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[发明专利]形成布线图案的方法和用于形成布线图案的蚀刻装置-CN201610195708.6有效
发明人：佐藤祐规;平冈基记;柳本博;臼井弘树 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H05K3/07 文献下载
摘要：本发明涉及形成布线图案的方法和用于形成布线图案的蚀刻装置。一种形成布线图案的方法包括：a)形成金属底层，所述金属底层包括与电极接触的第一基底布线层、不与电极接触的第二基底布线层、以及将所述第一基底布线层连接到所述第二基底布线层的底部连接层；b)通过电镀在所述金属底层上形成金属镀层；以及c)通过蚀刻去除金属连接部。所述金属连接部是被所述金属镀层覆盖的基底连接层。所述蚀刻包括使包含其中溶解有所述金属连接部的金属的溶液的固体电解质材料与所述金属连接部接触，以及在所述金属连接部与所述固体电解质材料之间施加电压。
形成布线图案方法用于蚀刻装置

[发明专利]用于形成金属涂层的涂层形成装置和涂层形成方法-CN201610133640.9有效
发明人： 臼井弘树;柳本博;平冈基记;佐藤祐规 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C25D21/12 文献下载
摘要：本发明涉及用于在基材表面上形成金属涂层的涂层形成装置，其包括：阳极；电源；和固体电解质膜，其位于阳极和基材之间并且含有金属离子。所述固体电解质膜包含：接触表面，其是与其中形成金属涂层的形成涂层的区域接触的区域；和凹部，其相对于接触表面而言凹陷以使得当接触表面与形成涂层的区域接触时，固体电解质膜不与除形成涂层的区域之外的基材表面部分接触。通过用电源在阳极和基材之间施加电压而将金属离子还原以在形成涂层的区域上形成金属涂层。
用于形成金属涂层装置方法

[发明专利]半导体集成电路-CN201010003768.6无效
发明人：三上信和;臼井弘树;中内拓也 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：在此公开了一种半导体集成电路，包括：用于存储数据的存储电路部分；和配置来用作存储电路部分以外的部分并不用于存储数据的非存储电路部分，其中，第二传导型半导体区(其包括为在所述非存储电路部分中采用的第一传导型晶体管创建的沟道)的第二传导型杂质浓度低于第二传导型半导体区(其包括为在所述存储电路部分中采用的第一传导型晶体管创建的沟道)的第二传导型杂质浓度。
半导体集成电路

[发明专利]半导体电路器件模拟方法和半导体电路器件模拟器-CN200380100255.5无效
发明人： 臼井弘树 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2003-12-19 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体电路器件模拟方法和半导体电路器件模拟器，用于精确地模拟晶体管的特性的退化程度和恢复程度，以便设计更高可靠性的半导体器件。如果在晶体管的栅极上施加负栅压(负偏压)Vg，则晶体管的特性会退化。当停止施加该负栅压Vg时(也就是当施加无偏电压时)，晶体管的退化的特性会恢复。取栅压施加时间t的对数log(t)，使用与负偏压相关的常数C_D、B_D，计算退化程度ΔP_D (t)＝C_D+B_D×log(t)。使用与无偏电压相关的常数C_R、B_R，计算恢复程度ΔP_R (t)＝C_R+B_R×log(t)。将退化程度(ΔP_D)、恢复程度(ΔP_R)和基础退化(X_D)相加。最好将时间的流逝分成多个时间区，通过对每一个时间区使用不同的退化函数和恢复函数，从而对每一个时间区确定退化程度和恢复程度。
半导体电路器件模拟方法模拟器