“谢正生”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]供电方法、供电设备及存储介质-CN201811457744.0有效
发明人：戴云翔;韦恺人;谢正生;付世勇;陈华;尹兴滨 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H02J13/00 文献下载
摘要：公开了一种供电方法、供电设备及存储介质，属于电源技术领域。所述方法包括：供电设备用供电端口向负载供电，供电端口经由供电线缆和所述负载的受电端口相连；供电设备用通信端口与负载通信，以管理负载从供电设备取电的行为，通信端口经由通信线缆和负载的通信端口相连。在本申请中，供电设备既是负载的电源，也是负载的控制器。这种一体化的设计减小了系统的复杂度。并且，供电设备与负载之间的供电过程和供电设备与负载之间的通信过程物理上相互隔离，提高了供电设备向负载进行供电的灵活性。
供电方法设备存储介质

[发明专利]电池加热方法、装置和设备-CN202010940866.6在审
发明人：陈博文;欧欣;马理猴;谢正生 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01M10/615 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种电池加热方法、装置和设备，涉及无线充电技术领域。该方法包括：充电设备接收电子设备发送的第一消息；根据第一消息，确定第一充电频率，其中，第一充电频率与充电设备中线圈谐振中心频率之间的差值大于第二充电频率与充电设备中线圈谐振中心频率之间的差值，第二充电频率为充电设备当前对电子设备充电所采用的频率；将对电子设备充电所采用的充电频率从第二充电频率调整为第一充电频率，以对电子设备的电池进行加热。本申请实施例提供的电池加热方法、装置和设备能够快速提升电子设备中电池的温度，使得电池活性变好从而提高充电效率。
电池加热方法装置设备

[发明专利]一种恢复出厂设置的装置及方法-CN201510966526.X有效
发明人：张汝红;丁锦波;谢正生 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G06F1/24 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种恢复出厂设置的装置，可以降低生产成本，该装置包括：复位开关、第一电源模块、触发器和中央处理器CPU，触发器包括触发管脚、时钟管脚及同相位输出管脚，复位开关与触发管脚连接，第一电源模块与时钟管脚连接，同相位输出管脚与CPU的第一通用输入/输出管脚连接；复位开关被按压时产生低电平的复位信号，复位信号从触发管脚输入触发器；触发器从时钟管脚接收电信号，电信号的上升沿用于触发触发器锁存复位信号的低电平状态；触发器根据被锁存的复位信号的低电平状态从同相位输出管脚输出低电平的恢复请求信号，CPU根据恢复请求信号启动恢复出厂设置的操作。本申请实施例还提供了一种恢复出厂设置的方法。
一种恢复出厂设置装置方法

[发明专利]存储器的数据读写方法和装置-CN201010001643.X有效
发明人： 谢正生;程宇航;刘兵;刘海新 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2010-01-19 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种存储器的数据读写方法和装置，该方法包括：接收中央处理器CPU写入的存储页信息及存储页地址，所述存储页为存储器中小于或等于所述CPU寻址空间的一段连续的地址空间；对所述存储页信息及存储页地址进行地址译码得到物理存储地址；根据所述物理存储地址从所述存储器读取数据或向所述存储器写入数据。本发明实施例中存储页的地址空间小于或等于CPU的寻址空间，CPU可以根据存储页信息及存储页地址寻址到每个存储页的所有地址空间，通过改变存储页信息就可以寻址到存储器的所有地址空间。
存储器数据读写方法装置

[发明专利]供电装置-CN200910180702.1无效
发明人：章琳;程宇航;许靖;谢正生 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2009-10-20 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H02M3/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种供电装置，属于电子技术领域。解决了现有的供电方法存在电路复杂的技术问题。该供电装置，包括第一组件、第二组件、反馈电阻以及电压转换模块，其中：所述电压转换模块上设有电压输入端以及电压输出端，所述电压输入端与所述供电装置的电源输出端相连，所述电压输出端与用电器件相连；所述第二组件与所述第一组件可拆卸连接，且所述第二组件安装于所述第一组件时，所述反馈电阻分别与所述电压转换模块、所述电压输出端相连；所述电压转换模块用于接收所述反馈电阻的反馈电压并根据所述反馈电压控制所述电压输出端输出的电压大小。本发明应用于为用电设备供电。
供电装置

