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[发明专利]基于混合TFT的微型显示投影仪的工艺流程-CN202080012219.7有效
发明人：克洛伊·阿斯特丽德·玛丽·法比安;迈克尔·格伦德曼;丹尼尔·亨利·莫里斯;约翰·高厄德 -专利权人：元平台技术有限公司
申请日： 2020-02-05 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：对于小型、高分辨率、发光二极管(LED)显示器，诸如对于用于人工现实头戴式装置中的近眼显示器，LED在一起紧密地间隔开。背板可以用于驱动LED显示器中的LED阵列。多个互连件将背板与LED阵列电耦合。随着LED之间的间距变得小于互连件间距，可以使用薄膜电路层来减少在背板和LED阵列之间的互连件的数量，使得互连件间距可以大于LED间距。这可以允许LED显示器中的LED更密集地布置，同时仍然允许使用具有驱动电路的硅背板来控制LED显示器中的LED的操作。
基于混合 tft 微型显示投影仪工艺流程

[发明专利]发光二极管阵列的键合-CN202080080571.4在审
发明人：约翰·高厄德;迈克尔·格伦德曼 -专利权人：脸谱科技有限责任公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本文公开了用于将发光二极管(LED)阵列键合到多个驱动器电路的技术。根据某些实施例，一种方法包括：在第一基底上形成包括多个LED的阵列；通过在多个子阵列之间形成多个间隙将阵列分离成多个子阵列；将多个子阵列键合到形成在第二基底上的多个驱动器电路；在多个间隙内形成底部填充物；以及从多个子阵列中移除第一基底。
发光二极管阵列

[发明专利]用于微LED的光提取-CN202080081012.5在审
发明人： 迈克尔·格伦德曼 -专利权人：脸谱科技有限责任公司
申请日： 2020-11-22 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本文公开的技术涉及用于微LED阵列的光提取结构。根据某些实施例，一种设备包括以第一间距为特征的微LED阵列和微LED阵列上的以由不同于第一间距的第二间距为特征的微透镜阵列。微透镜阵列中的每个微透镜对应于微LED阵列中的相应微LED。在一些实施例中，第一间距大于第二间距，使得来自微LED阵列中的每个微LED的光的主光线在穿过对应的微透镜之后在相应的方向上朝向设备的中线倾斜。
用于 led 提取

[发明专利]有源区中具有掺杂剂的红色微LED-CN202080057993.X在审
发明人：马库斯·布罗尔;大卫·黄;史蒂芬·大卫·莱斯特;阿努拉格·塔吉;迈克尔·格伦德曼;格尧姆·勒鲁克斯;亚历山大·通基克 -专利权人：脸谱科技有限责任公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种光源包括p型半导体层(1242；1244；1246)、n型半导体层(1212；1214；1216)和有源区，该有源区在p型半导体层(1242；1244；1246)和n型半导体层(1212；1214；1216)之间并且被配置为发射光。有源区包括多个阻挡层(1232；1234；1236)和一个或更多个量子阱层(1222；1224；1226)。有源区的多个阻挡层(1232；1234；1236)包括包含n型掺杂剂的至少一个n掺杂阻挡层。有源区的特征在于横向线性尺寸等于或小于约10μm。n型掺杂剂包括例如硅、硒或碲。
有源具有掺杂红色 led

[发明专利]用于发光二极管中的表面复合速度降低的外延层的再生长-CN202080019616.7在审
发明人：马库斯·布罗尔;迈克尔·格伦德曼;大卫·黄;史蒂芬·卢特根;布莱恩·马修·麦克斯金明;阿努拉格·塔吉 -专利权人：脸谱科技有限责任公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本文公开了用于发光二极管(LED)阵列设备的方法、系统和设备。在一些实施方案中，LED阵列设备可以包括从层状外延结构蚀刻的多于一个台面。层状外延结构可以包括P型掺杂半导体层、有源层和N型掺杂半导体层。LED阵列设备还可以包括一个或更多个再生长半导体层，包括第一再生长半导体层，所述一个或更多个再生长半导体层可以在多于一个台面的经蚀刻的端面上外延生长。在一些情况下，对于每个台面，第一再生长半导体层可以围绕台面的整个周边覆盖P型掺杂半导体层、有源层和N型掺杂半导体层的经蚀刻的端面。
用于发光二极管中的表面复合速度降低外延再生