Cu沉淀，然后将该沉淀进行阳极氧化得到FTO/Cu(OH)2纳米线，最后将FTO/Cu(OH)2纳米线在氮气氛下高温退火、刻蚀、再次高温退火得到Fe2O3纳米管。本发明选择FTO导电玻璃为基底材料，利用CuO纳米线作为牺牲模板，以FeCl3·6H2O为铁源制备Fe2O3纳米管，制备过程简单，实验条件容易控制，整个制备过程无需价格高昂的设备，成本低廉，制得的Fe2O3纳米管具有良好的晶型，光催化活性高。
fe2o3 纳米牺牲模板法制工艺

[发明专利]一种改性二氧化钛纳米晶的引入缺陷法制备工艺-CN201710828257.X在审
发明人：秦冬冬;段世芳;耿园园 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： C01G23/053 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性二氧化钛纳米晶的引入缺陷法制备工艺，属于半导体纳米材料制备技术领域。首先通过前驱体溶液制备二氧化钛纳米晶，然后通过化学氧化还原法，采用高温磷处理的方式制备光吸收性能强的改性二氧化钛纳米晶。本发明采用磷化法对白色二氧化钛纳米晶进行引入缺陷法改性，可显著提升二氧化钛纳米晶的光吸收性能，对推广二氧化钛在能源环境领域的应用作用重大；该工艺简单，成本低廉，可用于高的光吸收性能二氧化钛纳米晶的大规模生产；采用该工艺可得到不同颜色、不同光吸收性能的二氧化钛纳米晶，能够满足不同领域对二氧化钛纳米晶的选择性需求。
一种改性氧化纳米引入缺陷法制工艺

[发明专利]一种黄色二氧化钛纳米晶及其制备方法-CN201710828242.3在审
发明人：秦冬冬;段世芳;耿园园 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： C01G23/053 文献下载
摘要：本发明公开了一种黄色二氧化钛纳米晶及其制备方法，属于半导体纳米材料技术领域。该该纳米晶为锐钛矿型的圆球状晶体，晶粒范围300‑400 nm。其制备方法为，通过化学氧化还原法，对现有TiO2纳米晶进行高温磷化、干燥得到。本发明采用高温真空磷化法对TiO2纳米晶进行了引入缺陷法改性，得到的黄色TiO2纳米晶显著提升了现有TiO2纳米晶的光吸收性能，增大了其光吸收范围，对推广TiO2在能源环境领域的应用作用重大；黄色TiO2纳米晶制备工艺简单，成本低廉，可用于高的光吸收性能TiO2纳米晶的大规模生产。
一种黄色氧化纳米及其制备方法

[发明专利]一种三维枝状纳米CuO的制备方法-CN201710042163.X有效
发明人：卢小泉;李洋;秦冬冬;权晶晶;贺彩花;王秋红;段世芳;耿园园 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： C01G3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维枝状纳米CuO的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。通过先在导电基座FTO玻璃上进行电化学沉积得到Cu薄膜，然后将该薄膜进行化学刻蚀得到Cu(OH)2，最后将Cu(OH)2经由氮气氛下高温退火、磁控溅射、化学刻蚀过程得到三维枝状纳米CuO。本发明制备过程简单、安全，能耗较低；采用本发明方法制备的三维枝状纳米CuO结晶度高，晶型好，样品纯度高；整个制备过程中无有机物的加入，亦无有毒、有害物质的产生，不会对环境造成污染、也不会危害人体健康，具有一定的推广应用价值。
一种三维纳米 cuo 制备方法

1
共 12 条