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[发明专利]一种有机无机锑基金属卤化物发光材料及其制备方法和应用-CN202111405381.8有效
发明人：臧志刚;莫琼花 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C07C315/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机无机锑基金属卤化物发光材料，所述材料包括[SbX6]八面体单元和[Na(CH3SOCH3)2]3单元，所述X为卤族元素，所述材料为单晶材料，能发出黄光，可以解决现有技术铅基材料易出现铅泄露的问题。这种材料结合蓝光芯片应用于白光LEDs(WLEDs)，具有优异的显色指数、相关色温和稳定性，不需要加入额外的荧光粉，将其应用于可见光通信，具有较高的调制传输速率。并且本发明所提供的反溶剂制备法，此方法工艺简单、成本低廉、可操作性强，有利于在实际应用中推广，在未来固体照明，可见光通信领域中有一定的实践意义。
一种有机无机基金卤化物发光材料及其制备方法应用

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示面板-CN201910197099.1有效
发明人：卓恩宗;杨凤云;莫琼花;刘振;刘凯军 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板。阵列基板包括衬底、主动开关和透明电极层，所述主动开关包括第一金属层，设置在所述第一金属层上的附着层，设置在所述附着层上的第一绝缘层，贯穿所述第一绝缘层并暴露出所述第一金属层的过孔；其中，所述透明电极层通过过孔与所述第一金属层连接；所述附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力；这样第一绝缘层沉积时容易附着在第一金属层上，由于附着力较好，第一绝缘层的蚀刻速度会比较慢，进而改善钻蚀现象。
一种阵列及其制造方法显示面板

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示面板-CN201910196977.8有效
发明人：卓恩宗;杨凤云;刘振;莫琼花 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板，阵列基板的制造方法包括步骤：形成第一金属层；在第一金属层上通入氮气和氨气形成附着层；在附着层上形成第一绝缘层；对第一绝缘层进行蚀刻形成暴露出第一金属层的过孔；以及在第一绝缘层上形成通过所述过孔与第一金属层连接的透明电极层；附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力。通过附着层增加第一绝缘层的吸附力，使得第一绝缘层的蚀刻速度会比较慢，进而改善钻蚀现象。
一种阵列及其制造方法显示面板

[发明专利]一种触控装置、显示装置和触摸检测方法-CN201811616720.5有效
发明人：卓恩宗;莫琼花 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G06F3/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种触控装置、显示面板和触摸检测方法，触控装置包括：导光元件，所述导光元件包括：第一面，所述第一面为触摸面；第二面，与所述第一面相对应设置；侧面，设置于所述第一面与第二面之间；所述触控装置还包括：第一光源，发出第一非可见光，所述第一非可见光从所述导光元件的侧面射入所述导光元件内；第二光源，发出第二非可见光，所述第二非可见光从所述导光元件的第二面射入所述导光元件；以及多个感光元件，平行于所述导光元件的第二面；所述感光元件感测对应所述第一非可见光和第二非可见光。通过感光元件感测第一非可见光来判断手指是否触摸，以减少触摸时误判的情况。
一种装置显示装置触摸检测方法

[发明专利]一种半导体器件的等效模型建立方法、装置及终端设备-CN201811308744.4有效
发明人：卓恩宗;莫琼花 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明适用于器件建模技术领域，提供了一种半导体器件的等效模型建立方法、装置及终端设备，所述方法包括：获取分块单元的每个半导体器件在外加电压时的特征数据；其中，所述分块单元为半导体器件尺寸阵列中提取的一个方块，每个半导体器件为所述分块单元中一个顶点处的尺寸对应的器件；根据每个半导体的所述特征数据，分别建立每个半导体器件的模型卡；根据所述分块单元的每个半导体的所述模型卡，建立在所述尺寸阵列范围内的所有半导体器件的等效模型。通过本发明可以调高模型的拟合精度，减少拟合时间，通过建立的等效模型可以预测不同尺寸器件的电性以及在电路中的工作性能。
一种半导体器件等效模型建立方法装置终端设备

