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[发明专利]传导阻障直接混合型接合-CN202210544308.7在审
发明人：保罗·M·恩奎斯特 -专利权人： 英帆萨斯邦德科技有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种传导阻障直接混合型接合，接合结构包括第一组件，第一组件包括：具有第一抛光接触面的第一介电层；形成于第一介电层的一部分中的第一传导接触结构；第二组件，直接接合到第一组件而没有插入黏着剂，包括：第二介电层，具有与第一抛光接触面接触且直接接合的第二抛光接触面；第二传导接触结构；传导阻障材料层，具有第一部分，第一部分至少设置在第一传导接触结构和第二传导接触结构之间，第一部分接触第一介电层和第二介电层，该第一部分直接接触第一传导接触结构的上表面和/或第二传导接触结构的上表面，第一介电层、第二介电层、第一传导接触结构、第二传导接触结构以及传导阻障材料层形成直接混合型接合件的部分。
传导阻障直接混合接合

[发明专利]传导阻障直接混合型接合-CN201680048737.8有效
发明人：保罗·M·恩奎斯特 -专利权人： 英帆萨斯邦德科技有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种形成直接混合型接合的方法和源自直接混合型接合的装置，其包括：第一基板，其具有第一组金属接合衬垫(其较佳而言连接到装置或电路，而由传导阻障所覆盖)，并且具有第一非金属区域(其相邻于第一基板上的金属接合衬垫)；第二基板，其具有第二组金属接合衬垫(其由第二传导阻障所覆盖、对齐于第一组金属接合衬垫、较佳而言连接到装置或电路)，并且具有第二非金属区域(其相邻于第二基板上的金属接合衬垫)；以及接触接合接口，其在第一和第二组金属接合衬垫之间、由传导阻障所覆盖、而通过第一非金属区域对第二非金属区域的接触接合所形成。
传导阻障直接混合接合

[发明专利]接合结构-CN201780082617.4有效
发明人：王亮;拉杰诩·卡特卡;贾维尔·A·狄拉克鲁兹;阿卡谷·R·西塔朗母 -专利权人： 英帆萨斯邦德科技有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种接合结构，其可包括具有一第一导电性界面特征的一第一组件及具有一第二导电性界面特征的一第二组件。一积体装置可耦接至该第一组件或该第二组件或由该第一组件或该第二组件所形成。该第一导电性界面特征可直接接合至该第二导电性界面特征以界定一界面结构。该界面结构可经安置而以一至少部分环状轮廓围绕该积体装置，以连接该第一组件与该第二组件。
接合结构

[发明专利]堆叠晶粒和形成接合结构的方法-CN201780030482.7有效
发明人：赛普里安·艾曼卡·巫卓;阿寇葛德·Ｒ·席特伦;保罗·恩奎斯特 -专利权人： 英帆萨斯邦德科技有限公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：在各个实施例中，揭示一种用于形成一接合结构的方法。该方法可包含将一第一整合装置晶粒装配至一载体。在装配之后，可薄化该第一整合装置晶粒。该方法可包括在该第一整合装置晶粒的一曝露表面上提供一第一层。可移除该第一层的至少一部分。可在无一介入黏着剂的情况下将一第二整合装置晶粒直接接合至该第一整合装置晶粒。
堆叠晶粒形成接合结构方法

[发明专利]晶粒处理-CN201880025616.0在审
发明人：赛普里恩·艾米卡·乌佐 -专利权人： 英帆萨斯邦德科技有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：代表性实施方式提供用于处理集成电路(IC)晶粒的技术及系统。经制备用于紧密的表面结合(至其他晶粒、至基板、至另一表面等)的晶粒可运用最小处置来处理，以防止该些晶粒的表面或边缘的污染。该些技术包括当该些晶粒在切割片或其他装置处理膜或表面上时处理晶粒。系统包括经配置以同时执行多个清洁程序的整合式清洁组件。
晶粒技术及系统表面结合其他装置清洁程序清洁组件处理膜切割片整合式基板制备集成电路配置污染

[发明专利]界面结构及其形成方法-CN201780064761.5在审
发明人：黄少武;贾维尔·迪拉克鲁兹 -专利权人： 英帆萨斯邦德科技有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种经堆叠且电互连的结构。所述堆叠结构可以包括含有第一接触衬垫的第一元件和含有第二接触衬垫的第二元件。所述第一接触衬垫和所述第二接触衬垫可以藉由界面结构彼此电连接和机械连接。界面结构可以包括被动均衡电路，其包括在所述第一接触衬垫和所述第二接触衬垫之间的电阻电路径，以及在所述第一接触衬垫和所述第二接触衬垫之间的电容电路径。所述电阻电路径和所述电容电路径形成等效的并联电阻‑电容(RC)均衡电路。
接触衬垫电路径界面结构电容均衡电路电阻并联电阻第二元件第一元件堆叠结构机械连接电互连电连接堆叠

[发明专利]提升直接接合的接触对准容限-CN201680073087.2在审
发明人：保罗·M·恩奎特斯;盖乌斯·吉尔曼·方腾·二世;贾维尔·A·狄拉克鲁兹 -专利权人： 英帆萨斯邦德科技有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：一种接合装置结构包括：第一基板，其具有第一组传导性接触结构(较佳的是连接到一装置或电路)，并且具有在第一基板上相邻接触结构的第一非金属性区域；第二基板，其具有第二组传导性接触结构(较佳的是连接到一装置或电路)，并且具有在第二基板上相邻接触结构的第二非金属性区域；以及在第一组和第二组接触结构之间的接触接合接口，其是藉由将第一非金属性区域接触接合至第二非金属性区域所形成。接触结构包括在两个基板上是非平行的长形接触特征(诸如个别线路或在格栅中连接的线路)，而在相交点接触。因而，改善了对准容限同时使凹陷和寄生电容最小化。
非金属性接触结构传导性接触第二基板第一基板对准容限接合电路寄生电容最小化接合装置区域接触直接接合相交点凹陷长形格栅基板平行