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[发明专利]耐高温之聚酰亚胺膜-CN202110490230.0在审
发明人：何宜学;蔡家量;谢佳勋 -专利权人：达迈科技股份有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本申请为一种耐高温之聚酰亚胺膜，该耐高温聚酰亚胺膜含有金属错合物，该耐高温聚酰亚胺膜由芳香族二胺与芳香族二酸酐所得之聚酰胺酸经由酰亚胺化后而得，该耐高温聚酰亚胺膜之玻璃移转温度大于310℃，且其高温310℃下之储存弹性模数大于等于0.7GPa，且在10GHz下之介电损耗正切(Df)小于0.009，50℃至200℃间的CTE介于‑10～10ppm/℃之间。
耐高温聚酰亚胺

[发明专利]一种低介电损失之聚酰亚胺膜-CN202110053400.9在审
发明人： 蔡家量;何宜学 -专利权人：达迈科技股份有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本申请为一种低介电损失的聚酰亚胺膜，其系由共聚聚酰胺酸经由化学环化法制得而成，其中共聚聚酰胺酸至少需具有3,3',4,4'‑联苯四甲酸二酐(3,3’,4,4’－biphenyltetracarboxylic dianhydride；BPDA)与对苯二胺(p－phenylene diamine；p－PDA)以及下述化学式(A)之二胺的组成：化学式(A):其中，BPDA的摩尔数需占该共聚聚酰胺酸之二酸酐总摩尔数之百分比60以上，以及p‑PDA的摩尔数需占该共聚聚酰胺酸之二胺总摩尔数之百分比50以上，及化学式(A)的摩尔数需占该共聚聚酰胺酸之二胺总摩尔数之百分比30以上反应组成；以及该聚酰亚胺膜具有玻璃转移温度Tg大于280℃，介电损耗正切Df(@10GHz)小于0.008及热线膨胀系数CTE小于12ppm/℃。
一种低介电损失聚酰亚胺

[发明专利]用于金属化的聚酰亚胺膜、基板结构及电路基板-CN201810035644.2在审
发明人：金进兴;黄盛裕;锺文轩;蔡家量;黄奕嘉;罗吉欢;陈宗仪;陈文钦;林巧燕 -专利权人：达迈科技股份有限公司;柏弥兰金属化研究股份有限公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明公开一种用于金属化的聚酰亚胺膜、基板结构及电路基板，本发明的聚酰亚胺膜通过混入多个雾化颗粒而具有特定的雾度与透光率，优选地，聚酰亚胺膜的雾度介于60％至80％之间，且透光率介于55％至70％之间。借此，能符合软性印刷电路板的生产需求。
聚酰亚胺膜基板结构金属化透光率雾度软性印刷电路板电路基板生产需求雾化颗粒混入优选路基