“寄门雄飞”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]固态摄像元件和摄像装置-CN202211272583.4在审
发明人： 寄门雄飞;戸田淳;井上晋 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本发明，能够提高在低照度环境中的灵敏度和分辨率。根据本发明的固态摄像元件设置有第一像素，其包含第一光电二极管，在施加有超过击穿电压的电压的状态下，所述第一光电二极管输出与入射至所述第一光电二极管上的光相对应的电信号；和第二像素，其包含第二光电二极管和滤色器，所述第二光电二极管输出与入射至所述第二光电二极管上的光相对应的电信号，且不同于所述第一光电二极管，其中，所述第一像素和所述第二像素以二维阵列形式布置，且每一所述第一像素设置在相邻的所述第二像素之间，其中，由所述第一像素和所述第二像素形成的2*2矩阵中包含一个或两个所述第一像素。
固态摄像元件装置

[发明专利]固态摄像元件和摄像装置-CN201680042936.8有效
发明人： 寄门雄飞;戸田淳;井上晋 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本发明，能够提高具有SPAD的固态摄像元件中的检查效率，在SPAD中在中心部分布置有电极和配线。根据本发明的固态摄像元件设置有光电二极管和光聚集部。光电二极管包括光接收表面和布置在所述光接收表面上的电极，并且在所述电极施加有超过击穿电压的电压的状态下，所述光电二极管输出根据入射到所述光接收表面上的光的电信号。所述光聚集部使来自被摄体的光聚集到除了布置有所述电极的区域之外的所述光接收表面。
固态摄像元件装置

[发明专利]固体摄像器件、电子设备以及固体摄像器件的制造方法-CN201680045598.3有效
发明人：井上晋;寄门雄飞;户田淳 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及：能够防止雪崩光电二极管的光接收灵敏度降低的固体摄像器件；电子设备；以及固体摄像器件的制造方法。这个固体摄像器件设置有：雪崩光电二极管，所述雪崩光电二极管包括第一导电类型的第一区域、第二导电类型的第二区域和雪崩区域，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同，所述雪崩区域夹在所述第一区域与所述第二区域之间，且所述第一区域、所述第二区域和所述雪崩区域沿半导体基板的厚度方向延伸；以及膜，所述膜被形成在所述半导体基板的至少一侧上，且所述膜包括金属氧化物膜、金属氮化物膜、或金属氧化物膜和金属氮化物膜的混合晶体系膜。例如，本技术可以被应用到CMOS图像传感器。
固体摄像器件电子设备以及制造方法

[发明专利]光接收元件和光接收装置-CN202080086728.4在审
发明人： 寄门雄飞;蛯子芳树;远藤表德;河合信宏;古闲史彦;中村信男;横川创造;若林准人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种光接收元件，其包括：半导体基板；光电转换单元(PD)，其设置在半导体基板(200)中，并且将光转换为电荷；第一电荷累积单元(MEM)，其设置在半导体基板中，并且所述电荷从所述光电转换单元传输到第一电荷累积单元；第一分配栅极(150a)，其设置在半导体基板的表面上，并且将所述电荷从所述光电转换单元分配到所述第一电荷累积单元；第二电荷累积单元(MEM)，其设置在半导体基板中，并且所述电荷从所述光电转换单元传输到第二电荷累积单元；和第二分配栅极(150b)，其设置在半导体基板的所述表面上，并且将所述电荷从所述光电转换单元分配到所述第二电荷累积单元，其中，所述第一分配栅极和所述第二分配栅极分别具有嵌入在半导体基板中的一对嵌入栅极部(170a和170b)。
接收元件装置

[发明专利]受光装置-CN202080079786.4在审
发明人：中村信男;蛯子芳树;远藤表德;河合信宏;古闲史彦;横川创造;寄门雄飞;若林准人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：在受光装置(1)中，受光元件(10)包括将光转换成电荷的第一光电转换单元(PD)、从第一光电转换单元向其传输电荷的第一电荷累积单元(MEM)、将电荷从第一光电转换单元分配到第一电荷累积单元的第一分配栅极(150)、从第一光电转换单元向其传输电荷的第二电荷累积单元(MEM)和将电荷从第一光电转换单元分配到第二电荷累积单元的第二分配栅极(150)，其中当从半导体基板(200)的上方观察时，第一分配栅极和第二分配栅极设置在相对于第一中心轴彼此呈线对称的位置处，第一中心轴沿着与列方向以预定角度相交的方向延伸通过第一光电转换单元的中心。
装置

[发明专利]光接收元件和光接收装置-CN202080075721.2在审
发明人： 寄门雄飞;蛯子芳树;远藤表德;河合信宏;古闲史彦;中村信男;横川创造;若林准人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种光接收元件，包括：光电转换单元(PD)，其被设置在半导体基板(200)中并将光转换为电荷；第一电荷累积单元(MEM)，电荷从光电转换单元传输到第一电荷累积单元(MEM)；第二电荷累积单元(MEM)，电荷从光电转换单元传输到第二电荷累积单元。第一电荷累积单元和第二电荷累积单元中的每个包括构成叠层的电极(154a)、第一绝缘层和半导体层(102a)。
接收元件装置

[发明专利]固态摄像装置和测距装置-CN202080028811.6在审
发明人：横川创造;森山祐介;河合信宏;寄门雄飞;古闲史彦;蛯子芳树;远藤表德;若林准人 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：根据本发明，提高了测距精度。根据实施方案的固态摄像装置包括像素阵列部(101)，多个像素(20‑1)以矩阵状布置在该像素阵列部(101)中，其中，各个所述像素包括：多个光电转换单元(211,212)，其对入射光进行光电转换以产生电荷；浮动扩散区域(27)，其中累积电荷；多个传输电路(23,24,25)，其将所述多个光电转换单元中的各者中产生的电荷传输到所述浮动扩散区域；和第一晶体管(28)，其使具有与累积在所述浮动扩散区域中的所述电荷的电荷量相对应的电压值的像素信号出现在信号线上。
固态摄像装置测距

[发明专利]固态摄像装置和电子设备-CN201880022655.5在审
发明人：田川幸雄;吉川浩二;寄门雄飞;马场公一 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种摄像装置，所述摄像装置包括多个像素(200‑1)。所述多个像素中的像素(200‑1)包括：第一布线，其连接到浮动扩散(221)；第二布线，其与所述第一布线相对，从而形成布线电容(Cfd‑vsl)；具有反馈电容的像素放大器(214)，所述反馈电容基于所述布线电容；以及垂直信号线(22)，其布置用于输出来自所述浮动扩散的信号。所述布线电容形成在所述浮动扩散和所述垂直信号线之间。
布线电容浮动扩散布线像素垂直信号线反馈电容摄像装置像素放大器输出

[发明专利]固体摄像器件、固体摄像器件制造方法以及电子装置-CN201010553219.6有效
发明人： 寄门雄飞;宫泽信二;柳田刚志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了固体摄像器件、固体摄像器件制造方法以及电子装置。所述固体摄像器件包括：半导体层；绝缘材料，它处于穿透所述半导体层的开口中；以及保护膜，它具有耐蚀刻性，并覆盖着所述绝缘材料的位于所述半导体层内侧的一端部。所述固体摄像器件制造方法包括如下步骤：形成穿透半导体层的开口；用绝缘材料填充所述开口；并且在所述开口的位于所述半导体层内侧的一端部处，形成具有耐蚀刻性的保护膜。根据本发明，能够在不会增加工序数量的前提下获得具有高可靠性的固体摄像器件。另外，能够获得使用该固体摄像器件的电子装置。
固体摄像器件制造方法以及电子装置

1
共 9 条