[发明专利]一种阵列基板的制造方法和阵列基板-CN201810196074.5有效
发明人：卓恩宗;莫琼花 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板的制造方法和阵列基板，该制造方法包括：提供一基板；在基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层和源漏电极层和光刻胶层；对光刻胶层进行图案化，以形成图案化的光刻胶层，图案化的光刻胶层包括第一区域和第二区域，以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域，第三区域的厚度的取值范围为0.2～0.8微米；利用图案化的光刻胶层掩膜，对源漏电极层和半导体层进行图形化处理，以在第一区域覆盖的部分形成主动开关的源极，在第二区域覆盖的部分形成主动开关的漏极，在第三区域覆盖的部分形成主动开关的沟道区。本发明实施例提供的制造方法，通过控制光刻胶层各部分的厚度，降低了主动开关的漏电流，提高了主动开关的电性能稳定性。
一种阵列制造方法

[发明专利]一种显示面板、显示面板的制造方法和显示装置-CN201910024973.1有效
发明人：卓恩宗;莫琼花 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板、显示面板的制造方法和显示装置。显示面板的制造方法包括在显示面板的显示区形成含有第一半导体层的第一主动开关，并在显示面板的非显示区形成含有第二半导体层的第二主动开关的步骤；所述的步骤中，形成的第一半导体层的材料为氧化物，形成的第二半导体层的材料为多晶硅，且所述第一半导体层和所述第二半导体层形成在同一层。本申请在实现窄边框的同时，可以降低显示区中电路的功耗，另外将第一半导体层和第二半导体层做到一层后，还可以减少绝缘层的制程步骤，提高生产效率。
一种显示面板制造方法显示装置

