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[发明专利]固态成像装置-CN202180089231.2在审
发明人：纳土晋一郎;山崎知洋;蛯子芳树;横川创造;荻田知治;松谷弘康;守屋雄介 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：根据本公开的固态成像装置包括多个像素(100)，每个所述像素包括：基板(140)，其具有用作光入射面的第一表面；光电转换部(121)，位于所述基板内部；遮光部(130)，其设置在所述第一表面一侧并且具有允许光入射到所述光电转换部的孔部(160)；和第一透镜(123a)，其由硅构成，其被设置在所述遮光部上并且将入射光朝着所述孔部会聚。
固态成像装置

[发明专利]光接收元件及其制造方法和电子装置-CN202180048728.X在审
发明人： 蛯子芳树 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及可以在使用Ge或SiGe提高量子效率的同时抑制暗电流的光接收元件，本技术还涉及制造光接收元件的方法以及电子装置。光接收元件包括：像素阵列区，其中像素以矩阵布置，每个像素至少具有由SiGe区或Ge区形成的光电转换区；以及AD转换部，设置在一个或多个像素的像素单元中。例如，本技术可应用于测量到对象的距离的测距模块。
接收元件及其制造方法电子装置

[发明专利]测距装置-CN202180029439.5在审
发明人：安阳太郎;蛯子芳树 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：[问题]为了提供一种可以提高量子效率和分辨率的测距装置。[解决方案]根据本公开的测距装置包括：半导体层，其具有第一面和与所述第一面相反的第二面；透镜，其设置在所述第二面侧；第一电荷存储部和第二电荷存储部，其在所述第一面侧设置在所述半导体层中；光电转换部，其在所述第一面侧与所述半导体层接触，并且包括与所述半导体层的材料不同的材料；第一电压施加部和第二电压施加部，其对所述第一电荷存储部和所述光电转换部之间以及所述第二电荷存储部和所述光电转换部之间的所述半导体层施加电压；和波导部，其以从所述第二面向所述光电转换部延伸的方式设置在所述半导体层中，并且包括与所述半导体层的材料不同的材料。
测距装置

[发明专利]固态成像器件、固态成像器件的制造方法及电子装置-CN201810298758.6有效
发明人：桝田佳明;宫波勇树;阿部秀司;平野智之;山口征也;蛯子芳树;渡边一史;荻田知治 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： G02B1/118 文献下载
摘要：本发明涉及能够在抑制混色恶化的同时提高灵敏度的固态成像器件、固态成像器件的制造方法以及电子装置。所述固态成像器件包括：基板；第一光电转换区域，其设置在所述基板中；第二光电转换区域，其设置在所述基板中；沟槽，其布置在所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域之间；第一蛾眼结构，其在所述基板的布置在所述第一光电转换区域上方的光接收侧上；第二蛾眼结构，其在所述基板的布置在所述第二光电转换区域上方的光接收侧上；第一平坦部，其布置在所述基板上，所述第一平坦部位于所述沟槽和所述第一蛾眼结构之间；以及第二平坦部，其布置在所述基板上，所述第二平坦部位于所述沟槽和所述第二蛾眼结构之间。
固态成像器件制造方法电子装置

[发明专利]光接收元件和光接收装置-CN202080086728.4在审
发明人：寄门雄飞;蛯子芳树;远藤表德;河合信宏;古闲史彦;中村信男;横川创造;若林准人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种光接收元件，其包括：半导体基板；光电转换单元(PD)，其设置在半导体基板(200)中，并且将光转换为电荷；第一电荷累积单元(MEM)，其设置在半导体基板中，并且所述电荷从所述光电转换单元传输到第一电荷累积单元；第一分配栅极(150a)，其设置在半导体基板的表面上，并且将所述电荷从所述光电转换单元分配到所述第一电荷累积单元；第二电荷累积单元(MEM)，其设置在半导体基板中，并且所述电荷从所述光电转换单元传输到第二电荷累积单元；和第二分配栅极(150b)，其设置在半导体基板的所述表面上，并且将所述电荷从所述光电转换单元分配到所述第二电荷累积单元，其中，所述第一分配栅极和所述第二分配栅极分别具有嵌入在半导体基板中的一对嵌入栅极部(170a和170b)。
接收元件装置

