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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种井口防喷器-CN202321197913.8有效
发明人： 谢玉森;何世明;汤明 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： E21B33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种井口防喷器，属于油气钻采设备技术领域，包括具有流体通道的阀体、闸板、动力机构、推杆，其中，阀体上具有贯穿本体并沿流体通道径向布置的闸板通道，闸板通道的两端分别沿流体通道径向向外延伸形成第一腔体和第二腔体；闸板与闸板通道滑动密封连接，闸板的尺寸配置成能够封闭流体通道，闸板与第一空腔滑动密封连接；动力机构用于向第一腔体中补充高压气体以推动闸板向所述第二腔体移动、关闭流体通道；推杆与所述阀体密封连接并能够沿流体通道径向移动，用于推动闸板从第二腔体向第一腔体移动，以打开流体通道。本实用新型用高压气体来推动闸板移动，采用活塞式推动，关闭速度快。
一种井口防喷器

[发明专利]基于流固耦合建模的防喷器数值分析方法-CN202310734580.6在审
发明人：汤明;谢玉森;何世明;孔令豪;敬亚东 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：本发明公开基于流固耦合建模的防喷器数值分析方法，包括建立闸板前端密封失效流域的简化几何模型；建立堵漏剂的固体颗粒接触模型；建立防喷器密封后的多相流瞬态流动模型；根据防喷器密封后的多相流瞬态流动模型确定防喷器作业后不同管段的压力动态分布以及瞬态演变规律；开展剪切闸板防喷器闸板剪切失效泄露的刺漏通道封堵数值模拟，分析堵漏颗粒不同粒径、不同形态；堵漏剂不同浓度下的堵漏情况，从而确定最优的堵漏剂参数。本发明采用液‑固耦合的方法，针对剪切闸板防喷器闸板剪切失效泄露的刺漏通道开展封堵的研究，可以更好地描述堵漏颗粒在刺漏的裂缝内的运移规律，进而为堵漏工作提供较为准确的现场参数和理论指导。
基于耦合建模防喷器数值分析方法

[发明专利]一种DBICMOS集成电路制造工艺-CN201110076175.7有效
发明人：聂纪平;谢玉森;张勇;刘亿 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明涉及一种DBICMOS集成电路制造工艺，该制造工艺包括N阱制作步骤、有源区制作步骤、P型场区制作步骤、多晶制作步骤、N型区制作步骤、P型区制作步骤、接触孔制作步骤、铝线制作步骤和钝化层制作步骤，所述制造工艺还包括在所述P型场区制作步骤之后的基区制作步骤和电容制作步骤以及在所述多晶制作步骤之后的N型Ldd制作步骤。本发明通过增加电容制作步骤将多晶电容优化为MOS电容，提高了产品的设计精度；同时，通过增加基区制作步骤和N型Ldd制作步骤，实现了双极和DMOS结构的制作；另外，还通过调节N型区的浓度进一步优化了电路性能。
一种 dbicmos 集成电路制造工艺

[发明专利]一种液晶驱动控制电路-CN201010219471.3无效
发明人：聂纪平;谢玉森;张勇;刘亿 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种液晶驱动控制电路，它包括具有两个功率放大器的液晶显示偏置发生器，所述功率放大器包括相互连接的偏置电压模块、输入模块和输出模块，所述输出模块包括分别连接在所述偏置电压模块和输入模块之间的第三MOS管和第二MOS管，该第三MOS管和第二MOS管均为N沟道耗尽型MOS管；所述第三MOS管的漏极与栅极连接，且该第三MOS管与输入模块之间还连接有第一MOS管；所述第二MOS管的栅极与第三MOS管的栅极连接，且该第二MOS管与输入模块之间还依次连接有第四MOS管和第六电阻。本发明完善了液晶显示芯片的功能，从而解决了用户对液晶驱动高可靠性的要求，并且达到了提高显示器件性能的目的。
一种液晶驱动控制电路

[发明专利]一种烟雾探测控制电路-CN201010202411.0无效
发明人：聂纪平;谢玉森;张勇;刘艺 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2010-06-18 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： G05B19/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种烟雾探测控制电路，它包括放大器、振荡器、时序逻辑电路、参考电源、比较器和报警电路，所述的控制电路还包括一多路复用器和一定时器，所述多路复用器的输入端与所述放大器的输出端连接，并接收一静音信号，其输出端与所述比较器的负输入端连接；所述定时器接收一测试信号，并向所述多路复用器输出一时钟信号。本发明通过对控制电路功能的完善，即在控制电路内部采用多路复用器来实现外围芯片达到hush要求的功能，即可满足hush要求，同时针对不需要hush功能的用户，也可以通过简单的方法实现正常的光电型烟雾报警控制功能；从而实现了原有技术中两大芯片的功能，节省了成本，满足了更多用户的需求。
一种烟雾探测控制电路

[发明专利]一种齐纳管集成电路结构及其制造方法-CN200810039451.0无效
发明人：聂纪平;谢玉森;陆衡周;刘亿;王小明 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2008-06-24 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种齐纳管集成电路结构及其制造方法，其中齐纳管集成电路结构包括N型衬底硅、依次设置在所述N型衬底硅上的N型外延层、P阱以及N场区，它还包括一设置在所述N场区下部与P阱之间的P型掺杂区，且该P型掺杂区的面积小于所述N场区的面积。齐纳管集成电路结构的制造方法，包括选择步骤、外延层形成步骤、初氧步骤、P阱形成步骤、有源区形成步骤、P场区形成步骤、N场区形成步骤、场氧化步骤、P型掺杂区形成步骤。本发明旨在提供一种新型的齐纳管集成电路结构及其制造方法，从而可以很好地解决部分要求严格的CMOS集成电路对于基准电压的设计要求，以达到技术规范的要求。
一种齐纳管集成电路结构及其制造方法

[发明专利]PMOS管解决CSLIC1B01集成电路失效的方法-CN02157799.4有效
发明人：谈毅平;聂纪平;朱朝晖;谢玉森;戚盛勇;蔡敏 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2002-12-26 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种PMOS管解决CSLIC1B01集成电路失效的方法。DMOS管电路是高压集成电路管件之一，属于一种微电子电路，该电路被广泛应用于通信领域。本发明通过改变CSLIC1B01集成电路关键路径上PMOS管的尺寸，调节其电流流量，从而大大提高了总电流I1的电流量，使NDB有足够能力驱动下一级电路，达到消除由DMOS电路失配造成集成电路器件的失效。
pmos 解决 cslic1b01 集成电路失效方法

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