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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]沟槽栅IGBT器件及其制备方法-CN202311004147.3在审
  • 胡钰祺;陆珏 - 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
  • 2023-08-10 - 2023-10-20 - H01L29/739
  • 本发明提供了一种沟槽栅IGBT器件及其制备方法，所述沟槽栅IGBT器件包括：衬底，设有若干沟槽栅元胞，相邻沟槽栅元胞之间具有间隔区；第一导电类型发射区，由间隔区的衬底表面延伸至沟槽栅的底部，且第一导电类型发射区的两端分别与沟槽栅元胞的漂移区及源极连接；两个第二导电类型基区，设于第一导电类型发射区内且各自邻近两侧的沟槽栅，并由衬底表面延伸至沟槽栅的部分深度；两个第一导电类型集电区，各自设于两个第二导电类型基区内，且与沟槽栅电连接。本发明中，可通过在间隔区的第一导电类型发射区、第二导电类型基区及第一导电类型集电区形成类似晶体管结构，降低沟槽栅IGBT器件导通压降、关断时间及关断损耗。
  • 沟槽igbt器件及其制备方法
  • [发明专利]终端结构及其制造方法、半导体器件-CN202111675351.9在审
  • 胡钰祺 - 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
  • 2021-12-31 - 2022-04-12 - H01L29/06
  • 本发明提供了一种终端结构及其制造方法、半导体器件，所述终端结构位于一衬底的终端区，所述衬底还包括元胞区，所述终端区围绕所述元胞区；所述终端结构包括：VLD分压环，形成于所述终端区的靠近所述元胞区的一端且向远离所述元胞区的另一端方向延伸，所述VLD分压环包括多个连接的掺杂环；沟槽截止环，形成于所述终端区的远离所述元胞区的所述另一端，所述沟槽截止环与所述VLD分压环之间间隔所述衬底，所述沟槽截止环的深度大于或等于最靠近所述沟槽截止环的掺杂环的深度。本发明的技术方案在避免耗尽区耗尽到划片道而形成漏电通道的同时，还能减小终端区的宽度。
  • 终端结构及其制造方法半导体器件
  •  1 
  • 共 3 条
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