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[发明专利]包含参考单元的电阻式存储器装置及控制参考单元的方法-CN201811072217.8有效
发明人： 表锡洙;郑铉泽;黄素熙;宋泰中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种控制电阻式存储器中的参考单元以识别存储在多个存储单元中的值的方法。所述方法包含：将第一值写入至多个存储单元；向参考单元提供单调递增或单调递减的参考电流。所述方法包含：在将参考电流中的每一个提供给参考单元时读取多个存储单元，以及基于读取的结果的集合来确定读取参考电流。也提供一种包含参考单元的电阻式存储器装置。
包含参考单元电阻存储器装置控制方法

[发明专利]具有减小的芯片尺寸的电阻性存储器器件及其操作方法-CN201810886322.9有效
发明人： 表锡洙;郑铉泽;宋泰中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种电阻式存储器器件包括：电压发生器，根据写入使能信号的激活生成写入字线电压；开关电路，响应于写入使能信号输出写入字线电压和读取字线电压中的一个作为输出电压；字线功率路径，连接到开关电路以接收输出电压；以及根据施加到字线功率路径的电压驱动字线的字线驱动器，其中写入命令在写入使能信号激活之后的特定延迟之后开始被接收，并且响应于所接收的写入命令在写入使能信号的激活时段内执行写入操作。
具有减小芯片尺寸电阻存储器器件及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作方法-CN201810908939.6有效
发明人： 表锡洙;郑铉泽;宋泰中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本申请提供了非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元，其包括存储器单元和伪单元；行解码器，其通过字线连接至存储器单元；伪字线偏置电路，其通过伪字线连接至伪单元；写驱动器和读出放大器，其通过位线连接至存储器单元；以及伪位线偏置电路，其通过伪位线连接至伪单元。伪字线偏置电路被构造为将相同或不同的电压施加至对应的各条伪字线，以将选择的伪单元关断，和调整流动通过伪单元的漏电流；并且通过对伪单元中的漏电流的调整而使存储器单元中的漏电流保持在基本均匀的电平。
非易失性存储器装置操作方法

[发明专利]非易失性存储器器件及其操作方法-CN201711051914.0有效
发明人： 表锡洙;郑铉泽;宋泰中;徐辅永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：公开了一种非易失性存储器器件的操作方法，该操作方法包括：将不同数据存储在连接到字线的第一和第二参考单元中，检查所述不同数据是否被异常存储在第一和第二参考单元中，以及当确定所述不同数据被异常存储在第一和第二参考单元中时，交换第一和第二参考单元。
非易失性存储器器件及其操作方法

[发明专利]磁阻存储器设备，磁阻存储器系统及其操作方法-CN201810263505.5有效
发明人：金大植;表锡洙;高宽协 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C7/04 文献下载
摘要：存储器设备包括至少一个参考单元和多个存储器单元。操作存储器设备的方法可以包括检测存储器设备的温度并根据温度检测的结果控制施加到至少一个参考单元的第一读取信号的电平。该方法还可以包括将通过将第一读取信号施加到至少一个参考单元而感测到的第一感测值与通过将第二读取信号施加到多个存储器单元当中的所选择的存储器单元而感测到的第二感测值进行比较。
磁阻存储器设备系统及其操作方法

[发明专利]存储器设备及其操作方法-CN202210423510.4在审
发明人：姜圭成;表锡洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种存储器设备，包括：控制逻辑电路，基于写入命令生成写入使能信号；第一存储器单元，与第一字线和第一列线连接；第一写入电路，通过第一写入输入/输出线接收要存储在第一存储器单元中的第一写入数据，并响应于写入使能信号，基于第一写入数据向第一数据线施加写入电压；以及第一列复用器电路，响应于第一列选择信号选择第一列线并将第一列线与第一数据线连接，使得将写入电压施加到第一存储器单元。第一写入电路响应于写入使能信号而向第一列复用器电路的块体端口施加写入电压。
存储器设备及其操作方法

[发明专利]非易失性存储设备、其操作方法以及包括其的电子设备-CN202210176283.X在审
发明人：李恩知;表锡洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：可以提供一种非易失性存储设备，包括包含多个非易失性存储单元的存储单元阵列和通过字线与存储单元阵列连接的行译码器。行译码器可以被配置为响应于接收到第一行地址和第一命令，对字线当中与第一行地址相对应的第一字线预充电，并且响应于接收到与第一行地址相同的第二行地址和跟随在第一命令之后的第二命令，保持第一字线的预充电状态。
非易失性存储设备操作方法以及包括电子设备

[发明专利]非易失性存储器件-CN202010221081.3在审
发明人： 表锡洙;郑铉泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件可以包括：存储单元，包括第一可变电阻器，该第一可变电阻器的一端连接到第一节点，另一端通过单元晶体管连接到第二节点；以及参考单元，包括第二可变电阻器，该第二可变电阻器的一端连接到第三节点，另一端通过参考单元晶体管连接到第四节点，其中单元晶体管的栅极和参考单元晶体管的栅极连接到字线。存储单元中流动的第一读取电流的方向与参考单元中流动的第二读取电流的方向彼此相反。
非易失性存储器

