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[发明专利]一种光模块参数调试方法、存储介质及终端设备-CN202010271617.2有效
发明人： 苏恒毅 -专利权人：深圳市欧深特信息技术有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H04B10/564 文献下载
摘要：本发明公开了一种光模块参数调试方法、存储介质及终端设备，所述方法包括步骤：通过光功率计获取包含预设目标光功率、最大光功率、最小光功率在内的多个光功率值，并将多个所述光功率值输入已训练的光功率模型中，得到相应的多个光功率DA值；通过上位机获取最大发射电流和最小发射电流的值，并将所述最大发射电流和所述最小发射电流的值输入已训练的发射电流模型中，得到相应的最大发射电流DA值和最小发射电流DA值；将多个所述光功率DA值和所述最大发射电流DA值及所述最小发射电流DA值进行比较，以确定目标光功率。本发明通过训练模型的方法直接计算目标光功率的DA值，避免了重复调试，提高了调试效率。
一种模块参数调试方法存储介质终端设备

[实用新型]成像镜头、相机模块与电子装置-CN201922213356.4有效
发明人：张明顺;苏恒毅;周明达 -专利权人：大立光电股份有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种成像镜头，具有光轴，并且包含塑胶透镜。塑胶透镜包含光学有效部以及外周部。光轴通过光学有效部。外周部环绕光学有效部，并且包含环形凹槽结构、圆锥面、平直承靠部以及全环状连接部。环形凹槽结构呈全环状并且从物侧往像侧渐缩或从像侧往物侧渐缩。圆锥面较环形凹槽结构靠近光学有效部。平直承靠部较环形凹槽结构靠近光学有效部，并且与邻近的光学元件实体接触。全环状连接部连接环形凹槽结构，较环形凹槽结构远离光学有效部，并且定义环形凹槽结构的深度。环形凹槽结构具有环状底部面，环状底部面沿着实质上垂直于光轴的方向延伸。本实用新型还公开具有上述成像镜头的相机模块及具有相机模块的电子装置。
成像镜头相机模块电子装置

[发明专利]电感耦合装置和等离子体处理设备-CN201810319755.6在审
发明人： 苏恒毅 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种电感耦合装置和等离子体处理设备。包括多组射频天线组，每组所述射频天线组均配置有匹配器和射频电源，每组所述射频天线组包括多个子射频天线，每个所述子射频天线的至少部分位于所述工艺腔室内；每个所述区域均对应设置有一组所述射频天线组，每组所述射频天线组均能在对应的所述射频电源的控制下独立向所对应的所述区域传输射频能量。本发明的电感耦合装置，可以产生大面积均匀性的等离子，可以达到良好的均匀性，保证晶片的良品率。另外，还可以最大限度提高能量耦合效率。
射频天线电感耦合装置等离子体处理设备射频电源均匀性能量耦合效率区域传输射频能量等离子工艺腔良品率匹配器晶片室内配置保证

[发明专利]反应腔室及半导体加工设备-CN201610318302.2有效
发明人：李兴存;韦刚;成晓阳;苏恒毅 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，包括上电极装置和下电极装置，该下电极装置设置在反应腔室内，用于承载晶片。上电极装置包括介质筒、线圈、上功率电源和上电极组件，其中，介质筒设置在反应腔室的顶部；线圈环绕设置在介质筒的外围；上电极组件包括上电极板，该上电极板设置在介质筒的顶部；上功率电源用于同时或者分别向上电极板和线圈加载激励功率。本发明提供的反应腔室，其不仅可以减小线圈的输出端与输入端之间的电压差异，而且可以削弱由线圈的电场不均匀产生的影响，从而可以提高等离子体的密度分布均匀性。
反应半导体加工设备

[发明专利]阻抗匹配方法、阻抗匹配器及半导体加工设备-CN201610223170.5有效
发明人：成晓阳;韦刚;卫晶;刘春明;苏恒毅 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种阻抗匹配方法、阻抗匹配器及半导体加工设备。阻抗匹配方法包括以下步骤：步骤S1，获取驱动机构的第一调节量；步骤S2，调节驱动机构的位置；步骤S3，获取驱动机构的实际位置；步骤S4，判断驱动机构的实际位置是否到达期望位置，若否，则获取所述驱动机构的第二调节量，并转至步骤S2；若是，则执行步骤S5；步骤S5，判断负载阻抗和射频电源的输出阻抗是否匹配，若是，则执行步骤S6；若否，则执行步骤S1；步骤S6，判断工艺是否结束，若否，则执行步骤S5，若是，则结束工艺。该阻抗匹配方法可避免匹配点漂移问题，从而提高阻抗匹配器的稳定性、可靠性和重复性。
阻抗匹配方法阻抗配器半导体加工设备