[发明专利]显示面板及其制作方法-CN201910115499.3有效
发明人：张合静;莫琼花;卓恩宗 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板，该显示面板包括透光基板、金属氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极、源极、漏极、介电层和可透光的遮光层，其中，可透光的遮光层设于透光基板与金属氧化物半导体层之间，包括第一遮光部和与第一遮光部连接的透光部，第一遮光部设于沟道部与透光基板之间，透光部设于非沟道部与透光基板之间。本发明还公开了一种显示面板制作方法。本发明旨在提高顶栅薄膜晶体管结构的开态电流，从而降低显示面板的功耗。
显示面板及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN201810780068.4有效
发明人： 莫琼花;卓恩宗 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请涉及一种薄膜晶体管的制造方法，通过图形转移工艺刻蚀氢化非晶硅层形成沟道区，并通入处理气体对刻蚀后的氢化非晶硅层暴露出的表面进行热处理，处理气体包括N2和NH3中的至少一种且不含氢气。降低了Si与H结合产生Si‑H键的几率，减少氢化非晶硅层中Si‑H键的占比，提高薄膜晶体管的光照稳定性，减弱光照条件下薄膜晶体管阈值电压Vth的漂移。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法-CN201810779037.7有效
发明人： 莫琼花;卓恩宗 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请涉及一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法，薄膜晶体管包括栅绝缘层，所述栅绝缘层包括第一薄膜和设置在所述第一薄膜上的第二薄膜，所述第二薄膜的致密性高于所述第一薄膜的致密性。通过提高第二薄膜的致密性减少栅绝缘层中Si‑H键的占比，提高了薄膜晶体管的光照稳定性，减弱光照条件下薄膜晶体管阈值电压Vth的漂移。而且在生产薄膜晶体管时，通过降低第二薄膜的沉积速率，并保持第一薄膜的沉积速率不变，保证在提高薄膜晶体管性能的同时兼顾产能，相对地节省了生产时间。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]主动开关及其制作方法、显示装置-CN201811466312.6有效
发明人： 莫琼花;卓恩宗 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请涉及一种主动开关及其制作方法、显示装置，该主动开关的制作方法包括：在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、半导体复合层及源漏极；半导体复合层包括依次层叠的第一N型重掺杂非晶硅层、第一N型轻掺杂非晶硅层、第二N型重掺杂非晶硅层及第二N型轻掺杂非晶硅层，其中，第一N型重掺杂非晶硅层的离子掺杂浓度比第二N型重掺杂非晶硅层的离子掺杂浓度低，第一N型轻掺杂非晶硅层的离子掺杂浓度比第二N型轻掺杂非晶硅层的离子掺杂浓度高；对有源层、半导体复合层进行处理得到一沟道区；最后将沟道区置于预设的气体氛围中进行加热处理。本申请可有效降低漏电流，提高主动开关的可靠性。
主动开关及其制作方法显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法-CN201810780067.X有效
发明人： 莫琼花;卓恩宗 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管制备方法，所述方法包括：于基板上依次形成栅极、以及位于所述栅极上的栅极绝缘层；于所述栅极绝缘层上以第一速率淀积第一氢化非晶硅层，所述第一氢化非晶硅层中Si‑H键含量为25％～97％；于所述第一氢化非晶硅层上以第二速率淀积第二氢化非晶硅层，所述第二氢化非晶硅层中Si‑H键含量为45％～99％，所述第二速率大于所述第一速率，所述第二氢化非晶硅层的厚度小于所述第一氢化非晶硅层的厚度。本申请同时采用第一氢化非晶硅层和第二氢化非晶硅层，可降低Si‑H键的总含量，保障生产效率，提高性能也可兼顾产能。
薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]阵列基板及其制备方法-CN201910370860.7有效
发明人：卓恩宗;莫琼花;许哲豪 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种阵列基板及其制备方法。该阵列基板通过栅极层、栅极绝缘层、半导体层、第一导电层、第一保护层、光屏蔽层、第一色阻层、第二保护层以及第二导电层形成数据读取器件和光感测器，外界光线可通过第一色阻层实现光的色彩化，获取彩色化的图像信息，从而使得感测的图像具有色彩，提高图像显示的效果以提高用户的体验；此外，通过第一色阻层还可以实现对特定颜色的光进行追踪检测，判定该特定光源的稳定性，从而实现对光源的加强；通过第一保护层可以保护其覆盖区域免受污染和损伤；通过第二保护层可以防止外部对各层的挤压损坏，提高使用寿命，同时防止各层出现相对错位的现象，提高用户的体验。
阵列及其制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管的检测方法和检测装置-CN201910018446.X有效
发明人：卓恩宗;莫琼花 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管的检测方法和检测装置，所述检测方法包括步骤：根据预设的关键点参数来实测得到所述薄膜晶体管的第一电性结果；根据所述预设的关键点参数来模拟得到所述薄膜晶体管的第二电性结果；比较所述第一电性结果与所述第二电性结果，从而得到可以用于模拟检测的模型；使用所述模型来模拟得到待测的薄膜晶体管的电性参数。本发明对经过预处理薄膜晶体管进行多次电性实测，然后根据多次电性实测的参数来得可以用于模拟检测薄膜晶体管器件的电性的模拟模型，通过大量测试得到的这个模拟模型可以用于之后对薄膜晶体管的关键点的模拟测试，这样，若想要了解薄膜晶体管的性能，就可以通过代入预设的工作参数即可，节省了时间和成本。
一种薄膜晶体管检测方法装置

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示面板-CN201910196979.7有效
发明人：卓恩宗;莫琼花;杨凤云;刘振;张合静 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板，阵列基板的制造方法包括步骤：形成第一金属层；在第一金属层上通入氢气和氨气形成附着层；在附着层上形成第一绝缘层；对第一绝缘层进行蚀刻形成暴露出第一金属层的过孔；以及在第一绝缘层上形成通过所述过孔与第一金属层连接的透明电极层；附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力。通过附着层增加第一绝缘层的吸附力，使得第一绝缘层的蚀刻速度会比较慢，进而改善钻蚀现象。
一种阵列及其制造方法显示面板

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