[发明专利]用于减少泄漏电流的存储器装置-CN201910837939.6在审
发明人：阿图尔·安东尼扬;郑铉泽;表锡洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：可提供一种存储器装置，包括：包括第一磁电阻存储器单元的正常存储器单元阵列，第一磁电阻存储器单元连接到第一位线、第一源极线和第一字线，并被构造为通过第一字线接收选择电压；包括第二磁电阻存储器单元的监视器存储器单元阵列，第二磁电阻存储器单元连接到第一信号线和第二信号线，第二磁电阻存储器单元的单元晶体管的栅极被构造为接收非选择电压；和体偏置发生器，其被构造为感测流过第一信号线的泄漏电流，并基于泄漏电流控制提供到第一磁电阻存储器单元的单元晶体管的体和第二磁电阻存储器单元的单元晶体管的体中的每个的体电压。
用于减少泄漏电流存储器装置

[发明专利]存储设备及其操作方法-CN201910680939.X在审
发明人：金兑炫;金灿景;沈相元;表锡洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供了一种包括第一非易失性存储器设备和第二非易失性存储器设备的存储设备及其操作方法。该方法包括：检测突然断电；响应于检测到的突然断电，暂停第一非易失性存储器设备中正在执行的操作；将关于所暂停操作的暂停信息写入第二非易失性存储器设备；并且在突然断电之后的通电时，基于写入第二非易失性存储器设备的暂停信息，对第一非易失性存储器设备执行块管理操作。
存储设备及其操作方法

[发明专利]包括存储单元的短路可变电阻器元件的半导体存储器件-CN201610768898.6有效
发明人：徐辅永;表锡洙;高宽协;李龙圭;金大植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括存储单元中的短路可变电阻器元件。所述半导体存储器件包括：主单元和参考单元，其每个包括单元晶体管和可变电阻器元件。通过施加磁性隧道结(MTJ)元件的击穿电压、并联地连接到导电通孔元件、连接到在单元晶体管与可变电阻器元件之间的节点处的参考位线或者利用导电通孔元件替换可变电阻器元件，使所述参考单元的可变电阻器元件短路。感测放大器通过检测和放大在主单元的位线中流动的电流以及在参考电阻器所连接到的参考位线中流动的电流，来提高主单元的感测容限。
包括存储单元短路可变电阻器元件半导体器件

[发明专利]非易失性存储器和具有该非易失性存储器的存储装置-CN201510130134.X有效
发明人： 表锡洙;郑铉泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器和具有该非易失性存储器的存储装置。根据本发明构思的非易失性存储器从存储数据的真实单元和存储互补数据的互补单元执行读操作，从而增大或最大化感测容限。另外，非易失性存储器将多个真实单元/互补单元连接至字线，从而显著减小存储器单元阵列的尺寸。
非易失性存储器具有存储装置

[发明专利]用于支持纠错码的装置及其测试方法-CN201811106617.6在审
发明人： 表锡洙;郑铉泽;宋泰中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：公开一种用于支持纠错码的装置及其测试方法。一种根据本发明构思的示例实施例的用于支持用于存储器测试的测试模式的装置可包括：存储器，被配置为接收并存储写入数据，并且从存储的写入数据输出读取数据；纠错码(ECC)引擎，被配置为通过对输入数据进行编码来生成写入数据，并且当N是正整数时，通过校正包括在接收数据中的N位或更少位的错误位来生成输出数据；错误插入电路，被配置为在正常模式下将读取数据作为接收数据提供给ECC引擎，并且在测试模式下将通过使读取数据的小于N位的至少一个位反相而获得的数据作为接收数据提供给ECC引擎。
接收数据纠错码测试模式写入数据配置存储写入数据存储器测试测试存储器插入电路发明构思输出读取输出数据正常模式错误位正整数反相校正引擎存储

[发明专利]电阻式存储器装置-CN201811072218.2在审
发明人：阿图尔·安东尼杨;表锡洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式存储器装置，所述电阻式存储器装置被配置成响应于读取命令来输出存储在存储单元中的值，所述电阻式存储器装置包括：单元阵列，包括所述存储单元及参考单元；参考电阻电路，被配置成电连接到所述参考单元；偏移电流源电路，被配置成对被提供到所述参考电阻电路的读取电流加上偏移电流或者从被提供到所述参考电阻电路的所述读取电流汲取所述偏移电流；以及控制电路，被配置成控制所述偏移电流源电路来补偿所述存储单元的电阻的变化。本发明的电阻式存储器装置通过补偿存储单元的电阻的变化来准确地读取存储在存储单元中的值。
电阻式存储器装置存储单元偏移电流参考电阻电路参考单元读取电流配置源电路电阻补偿存储单元读取单元阵列读取命令控制电路输出存储电连接成对存储汲取响应

[发明专利]存储器装置和包括该存储器装置的电子装置-CN201610330376.8有效
发明人： 表锡洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：提供了一种存储器装置和包括该存储器装置的电子装置。存储器装置可以包括数据区域、参比区域和感测放大器。数据区域可以包括结合在第一位线与第一源极线之间的多个数据存储器单元。数据区域可以提供与存储在每个数据存储器单元中的数据对应的数据电压。参比区域可以包括结合在参比位线与参比源极线之间的多个参比存储器单元。参比区域可以提供参比电压。电阻电路可以包括一个或更多个电阻器，并且结合在参比源极线与电源线之间。感测放大器可以通过比较数据电压和参比电压来提供输出电压。电源线可以是接地电压或负电压。
存储器装置包括电子

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