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[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202180093686.1在审
发明人：上野诚;西村一广 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种能够以短时间进行具有可靠性的筛选的半导体装置。半导体装置具有开关元件、控制电路、齐纳二极管、第1端子以及第2端子。开关元件形成于半导体基板。控制电路形成于包含开关元件的半导体基板，对开关元件的状态进行控制。齐纳二极管包含连接至输入端子与控制电路之间的电源电压线的阴极，该输入端子被输入用于对控制电路进行驱动的电源电压。齐纳二极管形成于半导体基板。第1端子作为齐纳二极管的阳极而设置于半导体基板的主面。第2端子作为开关元件的发射极以及源极之中的任意一者而设置于半导体基板的主面，在半导体基板内与第1端子绝缘。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202080100078.4在审
发明人：荒木慎太郎;吉松直树;西村一广 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：具有：金属块；半导体元件，其通过第1接合材料固定于该金属块的上表面，纵向地流过电流；主端子，其通过第2接合材料固定于该半导体元件的上表面；信号端子，其与该半导体元件电连接；以及模塑树脂，其将该半导体元件、该第1接合材料、该第2接合材料覆盖，将该金属块、该主端子、该信号端子的一部分覆盖，该金属块的下表面从该模塑树脂露出，该主端子和该信号端子从该模塑树脂的侧面露出，该主端子具有该模塑树脂中的第1部分、与该第1部分连接且在该模塑树脂外部向下方弯曲的第2部分、与该第2部分连接且与该模塑树脂的下表面大致平行的第3部分。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201880088565.6有效
发明人：上野诚;西村一广;山本刚司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：第1钳位电路(4)将开关元件(Q1)的栅极与第1端子之间的电压钳位为小于或等于第1钳位电压。对开关元件(Q1)进行控制的控制电路(2)具有：驱动部(5)，其对开关元件(Q1)进行驱动；异常检测部(9)，其在检测出动作异常时使驱动部(5)停止；以及第2钳位电路(10)。在异常检测部(9)使驱动部(5)停止时，第2钳位电路(10)将栅极与第1端子之间的电压钳位为小于或等于比第1钳位电压低的第2钳位电压。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、内燃机用点火装置及内燃机系统-CN201680086053.7有效
发明人： 西村一广;河本厚信;山本刚司 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：高压电极(5)的一端与半导体元件(1)的高压端子连接。低压电极(6)的一端与半导体元件(1)的低压端子连接。树脂(15)对半导体元件(1)、高压电极(5)的一端及低压电极(6)的一端进行封装。第1放电电极(16)及第2放电电极(17)分别设置于高压电极(5)及低压电极(6)的未被树脂(15)覆盖的部分，以彼此相对的方式凸出。
半导体装置内燃机点火装置系统

[发明专利]半导体装置及半导体模块-CN201980095117.3在审
发明人： 西村一广;上野诚;荒木慎太郎;河本厚信;富冈昌则 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置，其具有：半导体基板，其具有流过主电流的有源区域、有源区域的周围的末端区域；聚酰亚胺膜，其设置于有源区域之上及末端区域之上；以及钝化膜，其是作为聚酰亚胺膜的下层膜而设置的，末端区域包含从有源区域侧依次设置的耐压保持区域及最外周区域，聚酰亚胺膜是将最外周区域的切割残留部排除在外而设置的，钝化膜至少在设置有聚酰亚胺膜的区域被设置作为下层膜。
半导体装置模块

[发明专利]点火器用功率半导体装置-CN201010609296.9有效
发明人：神户伸介;西村一广;山田一树 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：本发明提供以简单结构实现在发生异常时可靠地保护半导体开关元件的软切断功能且可靠性高的点火器用功率半导体装置。点火器用功率半导体装置，具有对点火线圈的初级电流进行通电/切断的半导体开关元件和驱动控制所述半导体开关元件的集成电路，其中，所述集成电路包括：第一放电单元，在正常动作时，使蓄积在所述半导体开关元件的控制端子的电荷放电而切断，以使所述点火线圈的次级一侧产生火花塞跳火电压；以及第二放电单元，当检测到异常状态时，比所述第一放电单元缓慢地使蓄积在所述半导体开关元件的控制端子的电荷放电而切断，以使所述点火线圈的次级电压成为火花塞跳火电压以下。
点火器用功率半导体装置

[发明专利]使用背面高耐压集成电路的半导体装置-CN200710162277.4有效
发明人： 西村一广 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2007-10-08 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明的目的在于在具有用于控制功率半导体元件的控制电路的半导体装置中，使半导体装置小型化。在导电体(2)上彼此分离地设置有第一开关元件(3)、表面－背面间的耐压比第一开关元件(3)高的背面高耐压集成电路(4)、和绝缘衬底(5)。在背面高耐压集成电路(4)的表面上搭载有对第一开关元件(3)的导通、截止进行控制的控制电路。在绝缘衬底(5)上设置有无源元件部(6)。利用第一布线(8a)连接绝缘衬底(5)和第一开关元件(3)，利用第二布线(8b)连接绝缘衬底(5)和背面高耐压集成电路(4)。根据上述结构，无需在绝缘衬底(5)上设置用于控制第一开关元件(3)的集成电路。由此，能够使绝缘衬底(5)缩小，能够使半导体装置(1)小型化和高功能化。
使用背面耐压集成电路半导体装置