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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201910115198.0有效
发明人：铃木优;菊地祥子;稻叶芽里;村上润;重冈隆;稻垣洋;奥畠隆嗣 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：实施方式提供一种较好运行的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体衬底；多个第1焊垫电极，设置于半导体衬底；多条第1配线，与多个第1焊垫电极分别电气连接；第1电极，与多条第1配线共通连接；第2焊垫电极，设置于半导体衬底；及第1电阻部与第1保护元件，串联连接于第1电极与第2焊垫电极之间。
半导体装置

[发明专利]NAND型非易失性半导体存储装置-CN200910130661.5无效
发明人： 菊地祥子;中崎靖;村冈浩一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种将铝氧化物膜作为阻挡绝缘膜的高性能的MONOS型的NAND型非易失性半导体存储装置。在半导体基板中，具备串联连接的多个存储单元晶体管、和选择晶体管。存储单元晶体管具备：半导体基板上的第一绝缘膜；电荷积蓄层；作为铝氧化物的第二绝缘膜；第一控制栅电极；以及第一源/漏区域。选择晶体管具备：半导体基板上的第三绝缘膜；作为铝氧化物且含有四价阳离子元素、五价阳离子元素、N(氮)中的至少一种元素的第四绝缘膜；第二控制栅电极(108b)；以及第二源/漏区域。
nand 型非易失性半导体存储装置

[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法-CN200910130660.0无效
发明人：新宫昌生;菊地祥子;高岛章;井野恒洋;村冈浩一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。在半导体器件中，侧壁由SiO₂、SiN或SiON构成，并且顶部绝缘膜或栅极绝缘膜由包括Al、Si和金属元素M的氧化物构成，使得数量比Si/M被设置为不小于在包括金属元素M和Al的复合氧化物中的SiO₂组分处于固溶度极限的情况下的数量比Si/M、并且被设置为不大于在介电常数等于Al₂O₃的介电常数的情况下的数量比Si/M，并且使得数量比Al/M被设置为不小于在由于Al元素而抑制了所述金属元素M的氧化物的结晶的情况下的数量比Al/M、并且被设置为不大于在由于金属元素M而抑制了Al₂O₃的结晶的情况下的数量比Al/M。
半导体器件以及用于制造方法

[发明专利]半导体存储元件-CN200910007879.1无效
发明人：井野恒洋;安田直树;村冈浩一;藤木润;菊地祥子;有吉惠子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-02-20 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一种半导体存储元件，包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的具有Bevan簇的HfON电荷存储膜；形成在HfON电荷存储膜上的阻挡膜；和形成在阻挡膜上的栅电极。
半导体存储元件

[发明专利]非易失性存储元件及其制造方法-CN200910008226.5无效
发明人：有吉惠子;高岛章;菊地祥子;村冈浩一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-02-19 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储元件及其制造方法。该非易失性存储元件包括：半导体区；相互隔开地设置在所述半导体区中的源区和漏区；设置在源区与漏区之间的半导体区上的隧道绝缘膜；设置在所述隧道绝缘膜上的电荷存储层；设置在所述电荷存储层上的阻挡绝缘膜；以及设置在所述阻挡绝缘膜上的控制栅电极。所述电荷存储层包括含有从包括Hf、Al、Zr、Ti和稀土金属的组中选择的至少一种材料、并且被全部或者部分地晶化的氧化物、氮化物或氧氮化物。所述阻挡绝缘膜包括含有至少一种稀土金属的氧化物、氧氮化物、硅酸盐或铝酸盐。
非易失性存储元件及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储器器件和其制造方法-CN200810149776.4无效
发明人：中崎靖;村冈浩一;安田直树;菊地祥子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-09-25 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一种能够电地写、擦除、读和保持数据的MONOS型非易失性半导体存储器器件，该存储器器件包括：源/漏区域；在沟道区上形成的第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上形成的第一电荷俘获层；形成于第一电荷俘获层上，并且具有比第一栅绝缘层更大的膜厚度的第二栅绝缘层；以及在第二栅绝缘层上形成的控制电极。第一电荷俘获层包括包含Al和O作为主要元素的绝缘膜，该绝缘膜具有由间隙O原子和置换Al原子的四价阳离子原子的复合物形成的缺陷对或由氧空位和置换O原子的N原子的复合物形成的缺陷对，所述绝缘膜还具有位于距离Al₂O₃的价带最大值2eV-6eV的范围内的电子未占据能级。
非易失性半导体存储器器件制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储器件-CN200810213079.0有效
发明人：有吉恵子;高岛章;菊地祥子;村冈浩一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-08-28 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：根据本发明的一个实例的非易失性半导体存储器件包括半导体区域，在半导体区域中分开地布置的源极/漏极区，布置在源极/漏极区之间的沟道区域上的隧道绝缘薄膜，布置在隧道绝缘薄膜上的浮栅电极，布置在浮栅电极上的电极间绝缘薄膜，以及布置在电极间绝缘薄膜上的控制栅电极。电极间绝缘薄膜包含La、Al和Si。
非易失性半导体存储器件

[发明专利]非易失性半导体存储元件及其制造方法-CN200810146362.6无效
发明人：高岛章;菊地祥子;村冈浩一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-08-27 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一种非易失性半导体存储元件，包括：半导体衬底、在半导体衬底中分开提供的源区和漏区、在半导体衬底上源区和漏区之间提供的隧道绝缘层、在隧道绝缘层上提供的电荷存储层、在电荷存储层上提供的并且包括结晶铝酸镧层的阻挡绝缘层以及在阻挡绝缘层上提供的控制栅电极。
非易失性半导体存储元件及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储器件-CN200810125335.0无效
发明人： 菊地祥子;高岛章;安田直树;村冈浩一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性半导体存储器件，包括：第1导电类型的半导体区域；在半导体区域内相互离开配置的第2导电类型的扩散区；配置在扩散区之间的沟道区域上的隧道绝缘膜；配置在隧道绝缘膜上的浮置栅电极；配置在浮置栅电极上的电极间绝缘体；以及配置在电极间绝缘体上的控制栅电极。电极间绝缘体包含镧系金属Ln、铝Al、以及氧O，镧系金属和铝的组成比Ln/(Al+Ln)取0.33至0.39的范围内的值。
非易失性半导体存储器件

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