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[发明专利]功率模块-CN201680079449.9有效
发明人：横山吉典;曾田真之介;太田成人;西川和康;福本晃久 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：功率模块(101)具备：绝缘电路基板(1)、半导体元件(3)、第一缓冲板(5)、第一及第二接合材料(11)、及散热构件(7)。半导体元件(3)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧。第一缓冲板(5)配置于绝缘电路基板(1)与半导体元件(3)之间，第一接合材料(11)配置于绝缘电路基板(1)与第一缓冲板(5)之间，第二接合材料(11)配置于半导体元件(3)与第一缓冲板(5)之间。散热构件(7)配置于绝缘电路基板(1)的一方的主表面(1a)侧的相反侧的另一方的主表面(1b)侧。第一接合材料(11)在俯视时被分割成多个。第一缓冲板(5)的线膨胀系数比半导体元件(3)的线膨胀系数大且比绝缘电路基板(1)的线膨胀系数小。第一缓冲板(5)的杨氏模量比半导体元件(3)的杨氏模量小。
功率模块

[发明专利]功率模块-CN201580071608.6有效
发明人：福本晃久;根岸哲;山本圭;筱原利彰;西川和康 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：功率模块(PM)具备功率半导体元件(4)、布线材料(2)、电路基板(6)、外部端子(8)、接合材料(5、7)以及密封树脂(1)。以从位于功率半导体元件(4)与布线材料(2)之间的接合材料(5)的端面起遍及位于该端面和与该端面隔开距离的布线材料(2)的规定部位之间的布线材料(2)的表面的方式，在接合材料(5)的端面以及布线材料(2)的表面与密封树脂(1)之间连续地形成有间隙部(3)。
功率模块

[发明专利]信号传递电路以及具备该电路的电力变换装置-CN201380074836.X在审
发明人：诸熊健一;富泽淳;内田哲也;西川和康 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-10-28 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：信号传递电路(1000)在与绝缘变压器(10)的第1线圈(110)连接的第1电路(100)、和与第2线圈(210)连接的第2电路(200)这两者中，具备发送电路(120、220)、接收电路(130、230)、线圈侧的切换电路(140、240)、输入输出侧的切换电路(150、250)、异常检测电路(160、260)、延迟电路(170、270)、以及方向控制部(180、280)。信号传递电路(1000)通过方向控制部(180、280)控制切换电路(150、250)而切换输入输出的信号方向，通过切换电路(140、240)切换发送和接收。使接收到的信号通过延迟电路(170、270)延迟而返回到发送侧，通过异常检测电路(160、260)进行异常检测而进行自诊断。
信号传递电路以及具备电力变换装置

[发明专利]信号传输电路-CN201280077497.6在审
发明人：诸熊健一;富泽淳;西川和康 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： H03K17/725 文献下载
摘要：具备：发送电路(1)，使每当发送数据的逻辑值变化时根据该逻辑值变化而正负的极性交替反转的脉冲形状的电流信号在发送线圈中流过；以及接收电路(4)，输入通过在发送线圈(1)中流过的电流信号而在接收线圈(3)中感应的正负的双极性的双重脉冲的感应电压信号而对发送数据进行解调，接收电路(4)具备：放大器(8)，对在接收线圈(3)中感应的双重脉冲的感应电压信号进行放大；以及信号生成部(9、11、21)，如果检测到在由放大器(8)放大了的双重脉冲的感应电压信号中的前半的单个脉冲，则与其对应地设定针对后半的单个脉冲的不灵敏期间而仅根据前半的单个脉冲生成与发送数据对应的输出信号。
信号传输电路

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201380048748.2在审
发明人：横山吉典;远藤加寿代;藤田淳;曾田真之介;西川和康;野上洋一;山本佳嗣;井上晃 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：在基板(1)形成多个半导体元件(2)。在SOI基板(12)形成多个密封窗(8)和支撑多个密封窗(8)的支撑部(13)。通过加压部件(14)将SOI基板(12)压到基板(1)，经由配置在多个半导体元件(2)的周边的低熔点玻璃材料(7)使SOI基板(12)的多个密封窗(8)接合到基板(1)。从接合到基板(1)的多个密封窗(8)切断支撑部(13)。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201310423624.X无效
发明人：野上洋一;山本佳嗣;井上晃;横山吉典;藤田淳;远藤加寿代;曾田真之介;西川和康 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L23/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置。半导体元件(2)设在衬底(1)上。栅极布线(6)以及源极布线(7)配置于衬底(1)上，分别与半导体元件(2)的栅极电极(3)以及源极电极(4)电连接。窗框部(13)配置于衬底(1)上，包围半导体元件(2)，与栅极布线(6)以及源极布线(7)相接。密封窗(14)接合于窗框部(13)，密封半导体元件(2)。窗框部(13)是具有薄膜电阻为106～1010Ω/□的低熔点玻璃。从而获得能够确保耐湿性、防止高频特性的恶化、提高静电耐量而不增加成本的半导体装置。
半导体装置