[实用新型]感应线圈组及反应腔室-CN201821770439.2有效
发明人：牛晨;韦刚;苏恒毅;杨京 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种感应线圈组及反应腔室，该感应线圈组包括用于设置在反应腔室的介质窗上方的感应线圈，感应线圈的两端分别为功率输入端和接地端，感应线圈的两端与介质窗之间的垂直间距大于感应线圈的两端之间的部分与介质窗之间的垂直间距。本实用新型提供的感应线圈组及反应腔室，其可以在保证射频磁场的耦合强度的前提下，降低感应线圈两端的容性耦合，从而可以降低对介质窗的溅射，改善工艺结果。
感应线圈感应线圈组反应腔室介质窗本实用新型垂直功率输入端工艺结果容性耦合射频磁场耦合接地端溅射保证

[发明专利]下电极组件及半导体加工设备-CN201510867912.3有效
发明人： 苏恒毅;韦刚;李兴存;栾大为 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种下电极组件及半导体加工设备，其包括由上而下依次设置的下电极板、绝缘介质层和金属基座，其中，在绝缘介质层中设置有沿其厚度方向贯穿的绝缘塞，该绝缘塞具有气体通道，该气体通道的出气端和进气端分别位于绝缘塞的上端面和下端面，通过向气体通道内通入热交换气体，而实现对下电极板的温度控制，并且气体通道为非线性通道。本发明提供的下电极组件，其不仅可以在相同气压的条件下，延长输送热交换气体的长度，而且还可以避免非线性通道内的热交换气体的流动方向与电场方向一致，从而可以降低热交换气体发生打火的风险。
电极组件半导体加工设备

[发明专利]等离子体产生装置及包括该装置的半导体设备-CN201611097324.7在审
发明人：郭士选;苏恒毅 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体产生装置及包括该装置的半导体设备，等离子体产生装置包括主筒和沿主筒周向设置的主筒线圈，主筒上方设有中心进气孔，还包括副筒和沿副筒周向设置的副筒线圈，其中，副筒设置于主筒下方，且副筒与主筒同轴设置，副筒的内径大于主筒的内径，主筒的径向外侧、副筒与主筒之间设有边缘进气孔。本发明提供的等离子体产生装置以及包括该装置的半导体设备能够有效的控制等离子体在待加工工件表面的分布，提高待加工工件刻蚀的均匀性。
主筒副筒等离子体产生装置半导体设备待加工工件周向设置进气孔等离子体同轴设置均匀性刻蚀

[发明专利]下电极结构及半导体加工设备-CN201610991863.9在审
发明人： 苏恒毅;昌锡江;韦刚 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种下电极结构及半导体加工设备，其包括用于承载晶片的载片台，在载片台内设置有第一电极，通过向第一电极加载第一偏压，在晶片的上表面形成负偏压；并且，在载片台的外周壁上环绕设置有介质组件，用以阻挡等离子体接触载片台的外周壁，以及限定晶片的位置。下电极结构还包括第二电极，该第二电极设置在介质组件中，通过向第二电极加载第二偏压，在介质组件的上表面形成第二负偏压。本发明提供的下电极结构，其可以调节晶片边缘处的电场强度和方向，从而可以消除因边缘效应导致的工艺形貌畸变，进而可以提高晶片良率。
下电极结构载片台第二电极介质组件半导体加工设备第一电极负偏压上表面外周壁加载晶片形貌等离子体接触边缘效应承载晶片环绕设置晶片边缘晶片良率畸变阻挡

[发明专利]产生脉冲等离子体的方法及其等离子体设备-CN201610223428.1在审
发明人：韦刚;成晓阳;卫晶;苏恒毅 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种产生脉冲等离子体的方法及其等离子体设备，通过脉冲电源向反应腔室输出功率,以产生脉冲等离子体，所述方法包括以下步骤所述脉冲电源输出第一脉冲信号，所述第一脉冲信号的功率为P1，持续时间为T1；所述脉冲电源输出第二脉冲信号，所述第二脉冲信号的功率为P2，持续时间为T2，其中，P2≠P1≠0。本发明中的产生脉冲等离子体的方法，通过脉冲调制将功率输出调制成不同输出功率P1和P2的两个脉冲信号，其中，P2≠P1≠0，从而在整个脉冲周期内，可以始终维持等离子体放电，保持等离子体状态稳定，进而使得脉冲射频阻抗匹配非常容易，减少等离子体诱导损伤，大大提高了工艺过程及晶片处理的良品率。
产生脉冲等离子体方法及其设备

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