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[发明专利]一种具有双回滞特性的用于静电防护的可控硅-CN201510177637.2在审
发明人： 董树荣;郭维;钟雷;曾杰;王炜槐;俞志辉 -专利权人：江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双回滞特性的用于静电防护的可控硅，包括P型衬底、N阱、P阱、P+注入区、N+注入区、多晶硅栅、浅槽隔离、阴极、阳极，所述N阱包括第一N阱、第二N阱，所述N+注入区包括第一N+注入区、第二N+注入区，所述P型衬底上沿横向依次设置有第一N阱、P阱、第二N阱；所述P+注入区设置在第一N阱上，所述第一N+注入区跨设在第一N阱和P阱上，所述第二N+注入区跨设在P阱和第二N阱上；所述多晶硅栅设置在P阱上；所述P+注入区、第一N+注入区均接入阳极，所述多晶硅栅和第二N+注入区均接入阴极。本发明实现双重回滞，从而具有触发电压低、维持电压高的特性，能够有效起到静电防护作用。
一种具有双回滞特性用于静电防护可控硅

[实用新型]用于紫外探测的薄膜体声波谐振器-CN201420295036.2有效
发明人：胡娜娜;董树荣;骆季奎;郭维;卞晓磊 -专利权人：江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司
申请日： 2014-06-04 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于紫外探测的薄膜体声波谐振器，包括连续堆叠在同一个衬底上成为一体的压电振荡堆和声波反射层；压电振荡堆包括自下而上依次沉积的底电极、压电层和上电极；上电极的材质为具有紫外透射性且能够与压电层形成肖特基结的金属薄膜，便于紫外光线透过上电极照射在压电层上；当紫外光照射在上电极时，入射的光量子在ZnO耗尽区会诱导产生电子-空穴对，增大了材料中载流子的浓度，降低了体声波在压电振荡堆内的传播速度，从而薄膜体声波谐振器的谐振频率发生改变。本实用新型中用于紫外探测的薄膜体声波谐振器的尺寸较小，制作成本低，制备工艺简单，并且能够反复使用。
用于紫外探测薄膜声波谐振器

[发明专利]用于紫外探测的薄膜体声波谐振器及其制备方法-CN201410245703.0在审
发明人：胡娜娜;董树荣;骆季奎;郭维;卞晓磊 -专利权人：江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司
申请日： 2014-06-04 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于紫外探测的薄膜体声波谐振器及其制备方法，包括连续堆叠在同一个衬底上成为一体的压电振荡堆和声波反射层；压电振荡堆包括自下而上依次沉积的底电极、压电层和上电极；上电极的材质为具有紫外透射性且能够与压电层形成肖特基结的金属薄膜，便于紫外光线透过上电极照射在压电层上；当紫外光照射在上电极时，入射的光量子在ZnO耗尽区会诱导产生电子-空穴对，增大了材料中载流子的浓度，降低了体声波在压电振荡堆内的传播速度，从而薄膜体声波谐振器的谐振频率发生改变。本发明中用于紫外探测的薄膜体声波谐振器的尺寸较小，制作成本低，制备工艺简单，并且能够反复使用。
用于紫外探测薄膜声波谐振器及其制备方法

[发明专利]基于薄膜体声波谐振器的MEMS红外传感器制备方法-CN201410245702.6有效
发明人：胡娜娜;董树荣;骆季奎;郭维;卞晓磊 -专利权人：江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司
申请日： 2014-06-04 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于薄膜体声波谐振器的MEMS红外传感器，及其制备方法，依次包括金属块、压电振荡堆和声波反射层；压电振荡堆和金属块依次沉积在声波反射层上，压电振荡堆包括依次沉积在声波反射层上的底电极、压电层、上电极；上电极位于红外传感器表面即称为红外窗口薄膜，其材质为具有红外透射率的导电薄膜，便于红外光线透过上电极照射在压电层上；声波反射层包括基片、基片上沉积的支撑层、以及基片与支撑层之间的空气腔；压电振荡堆沉积在支撑层上；本发明中MEMS红外传感器的尺寸较小，制作成本低，制备工艺简单，并且能够反复使用，且可批量生产并集成阵列、制造成本低、易于同外部电路相兼容、无需制冷、对整个红外波段敏感等特点。
基于薄膜声波谐振器 mems 红外传感器制备方法

[实用新型]薄膜体声波谐振器结构-CN201320886244.5有效
发明人： 董树荣;陈国豪;郭维;卞晓磊;胡娜娜 -专利权人：江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本实用新型公开了薄膜体声波谐振器结构，包括基片和设于基片表面的压电堆，基片包括集成电路芯片和设于集成电路芯片表面的聚酰亚胺层，集成电路芯片与压电堆通过互连通孔相连接。本实用新型提供的薄膜体声波谐振器结构简单可靠，集成机械牢度强，便于传感，应用于射频或传感系统，适合于各种繁杂的环境，具有良好的应用前景。
薄膜声波谐振器结构