[发明专利]受光装置-CN202080079786.4在审
发明人：中村信男;蛯子芳树;远藤表德;河合信宏;古闲史彦;横川创造;寄门雄飞;若林准人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：在受光装置(1)中，受光元件(10)包括将光转换成电荷的第一光电转换单元(PD)、从第一光电转换单元向其传输电荷的第一电荷累积单元(MEM)、将电荷从第一光电转换单元分配到第一电荷累积单元的第一分配栅极(150)、从第一光电转换单元向其传输电荷的第二电荷累积单元(MEM)和将电荷从第一光电转换单元分配到第二电荷累积单元的第二分配栅极(150)，其中当从半导体基板(200)的上方观察时，第一分配栅极和第二分配栅极设置在相对于第一中心轴彼此呈线对称的位置处，第一中心轴沿着与列方向以预定角度相交的方向延伸通过第一光电转换单元的中心。
装置

[发明专利]光接收元件和光接收装置-CN202080075721.2在审
发明人：寄门雄飞;蛯子芳树;远藤表德;河合信宏;古闲史彦;中村信男;横川创造;若林准人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种光接收元件，包括：光电转换单元(PD)，其被设置在半导体基板(200)中并将光转换为电荷；第一电荷累积单元(MEM)，电荷从光电转换单元传输到第一电荷累积单元(MEM)；第二电荷累积单元(MEM)，电荷从光电转换单元传输到第二电荷累积单元。第一电荷累积单元和第二电荷累积单元中的每个包括构成叠层的电极(154a)、第一绝缘层和半导体层(102a)。
接收元件装置

[发明专利]光接收元件、测距模块和电子设备-CN202080065708.9在审
发明人： 蛯子芳树;横川创造;成瀬纯次 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提出一种光接收元件，其包括：芯片上透镜；互连层；和布置在所述芯片上透镜与所述互连层之间的半导体层。所述半导体层包括光电二极管、像素间沟槽部和像素内沟槽部。所述像素间沟槽部是通过在相邻像素的边界部处挖掘所述半导体层的深度方向上的至少一部分而形成的。所述像素内沟槽部是通过在平面图中与所述光电二极管的一部分重叠的位置处从所述半导体层的正面或背面挖掘预定深度而形成的。
接收元件测距模块电子设备

[发明专利]受光元件和电子设备-CN202010595900.0有效
发明人： 蛯子芳树;闺宏司;佐野拓也 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及受光元件和电子设备。其中，所述受光元件可包括：第一沟槽部，设置在半导体层中，所述半导体层在截面图中位于片上透镜和多层配线层之间；第二沟槽部，在所述截面图中位于所述半导体层中且邻近所述第一沟槽部；光电二极管，在所述截面图中位于所述半导体层中且在所述第一沟槽部和所述第二沟槽部之间；第一传输晶体管，将所述光电二极管中生成的电荷传输至第一浮动扩散区域；以及第二传输晶体管，将所述光电二极管中生成的电荷传输至第二浮动扩散区域，其中，所述多层配线层包括：第一配线层，其中，所述第一配线层包括：连接到所述第一传输晶体管的第一栅极的第一配线、连接到所述第二传输晶体管的第二栅极的第二配线，以及遮光构件。
元件电子设备

[发明专利]受光元件、测距模块和电子设备-CN202080063329.6在审
发明人：小室雄太郎;蛯子芳树;山岸肇 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及一种能够减少入射光泄漏到相邻像素中的受光元件、测距模块和电子设备。所述受光元件包括：半导体层，在其中以像素为单位形成有对红外光进行光电转换的光电二极管；和配线层，在其中形成有读出由所述光电二极管产生的电荷的传输晶体管，其中在所述配线层的像素边界部处形成有遮挡红外光的像素间遮光单元。本技术可以适用于例如测量到被摄体的距离的测距模块等。
元件测距模块电子设备

