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[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置-CN202211158415.2在审
发明人：高田郁弥;吉村正太;森北信也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够形成具有良好的形状的凹部。蚀刻方法包括准备基板的工序。基板包括包含第一材料的第一区域、以及包含与第一材料不同的第二材料的第二区域。蚀刻方法包括利用从包含含钨气体的处理气体生成的等离子体来蚀刻第二区域的工序。在进行蚀刻的工序中，在处理气体中包含的除非活性气体以外的全部气体中，含钨气体的流量最多。
蚀刻方法等离子体处理装置

[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置-CN202210725530.7在审
发明人：高田郁弥;吉村正太;森北信也;及川弘太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够形成具有优异的耐蚀刻性的含钨沉积物。蚀刻方法包括以下工序：工序(a)，准备基板，所述基板包括包含硅和氮的第一区域以及包含硅和氧的第二区域；工序(b)，使用从包含碳和氢中的至少一方、氟以及钨的第一处理气体生成的第一等离子体，在第一区域上形成含钨沉积物；工序(c)，在工序(b)之后，使用从与第一处理气体不同的第二处理气体生成的第二等离子体对第二区域进行蚀刻。
蚀刻方法等离子体处理装置

[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置-CN202210672045.8在审
发明人：高田郁弥;吉村正太;森北信也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，能够提高蚀刻选择比。蚀刻方法包括以下工序：准备基板，基板包括包含硅和氮的第一区域、以及包含硅和氧的第二区域；以及将第一区域和第二区域暴露于由包含碳、氟及钨的处理气体生成的等离子体中，由此在第一区域上形成含钨保护层，同时蚀刻第二区域。
蚀刻方法等离子体处理装置

[发明专利]蚀刻方法、等离子体处理装置以及基板处理系统-CN202180006822.9在审
发明人：佐藤琢磨;吉村正太;森北信也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：公开的蚀刻方法包括提供基板的工序(a)。基板具有第一区域和第二区域。第二区域包含氧化硅，第一区域由与第二区域不同的材料形成。蚀刻方法还包括工序(b)，在工序(b)中，利用从包含一氧化碳气体的第一处理气体生成的第一等离子体在第一区域上优先地形成沉积物。蚀刻方法还包括对第二区域进行蚀刻的工序(c)。
蚀刻方法等离子体处理装置以及系统

[发明专利]处理方法和基板处理装置-CN202110420414.X在审
发明人：德尾高宏;吉村正太;森北信也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种基板的处理方法和基板处理装置，能够抑制掩模图案的偏差并且改善生产率。包括以下工序：工序(a)，将在蚀刻对象膜之上具有掩膜的基板提供至载置台；工序(b)，利用包括第一气体和第二气体且所述第一气体相对于所述第二气体的流量比(R1)被进行了控制的处理气体的等离子体，来使沉积物沉积于所述掩膜；以及工序(c)，利用与所述处理气体为同一气体种类且所述第一气体相对于所述第二气体的流量比(R2)被控制为R2R1的处理气体的等离子体，来去除所述掩膜的一部分和/或所述沉积物的一部分，将所述(b)的工序和所述工序(c)进行预先决定的次数，来将所述掩膜的图案的侧面的锥角控制为期望的角度。
处理方法装置

[发明专利]处理方法和基板处理装置-CN201911082523.4在审
发明人： 吉村正太;伊藤清仁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制掩模图案的偏差的处理方法和基板处理装置。所述处理方法具有：第一工序，在被蚀刻膜上使沉积物沉积于图案化的掩模层；以及第二工序，去除所述掩模层的一部分和所述沉积物的一部分中的至少任一方，在该处理方法中，将所述第一工序和所述第二工序重复一次以上，使所述掩模层的图案的侧面的锥角成为期望的角度。
处理方法装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN201380026450.1无效
发明人：松本直树;小山纮司;小津俊久;吉村正太 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：等离子体处理装置(1)通过使导入至处理容器(2)的处理气体等离子化，从而对收容在处理容器(2)的内部的晶圆(W)进行处理。等离子体处理装置(1)具备中央导入部(55)、周边导入部(61)、流量调整部以及控制部(49)。中央导入部(55)将含有Ar气体、He气体和蚀刻气体中的至少任意一者的处理气体导入至晶圆(W)的中央部。周边导入部(61)将处理气体导入至晶圆(W)的周边部。流量调整部用于调整自中央导入部(55)导入至晶圆(W)的中央部的处理气体的流量和自周边导入部(61)导入至晶圆(W)的周边部的处理气体的流量。控制部(49)以处理气体所含有的He气体相对于处理气体所含有的Ar气体的分压比为预定值以上的方式控制由流量调整部进行调整的处理气体的流量。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201210082584.2无效
发明人：吉川润;松本直树;三原直辉;吉川弥;吉村正太;高桥和树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够降低被处理基体的中央部分的处理速度。一个实施方式的等离子体处理装置包括：处理容器、气体供给部、微波发生器、天线、同轴波导管、保持部、电介质窗以及电介质棒。气体供给部向处理容器内供给处理气体。微波发生器发生微波。天线将等离子体激励用的微波导入处理容器内。同轴波导管设置于微波发生器与天线之间。保持部用来保持被处理基体，在同轴波导管的中心轴线延伸的方向上与天线相对配置。电介质窗设置于天线与保持部之间，且使来自天线的微波透射到处理容器内。电介质棒在保持部与电介质窗之间的区域沿着同轴波导管的中心轴线设置。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法-CN201110287142.7有效
发明人：野泽俊久;佐佐木胜;桥本润;吉村正太;小津俊久;西塚哲也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够更精确地蚀刻成所希望的形状的等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法。等离子体蚀刻处理装置11包括：在内部对被处理基板进行蚀等离子体处理的处理容器12；向处理容器12内供给等离子体处理用的气体的气体供给部13；配置在处理容器12内，在其上支承被处理基板W的支承台14；产生等离子体激励用的微波的微波发生器15；使用由微波发生器15产生的微波，在处理容器12内产生等离子体的等离子体发生单元；调整处理容器12内的压力的压力调整单元；向支承台14供给交流偏置电力的偏置电力供给单元；以交替反复地进行停止和供给的方式控制偏置电力供给单元的交流偏置电力的控制单元。
等离子体蚀刻处理装置及其方法半导体元件制造

[发明专利]微型透镜阵列的制造方法和微型透镜阵列-CN201080013593.5无效
发明人： 吉村正太;佐佐木胜 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微型透镜阵列的制造方法和微型透镜阵列。该微型透镜阵列的制造方法是在一个面上具有多个突出成大致半球面状的微型透镜的微型透镜阵列的制造方法，其包括：抗蚀剂形成工序，其用于在作为微型透镜的材料层的有机膜层上形成抗蚀剂层，该抗蚀剂层用于形成微型透镜的形状；蚀刻工序，其用于使用氟混合气体对已形成的抗蚀剂层以及有机膜层进行蚀刻，该混合气体是使含有氢的分子以及含有氟素的分子混合而成的。
微型透镜阵列制造方法

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