[实用新型]一种双重抗闩锁的环形LDMOS-SCR结构的高压ESD保护器件-CN201320819393.X有效
发明人：梁海莲;顾晓峰;董树荣;丁盛 -专利权人：江南大学
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种双重抗闩锁的环形LDMOS-SCR结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC的高压ESD保护电路。包括P型衬底、N型埋层、第一P阱、第一N阱、第二P阱、P掺杂、第二N阱、第三P阱、隔离区、第一P+、第一N+、第二N+、第二P+、第三N+、第三P+、第四N+、第四P+、第五N+、第六N+、第五P+、金属阳极、金属阴极。其中由第二N+、第二P+、第一N+、第一P+或由第四P+、第五N+、第六N+、第五P+构成齐纳击穿ESD电流泄放路径，不仅可增强器件的ESD鲁棒性，还可提高维持电压，降低触发电压；LDMOS-SCR结构的环形版图设计，可减小导通电阻，提高维持电流；具有双重抗闩锁的ESD保护能力。
一种双重抗闩锁环形 ldmos scr 结构高压 esd 保护器件

[实用新型]一种具有高维持电流的环形VDMOS结构的ESD保护器件-CN201320801656.4有效
发明人：梁海莲;顾晓峰;黄龙;董树荣 -专利权人：江南大学
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种具有高维持电流的环形VDMOS结构的ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底，N埋层，P下沉掺杂，N阱，P阱，第一P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第二P+注入区，第三N+注入区，第四N+注入区，第五P+注入区，多晶硅栅，栅薄氧化层和若干场氧隔离区构成。该环形VDMOS结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面可形成上、下、左、右四面导通的ESD电流路径，以提高VDMOS器件内部电流导通均匀性、降低导通电阻，提高器件的维持电流。另一方面，可利用高浓度的N埋层与P阱之间的反向PN结击穿，降低触发电压，提高体电流泄放能力。
一种具有维持电流环形 vdmos 结构 esd 保护器件

[实用新型]一种齐纳击穿的小回滞SCR结构的高压ESD保护器件-CN201320799954.4有效
发明人：梁海莲;顾晓峰;毕秀文;董树荣 -专利权人：江南大学
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种齐纳击穿的小回滞SCR结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC的高压ESD保护电路。包括P型衬底、N型埋层、第一N阱、P阱、下沉P掺杂、第二N阱、隔离区、第一N+、第一P+、第二N+、第二P+、第三N+、第三P+、第四N+、第四P+、第五N+、第五P+、金属阳极、金属阴极。其中由第一金属阳极、金属阴极、第一N+、第一P+、第三N+、第三P+、第二N+、第二P+或由第二金属阳极、金属阴极、第五N+、第五P+、第三N+、第三P+、第四N+、第四P+构成齐纳击穿ESD电流泄放路径。齐纳击穿ESD电流泄放路径不仅可增强器件的ESD鲁棒性，还可提高器件的维持电压，适用于窄小ESD窗口的高压ESD保护。
一种击穿小回滞 scr 结构高压 esd 保护器件

[实用新型]一种具有高维持电流强鲁棒性的LDMOS-SCR结构的ESD自保护器件-CN201420033295.8有效
发明人：梁海莲;黄龙;毕秀文;顾晓峰;董树荣 -专利权人：江南大学
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种具有高维持电流强鲁棒性的LDMOS-SCR结构的ESD自保护器件，可用于片上IC高压ESD自保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第二N+注入区、第一场氧隔离区、薄栅氧化层、第二场氧隔离区、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区和多晶硅栅构成。本实用新型设计的LDMOS-SCR结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，可分别形成寄生LDMOS-SCR结构和两个二极管与LDMOS导电沟道相连的ESD电流泄放路径，快速泄放ESD电流，提高器件触发回滞后的维持电流和失效电流、增强器件的ESD鲁棒性，适用于高压电路的ESD自保护。
一种具有维持电流强鲁棒性 ldmos scr 结构 esd 保护器件

[发明专利]一种具有高维持电流强鲁棒性的LDMOS-SCR结构的ESD自保护器件-CN201410024428.X有效
发明人：梁海莲;黄龙;毕秀文;顾晓峰;董树荣 -专利权人：江南大学
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种具有高维持电流强鲁棒性的LDMOS-SCR结构的ESD自保护器件，可用于片上IC高压ESD自保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第二N+注入区、第一场氧隔离区、薄栅氧化层、第二场氧隔离区、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区和多晶硅栅构成。本发明设计的LDMOS-SCR结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，可分别形成寄生LDMOS-SCR结构和两个二极管与LDMOS导电沟道相连的ESD电流泄放路径，快速泄放ESD电流，提高器件触发回滞后的维持电流和失效电流、增强器件的ESD鲁棒性，适用于高压电路的ESD自保护。
一种具有维持电流强鲁棒性 ldmos scr 结构 esd 保护器件