[发明专利]受光元件、测距模块和电子设备-CN202080063325.8在审
发明人：小室雄太郎;蛯子芳树;荻田知治 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及一种能够减少入射光泄漏到相邻像素中的受光元件、测距模块和电子设备。所述受光元件包括：片上透镜；配线层；和半导体层，所述半导体层配置在所述片上透镜和所述配线层之间并包括光电二极管，其中所述配线层包括反射膜，所述反射膜被配置为当在平面图中观察时其至少一部分与所述光电二极管重叠，和读出由所述光电二极管产生的电荷的传输晶体管，其中所述反射膜由与电气连接到所述传输晶体管的栅极的金属配线不同的材料形成。本技术可以适用于例如测量到被摄体的距离的测距模块等。
元件测距模块电子设备

[发明专利]固态摄像装置和测距装置-CN202080028811.6在审
发明人：横川创造;森山祐介;河合信宏;寄门雄飞;古闲史彦;蛯子芳树;远藤表德;若林准人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：根据本发明，提高了测距精度。根据实施方案的固态摄像装置包括像素阵列部(101)，多个像素(20‑1)以矩阵状布置在该像素阵列部(101)中，其中，各个所述像素包括：多个光电转换单元(211,212)，其对入射光进行光电转换以产生电荷；浮动扩散区域(27)，其中累积电荷；多个传输电路(23,24,25)，其将所述多个光电转换单元中的各者中产生的电荷传输到所述浮动扩散区域；和第一晶体管(28)，其使具有与累积在所述浮动扩散区域中的所述电荷的电荷量相对应的电压值的像素信号出现在信号线上。
固态摄像装置测距

[发明专利]成像元件和成像装置-CN201880003479.0有效
发明人： 蛯子芳树 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本技术涉及能够抑制颜色混合的成像元件和成像装置。所述成像元件包括像素阵列部，其包括对入射光进行光电转换的多个像素；所述像素包括第一信号提取部，其包括施加电极和用于检测通过光电转换产生的信号载流子的抽取电极，所述施加电极连接到第一驱动线以施加电压并用于通过施加电压产生电场，和第二信号提取部，其包括连接到第二驱动线以施加电压的施加电极和抽取电极，其中从预定像素的第一信号提取部到所述预定像素的第二信号提取部的距离短于从所述预定像素的第一信号提取部到与所述预定像素相邻的另一像素的第二信号提取部的距离。本技术可以适用于成像装置。
成像元件装置

[发明专利]固体摄像装置和电子设备-CN201980052169.2在审
发明人： 蛯子芳树 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种在用于可见光的像素和用于近红外光的像素形成在同一基板的情况下既能够抑制由用于近红外光的像素导致的混色又能够确保用于可见光的像素的饱和电荷量的固体摄像装置。该固体摄像装置包括：基板、形成在基板上的第一至第三光电转换部、选择性地布置在第一和第二光电转换部的光入射表面侧的红外吸收滤波器、布置在第一至第三光电转换部的光入射表面侧的第一至第三滤色器、布置在第一和第二光电转换部之间的第一元件隔离部和布置在第二和第三光电转换部之间的第二元件隔离部，且第一元件隔离单元的沿着第一和第二光电转换部排列的方向的横截面积大于第二元件隔离单元的沿着第二和第三光电转换部排列的方向的横截面积。
固体摄像装置电子设备

[发明专利]受光元件和电子设备-CN202010595353.6在审
发明人： 蛯子芳树;闺宏司;佐野拓也 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及受光元件和电子设备。其中，所述受光元件可包括：第一沟槽部，所述第一沟槽部设置在半导体层中，所述半导体层在截面图中位于片上透镜和多层配线层之间；第二沟槽部，所述第二沟槽部在所述截面图中位于所述半导体层中且邻近所述第一沟槽部；光电二极管，所述光电二极管在所述截面图中位于所述半导体层中且在所述第一沟槽部和所述第二沟槽部之间；第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述光电二极管中生成的电荷传输至第一浮动扩散区域；第二传输晶体管，所述第二传输晶体管将所述光电二极管中生成的电荷传输至第二浮动扩散区域；以及电荷排出晶体管，所述电荷排出晶体管排出所述光电二极管中累积的电荷。
元件电子设备

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