[发明专利]检测信号处理用2值化电路-CN201080062967.2有效
发明人：塚本学;西川和康;德永隆志;岛内英树;馆沼义范;川野裕司;小林浩 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G01D5/244 文献下载
摘要：差动放大器（21）根据来自旋转检测电路（30）的旋转检测信号（Vde）和偏置信号（Voff），生成偏置校正信号（Vadj）。比较器（28）通过将偏置校正信号（Vadj）与阈值电压（Vth1）进行比较，输出表示比较结果的2值化信号（Vbi）。平均值信号生成电路（2）生成表示偏置校正信号（Vadj）的平均值的平均值信号（Vav）。偏置信号生成电路（3）以使平均值信号（Vav）的信号电压具有阈值电压（Vc1）与阈值电压（Vc2）之间的电压值的方式，生成偏置信号（Voff）。
检测信号处理电路

[发明专利]磁式位置检测装置-CN201110220082.7有效
发明人：川野裕司;小林浩;西川和康;古川泰助 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G01D5/16 文献下载
摘要：本发明提供磁式位置检测装置。可降低与磁式位置检测装置在制造上的偏差相对应的输出信号的偏差，易于制造且价廉。此外，可改善装置的特性。磁式位置检测装置包括基板、磁体、包含在基板上形成的第一至第四磁电转换元件的桥式电路、以及检测电路。基板的表面与磁体的磁化方向大体垂直，沿磁体的磁化方向来看，第二及第三磁电转换元件配置在与垂直于磁体的磁化方向且垂直于磁性移动体的移动方向的直线平行的、通过磁体的磁极的中心点的直线上或其附近，在不与磁性移动体相对的情况下，第一及第四磁电转换元件配置成使得所施加的磁场在基板表面的分量与第二及第三磁电转换元件大体相同。
位置检测装置

[发明专利]功率放大器器件-CN201110048783.7无效
发明人：川上刚史;西川和康 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明提供一种功率放大器器件，该功率放大器器件同时满足提供高输出和降低由所述功率放大器器件所占的芯片面积。形成于衬底之上的功率放大器器件包括设置为大体环状几何图形的初级电感器、接地图案、晶体管对和次级电感器。所述接地图案设置成当从垂直于所述衬底的方向观察时从环状的初级电感器内部的区域的部分延伸至所述初级电感器外部的区域内并且在所述初级电感器外部的区域中的多个点处接地。形成与初级电感器连接的晶体管对的第一晶体管和第二晶体管的第一主电极分别耦合至每个初级电感器的两个端部。第一晶体管和第二晶体管的第二主电极耦合至在初级电感器内部的区域中的所述接地图案并与相应的所述多个接地点电导通。
功率放大器器件

[发明专利]进行电压比较,防止电压比较精度恶化的半导体集成电路-CN200710300950.6有效
发明人：富泽淳;西川和康 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H03K5/08 文献下载
摘要：本发明提供一种进行电压比较，防止电压比较精度恶化的半导体集成电路，该半导体集成电路(101)具备：接收第1输入电压以及第2输入电压的差动放大电路(A1)；通过对经由第1电容器(C1P)从差动放大电路(A1)的第1输出端子接收到的电压以及经由第2电容器(C1N)从差动放大电路(A1)的第2输出端子接收到的电压进行比较，输出表示第1输入电压以及第2输入电压的比较结果的数字信号的闩锁电路(U1)；具有与第1电容器(C1P)的第2端子耦合的第1端子，以及与第2电容器(C1N)的第2端子耦合的第2端子的第3电容器(CZ1)。
进行电压比较防止精度恶化半导体集成电路

[发明专利]半导体装置-CN03815283.5无效
发明人： 西川和康;桥诘靖之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-05-29 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种半导体装置，其中具有：在半导体基板(10)上螺旋状地形成导体布线的电感器(1)；以及由沿着电感器(1)的螺旋图形的外周设置的、其一部分被开放的连续导体布线构成的、与接地电位电连接的屏蔽(6a)。
半导体装置

[发明专利]螺旋形电感器和变压器-CN03804558.3无效
发明人：桥诘靖之;西川和康 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-02-04 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：螺旋电感器在螺旋配线与下穿配线交叉的部分将形成螺旋配线的导电膜层中的至少1层用于下穿配线的形成，由较少的导电膜数形成的交叉部分的螺旋配线的宽度比由较多的导电膜数形成的不交叉的部分的螺旋配线大。
螺旋形电感器变压器

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