[发明专利]薄膜体声波谐振器结构及其制备方法-CN201310747829.3无效
发明人： 董树荣;陈国豪;郭维;卞晓磊;胡娜娜 -专利权人：江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了薄膜体声波谐振器结构及其制备方法，直接在集成电路芯片表面均匀旋涂一层聚酰亚胺液体涂层，然后高温170℃-250℃之间固化形成聚酰亚胺层，在聚酰亚胺层表面沉积压电堆结构，并利用聚酰亚胺层作为声反射层，再制备互连通孔，通过互连通孔将整个薄膜体声波谐振器结构与集成电路芯片的集成电路实现电学连接。本发明提供的薄膜体声波谐振器结构及其制备方法，薄膜体声波谐振器结构包括集成电路芯片、聚酰亚胺层及压电堆，结构简单可靠，集成机械牢度强，便于传感，应用于射频或传感系统，适合于各种繁杂的环境，该薄膜体声波谐振器结构的制备方法简单快速，缩短了生产周期，降低了生产成本，具有良好的应用前景。
薄膜声波谐振器结构及其制备方法

[发明专利]一种双重抗闩锁的环形LDMOS-SCR结构的高压ESD保护器件-CN201310677835.6有效
发明人：梁海莲;顾晓峰;董树荣;丁盛 -专利权人：江南大学
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种双重抗闩锁的环形LDMOS-SCR结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC的高压ESD保护电路。包括P型衬底、N型埋层、第一P阱、第一N阱、第二P阱、P掺杂、第二N阱、第三P阱、隔离区、第一P+、第一N+、第二N+、第二P+、第三N+、第三P+、第四N+、第四P+、第五N+、第六N+、第五P+、金属阳极、金属阴极。其中由第二N+、第二P+、第一N+、第一P+或由第四P+、第五N+、第六N+、第五P+构成齐纳击穿ESD电流泄放路径，不仅可增强器件的ESD鲁棒性，还可提高维持电压，降低触发电压；LDMOS-SCR结构的环形版图设计，可减小导通电阻，提高维持电流；具有双重抗闩锁的ESD保护能力。
一种双重抗闩锁环形 ldmos scr 结构高压 esd 保护器件

[发明专利]一种具有高维持电流的环形VDMOS结构的ESD保护器件-CN201310657917.4有效
发明人：梁海莲;顾晓峰;黄龙;董树荣 -专利权人：江南大学
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种具有高维持电流的环形VDMOS结构的ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底，N埋层，P下沉掺杂，N阱，P阱，第一P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第二P+注入区，第三N+注入区，第四N+注入区，第五P+注入区，多晶硅栅，栅薄氧化层和若干场氧隔离区构成。该环形VDMOS结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面可形成上、下、左、右四面导通的ESD电流路径，以提高VDMOS器件内部电流导通均匀性、降低导通电阻，提高器件的维持电流。另一方面，可利用高浓度的N埋层与P阱之间的反向PN结击穿，降低触发电压，提高体电流泄放能力。
一种具有维持电流环形 vdmos 结构 esd 保护器件

[发明专利]一种齐纳击穿的小回滞SCR结构的高压ESD保护器件-CN201310658694.3有效
发明人：梁海莲;顾晓峰;毕秀文;董树荣 -专利权人：江南大学
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种齐纳击穿的小回滞SCR结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC的高压ESD保护电路。包括P型衬底、N型埋层、第一N阱、P阱、下沉P掺杂、第二N阱、隔离区、第一N+、第一P+、第二N+、第二P+、第三N+、第三P+、第四N+、第四P+、第五N+、第五P+、金属阳极、金属阴极。其中由第一金属阳极、金属阴极、第一N+、第一P+、第三N+、第三P+、第二N+、第二P+或由第二金属阳极、金属阴极、第五N+、第五P+、第三N+、第三P+、第四N+、第四P+构成齐纳击穿ESD电流泄放路径。齐纳击穿ESD电流泄放路径不仅可增强器件的ESD鲁棒性，还可提高器件的维持电压，适用于窄小ESD窗口的高压ESD保护。
一种击穿小回滞 scr 结构高压 esd 保护器件

[实用新型]高维持电压的静电放电防护TVS器件-CN201320415951.6有效
发明人： 董树荣;曾杰;钟雷;郭维 -专利权人：江苏艾伦摩尔微电子科技有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高维持电压的静电放电防护TVS器件，包括单元器件，单元器件包括P衬底；包括P衬底，高压N阱，P阱，第一N+有源注入区、第二N+有源注入区、第三N+有源注入区，第一P+有源注入区、第二P+有源注入区以及氧化层和多晶硅栅；第一N+有源注入区通过金属线引出作为单元器件的阳极，多晶硅栅通过金属线与第三N+有源注入区和第二P+有源注入区相连并引出作为单元器件的阴极。本实用新型一种高维持电压的静电放电防护器件不仅具有良好的静电泄放能力，而且有很高的维持电压，在集成电路工作时发生ESD事件也能有效的防护，避免了栓锁问题。
维持电压静电放电防护 tvs 器件