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[发明专利]一种半导体器件-CN200510082800.3有效
发明人：伊藤文俊;川岛祥之;坂井健志;石井泰之;金丸恭弘;桥本孝司;水野真;奥山幸祐;真边由起子 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-07-07 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：提高了具有非易失性存储单元的半导体器件的集成度和重写次数。第一MONOS型非易失性存储元件和第二MONOS型非易失性存储元件一起安装在同一衬底上，其中第二MONOS型非易失性存储元件具有比第一MONOS型非易失性存储元件更大的栅极宽度，并且第一MONOS型非易失性存储元件用于存储几乎不重写的程序数据，以及第二MONOS型非易失性存储元件用于存储频繁重写的处理数据。
一种半导体器件

[发明专利]非易失性存储门及其动作方法、及非易失性存储门装入型逻辑电路及其动作方法-CN200980107095.4有效
发明人：木村启明;渊上贵昭;藤森敬和 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2009-01-08 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储门装入型逻辑电路，其装入电源断开后也可以保持数据的非易失性存储门，当进入待机状态时，可以同时断开电源。非易失性存储门装入型逻辑电路(10)具备具有逻辑门(16)的逻辑运算部(14)和非易失性存储门(12)，所述非易失性存储门(12)具有：非易失性存储部(18)；数据接口控制部(22)，其邻接于非易失性存储部(18)而配置，接收用于向非易失性存储部(18)的数据写入及从非易失性存储部(18)的数据读取的非易失性存储控制信号(NVCTL)；易失性存储部(24)，其邻接于非易失性存储部(18)而配置，接收数据输入信号
非易失性存储及其动作方法装入逻辑电路

[发明专利]非易失性存储器件-CN03153417.1无效
发明人：姜熙福;朴泳震 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-08-13 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明关于一种非易失性存储器件，更具体地说，本发明关于一种使用一电阻型存储器件的可编程非易失性逻辑开关存储器(寄存器)器件。该非易失性寄存器使用一逻辑开关或一非易失性电阻型存储器件，可经由一通过该非易失性电阻型存储器件的受控电流来设定该非易失性电阻型存储器件的电阻状态。
非易失性存储器

[实用新型]具薄型显示单元的非易失性存储装置-CN200620002332.4无效
发明人：陈立白;陈明达;谢祥安 -专利权人：威刚科技股份有限公司;万国电脑股份有限公司
申请日： 2006-02-09 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： G06K19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具薄型显示单元的非易失性存储装置，该装置包括一薄型显示单元、一第一接口、一非易失性存储单元、一非易失性存储媒体、一第二接口、一导电材料及一封装单元；其中将该导电材料设置于该第一接口及第二接口之间，进而使该非易失性存储装置传送该非易失性存储装置的应用状态信息给该薄型显示单元，并可利用该封装单元上的一显示窗观察该非易失性存储装置的应用状态。
具薄型显示单元非易失性存储装置

[实用新型]一种非易失型芯片的低电压报警电路及非易失型芯片-CN202023242440.8有效
发明人：黎永健;刘佳庆;蒋双泉 -专利权人：芯天下技术股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种非易失型芯片的低电压报警电路及非易失型芯片，当检测到一个较高的电压点时使非易失型芯片退出编程和擦除操作，当检测到一个更低的电压点时，即配置寄存器和状态寄存器在电压出现不稳定甚至掉电时，只要在非易失型芯片重新上电后，从非易失型芯片内读取与非易失型芯片上一次退出操作前对应寄存器内存储的内容一致的内容，并将内容重新配置到配置寄存器和状态寄存器内，这样可以使得非易失型芯片再次执行操作时，配置寄存器和状态寄存器内的数据不会出错，保证非易失型芯片操作有效性；通过设置两个电压点的低电压检测，发生低电压报警时根据电压点的差别，分别作出不同行为，来保证非易失型芯片可靠性。
一种非易失型芯片电压报警电路

