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- [实用新型]存储电容器-CN202221299362.1有效
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黄子伦
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苏州聚谦半导体有限公司
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2022-05-27
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2022-11-15
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H01L49/02
- 本实用新型提供了一种存储电容器，包括：在剖面结构上，从下至上依次包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的绝缘层、绝缘层上的第一介质层、第一介质层上的第一导电层、第一导电层上的第二介质层和第二介质层上的第二导电层，其中，位于底部和侧壁处的第一导电层和第二导电层形成U型折叠区；位于所述第二导电层上的第三介质层和所述第三介质层上的第三导电层，所述第三导电层通过通孔与所述第一导电层和所述第二导电层电连接；在平面结构上，所述第一导电层和所述第二导电层的图案均呈蜂窝状。
- 存储电容器
- [发明专利]晶圆级芯片封装方法-CN202210588007.4在审
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黄子伦
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苏州聚谦半导体有限公司
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2022-05-27
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2022-09-13
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H01L21/78
- 本发明提供了一种晶圆级芯片封装方法，包括沉积保护层，以覆盖所述深沟槽结构的顶面、若干所述触点的顶面，以及填充所述若干触点之间的空隙，刻蚀所述保护层以暴露所述深沟槽结构顶面和若干所述触点的顶面，刻蚀所述深沟槽结构，以形成凹槽结构，沉积封装材料，以覆盖剩余所述保护层的顶面、若干所述触点的顶面，以及填充所述凹槽结构，以形成待分割晶圆，研磨所述待分割晶圆的底面，然后通过酸槽或镭射切割以将若干所述芯片分离，无需通过划片刀进行横向切割和纵向切割，极大的降低了成本。
- 晶圆级芯片封装方法
- [发明专利]环状桶型电容及其制备方法-CN202210590714.7在审
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黄子伦
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苏州聚谦半导体有限公司
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2022-05-27
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2022-09-06
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H01L23/64
- 本发明提供了一种环状桶型电容制备方法，包括在衬底上依次形成第一氮化硅层和硬阻挡层，依次刻蚀硬阻挡层、第一氮化硅层和衬底，以形成至少一个凹槽，在凹槽内形成至少一个槽状的第二氮化硅层，并在第二氮化硅层与凹槽之间的部分空间、第二氮化硅层槽内的部分空间填充外延材料，形成至少一层电容层以覆盖凹槽的内壁、第二氮化硅层的表面和硬阻挡层的顶面，所述电容层包括相接触的介质层和导电层，在硬阻挡层的顶面和暴露的电容层顶面形成层间介质层，形成第一金属导电柱，以形成环状桶型电容，电容层沿槽状的第二氮化硅层表面和凹槽的内壁设置，极大的增大了介质层和导电层的面积，进而增大了电容量。
- 环状电容及其制备方法
- [实用新型]存储电容器-CN202221295983.2有效
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黄子伦
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苏州聚谦半导体有限公司
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2022-05-27
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2022-09-02
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H01L49/02
- 本实用新型提供一种存储电容器，包括：在剖面结构上，包括半导体衬底、位于半导体衬底上的绝缘层、绝缘层上的第一介质层、第一介质层上的第一导电层、第一导电层上的第二介质层和第二介质层上的第二导电层，其中，位于底部和侧壁处的第一导电层和第二导电层形成U型折叠区；位于第二导电层上的第三介质层和第三介质层上的第三导电层，第三导电层通过第一板接触通孔与第一导电层电连接，第三导电层通过第二板接触通孔与第二导电层电连接；在平面结构上，第一板接触通孔所接触的第一导电层周围未设置其它导电层，以及所述第二板接触通孔所接触的第二导电层周围未设置其它导电层。该存储电容器能够提供自对准板接触通孔结构，提升存储电容器的性能。
- 存储电容器
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