[发明专利]地址译码方法、装置及单板-CN200910119110.9有效
发明人： 谢正生;刘兵;刘海新 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2009-03-03 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种地址译码方法、装置及单板，涉及通信技术领域，以扩大中央处理器能够访问的地址空间。该方法包括：接收中央处理器发送的访问待访问地址的高位地址值，将所述高位地址值转换为访问所述待访问地址的高位地址信号；接收所述中央处理器发送的访问所述待访问地址的低位地址信号；将所述高位地址信号和所述低位地址信号转换为访问所述待访问地址的地址信号。本发明实施例提供的技术方案可以广泛应用于通信系统中。
地址译码方法装置单板

[发明专利]用于III－V族化合物器件的低温Au－In－Au键合方法-CN200710039882.2无效
发明人： 谢正生;吴惠桢;劳燕锋;刘成;曹萌;黄占超 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2007-04-24 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于III－V族化合物半导体光电器件结构制作的低温Au－In－Au金属键合方法。其特征在于所述的金属键合过程包括：蒸镀金属膜、低温键合将器件结构金属键合到Si衬底上、腐蚀去除外延片衬底。所述的方法的关键是：蒸镀合适的金属膜以及低温键合过程中合适的外加压力、退火温度和退火时间。该技术中蒸镀的金属膜有利于改善光电器件的光学热学性质，同时整合了III－V族InP或GaAs基化合物半导体材料和Si材料的各自优点，实现了衬底倒扣，为器件制作的后步工艺打下了基础。低温键合牢靠，且键合过程不会使键合后器件结构的原有的光学和电学性能变差，有利于器件结构的制作。有望在金属波导及其它半导体光电器件制作中得到广泛应用。
用于 iii 化合物器件低温 au in 方法

[发明专利]石杉碱甲滴丸及其制备方法-CN200710145474.5无效
发明人：赵守明;谢正生;林红 -专利权人：赵守明
申请日： 2007-09-19 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： A61K31/435 文献下载
摘要：本发明涉及一种石杉碱甲滴丸及其制备方法，将石杉碱甲用适当溶剂溶解再通过分散滴加的方法加入基质中，搅拌均匀，冷凝成丸。
石杉碱甲滴丸及其制备方法

[发明专利]一种含有石杉碱甲的静脉用注射液及其制备方法-CN200710145475.X无效
发明人：赵守明;谢正生;林红 -专利权人：浙江万邦药业有限公司
申请日： 2007-09-19 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： A61K9/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种静脉注射用石杉碱甲注射剂及其制备方法，具体地说是石杉碱甲盐的注射液，包括注射液、输液和冻干粉。
一种含有石杉碱甲静脉注射液及其制备方法

[发明专利]一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法-CN200610117154.4无效
发明人：吴惠桢;曹萌;劳燕锋;黄占超;刘成;谢正生 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-10-13 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明提供一种提高III－V族应变多量子阱发光强度的方法，其特征是通过离子刻蚀方法增强III－V族发光材料的发光亮度。离子刻蚀覆盖层采用感应耦合等离子体(ICP)或反应离子(RIE)等刻蚀技术。刻蚀所采用的气体为Ar离子或Ar离子和Cl₂气的混合气体。干法刻蚀后，刻蚀表面至量子阱层的距离大于刻蚀损伤深度时，量子阱干法刻蚀部位发光强度得到明显增强。本发明提供的方法适用的III－V族化合物材料是由气态源分子束外延(GSMBE)或金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等方法生长所得，利用本发明提供的方法可使应变多量子阱发光强度提高3－5倍。
一种提高应变多量发光强度方法

1
共 10 条