[发明专利]非易失性存储装置、非易失性存储系统及存取装置-CN200880001867.1无效
发明人：中西雅浩;加藤勇雄;外山昌之;足立达也;中垣浩文;前田卓治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-01-25 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： G06K19/07 文献下载
摘要：由存取装置对非易失性存储装置存取时，非易失性存储装置或存取装置测出或算出非易失性存储装置的温度(T)。非易失性存储装置的温度适应型控制部基于温度(T)来控制对非易失性存储器的存取速率。而且，不使非易失性存储装置的温度(T)超过极限温度(Trisk)。从而，非易失性存储装置取出时无烫伤之危险，且能够构成可高速读写的非易失性存储系统。
非易失性存储装置存储系统存取

[发明专利]非易失型芯片的低电压报警方法、装置、存储介质和终端-CN202011589855.4在审
发明人：黎永健;刘佳庆;蒋双泉 -专利权人：深圳市芯天下技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G11C29/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失型芯片的低电压报警方法、装置、存储介质和终端，当检测到一个较高的电压点时使非易失型芯片退出编程和擦除操作，当检测到一个更低的电压点时，即配置寄存器和状态寄存器在电压出现不稳定甚至掉电时，只要在非易失型芯片重新上电后，从非易失型芯片内读取与非易失型芯片上一次退出操作前对应寄存器内存储的内容一致的内容，并将内容重新配置到配置寄存器和状态寄存器内，这样可以使得非易失型芯片再次执行操作时，配置寄存器和状态寄存器内的数据不会出错，保证非易失型芯片操作有效性；通过设置两个电压点的低电压检测，发生低电压报警时根据电压点的差别，分别作出不同行为，来保证非易失型芯片可靠性。
非易失型芯片电压报警方法装置存储介质终端

[发明专利]一种数据读写方法和混合型存储器-CN202110654001.8在审
发明人：许仲杰 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种数据读写方法和混合型存储器，涉及终端领域，能够提升读写性能和降低功耗。该混合型存储器包括存储控制器、易失性存储介质和非易失性存储介质。易失性存储介质的物理地址段与非易失性存储介质的物理地址段不同。存储控制器可以从处理器接收读/写指令，该读/写指令中携带第一地址(第一地址可以是物理地址或逻辑地址)；若第一地址对应易失型存储介质的存储空间，存储控制器可以在易失型存储介质的存储空间进行数据读写处理；若第一地址对应非易失型存储介质的存储空间，存储控制器可以在非易失型存储介质的存储空间进行数据读写处理。
一种数据读写方法混合存储器

[发明专利]三维半导体存储装置及其形成方法-CN201110059771.4有效
发明人：孙龙勋;李明范;黄棋铉;白昇宰;金重浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-03-03 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：非易失性存储装置包括在基底上的非易失性存储单元的串。该非易失性存储单元的串包括在基底上的非易失性存储单元的第一垂直堆叠件和在非易失性存储单元的第一垂直堆叠件上的串选择晶体管。非易失性存储单元的第二垂直堆叠件也设置在所述基底上，接地选择晶体管设置在非易失性存储单元的第二垂直堆叠件上。非易失性存储单元的第二垂直堆叠件邻近于非易失性存储单元的第一垂直堆叠件设置。该结掺杂区域将非易失性存储单元的第一垂直堆叠件与非易失性存储单元的第二垂直堆叠件以串联形式电连接，使得这些堆叠件可以作为单个NAND型存储单元的串而工作。
三维半导体存储装置及其形成方法

[发明专利]整合传统式静态随机存储器与闪存单元的新式非易失性静态随机存储器内存单元结构-CN200580025249.7无效
发明人：李武开 -专利权人：柰米闪芯积体电路有限公司
申请日： 2005-07-11 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性静态随机存储器(NVSRAM)数组，在一基板上具有一由整合型非易失性静态随机存储器电路以行列排列方式形成的数组。整合型非易失性静态随机存储器电路的每一者皆包括一静态随机存储器单元、一第一及一第二非易失性内存组件。静态随机存取记忆单元具有一锁存式内存组件，与第一及第二非易失性内存组件相通信，以接收并永久保持来自锁存式内存组件的数字信号。一电源检测电路被用以检测一电源中断及一电源启动，并使电源检测及电源启动的检测与多数个整合型非易失性静态随机存储器电路相通信。
整合传统静态随机存储器闪存单元新式非易失性内存结构

[发明专利]一种非易失静态随机存储器单元-CN202310535408.8在审
发明人：蔡磊;刘祥远;傅祎晖;陈强;杨国庆;谈斌 -专利权人：湖南融创微电子有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开实施例中提供了一种非易失静态随机存储器单元，属于信息存储技术领域，具体包括：易失性SRAM存储器，易失性SRAM存储器包括锁存器和选通管；伪差分非易失NVM存储器，伪差分非易失NVM存储器包括一个大尺寸N型晶体管构成的耦合电容器、一个N型晶体管复用为电荷隧穿管和读取管，一个P型晶体管构成的读取管、并和N型复用读取管一起构成差分读取电路，三个晶体管的多晶栅连接在一起构成非易失存储数据的浮栅；两个隔离保护管，两个隔离保护管设置于易失性SRAM存储器和伪差分非易失NVM存储器之间。通过本公开的方案，降低了生产成本，提高了兼容性、存储密度和容量。
一种非易失静态随机存储器单元

[发明专利]实现多位单元的非易失性半导体存储元件及其制造方法-CN200710140700.0无效
发明人：金东郁 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-10-11 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种实现多位单元的非易失性半导体存储元件及其制造方法包括：制造能够在一个单个存储单元中存储多位数据，例如4位数据的非易失性半导体存储元件，从而提高或非型非易失性半导体存储元件的集成度。
实现单元非易失性半导体存储元件及其制造方法

[发明专利]NAND型非易失性存储器的数据擦除方法-CN201110257312.7有效
发明人：纳光明;三宅博之;宫崎彩;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-03-21 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供不使用P阱或N阱等衬底端子，而放出对非易失性存储元件的电荷存储层注入的电荷的方法，作为NAND型非易失性存储器的数据擦除方法。在NAND型非易失性存储器的数据擦除方法中，通过对位线和源线施加第一电位，对第一非易失性存储元件的控制栅极施加第二电位，而且对第二非易失性存储元件的控制栅极施加与第二电位不同的第三电位，而放出存储在第一非易失性存储元件的电荷存储层中的电荷
nand 非易失性存储器数据擦除方法

[发明专利]NAND型非易失性存储器的数据擦除方法-CN200710089633.4有效
发明人：纳光明;三宅博之;宫崎彩;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-03-21 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供不使用P阱或N阱等衬底端子，而放出对非易失性存储元件的电荷存储层注入的电荷的方法，作为NAND型非易失性存储器的数据擦除方法。在NAND型非易失性存储器的数据擦除方法中，通过对位线和源线施加第一电位，对第一非易失性存储元件的控制栅极施加第二电位，而且对第二非易失性存储元件的控制栅极施加与第二电位不同的第三电位，而放出存储在第一非易失性存储元件的电荷存储层中的电荷
nand 非易失性存储器数据擦除方法

[发明专利]非易失性数据备份和恢复方法-CN201310039982.0有效
发明人：林志;于斌;苏长宇 -专利权人：广东欧珀移动通信有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种非易失性数据备份和恢复方法,用于通讯芯片的非易失性数据处理，所述方法包括：A．在移动终端内根据非易失性数据列表建立非易失性数据备份分区；B．将初始非易失性数据及程序以固件形式写入所述非易失性数据备份分区；C.首次开机，进行初始化校准，实现所述非易失性数据的更新备份；D.后续每次开机，将所述非易失性数据备份分区中的所述非易失性数据写入通讯芯片自身非易失性数据分区。
非易失性数据备份恢复方法

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