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[发明专利]天线和波导之间的中介层-CN202310385175.8在审
发明人：巴赫尔·哈龙;胡安·亚力杭德罗·赫布佐默;格尔德·舒佩纳;斯瓦米纳坦·桑卡兰 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01P3/16 文献下载
摘要：本申请实施例涉及天线与波导之间的中介层。使用充当收发器IC(120)与电介质波导(131，132)互连件之间的缓冲区的中介层(110)，来建立可独立优化的两个所定义参考平面。所述中介层(110)包含一块材料，其具有第一界面区(113)来与耦合到集成电路(123)的天线(121，122)介接，以及第二界面区(114)来介接到所述电介质波导(131，132)。界面波导(111，112)由位于所述块材料内的在所述第一界面区(113)与所述第二界面区(114)之间的所定义区形成。
天线波导之间中介

[发明专利]微电子封装衬底与电介质波导连接件之间的中介层-CN201880066453.0有效
发明人：巴赫尔·哈龙;胡安·亚力杭德罗·赫布佐默;格尔德·舒佩纳;斯瓦米纳坦·桑卡兰 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01P3/16 文献下载
摘要：使用充当收发器IC(120)与电介质波导(131，132)互连件之间的缓冲区的中介层(110)，来建立可独立优化的两个所定义参考平面。所述中介层(110)包含一块材料，其具有第一界面区(113)来与耦合到集成电路(123)的天线(121，122)介接，以及第二界面区(114)来介接到所述电介质波导(131，132)。界面波导(111，112)由位于所述块材料内的在所述第一界面区(113)与所述第二界面区(114)之间的所定义区形成。
微电子封装衬底电介质波导连接之间中介

[发明专利]基于旋转跃迁的时钟、旋转光谱室及其制作方法-CN201680009669.4有效
发明人： 胡安·亚力杭德罗·赫布佐默;本杰明·S·库克;菲利普·纳多;西蒙·乔舒亚·雅各布斯;蒂亚戈·厄尔·特朗布利 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： G04F5/14 文献下载
摘要：所描述的实例包含毫米波原子时钟设备(100)，芯片级蒸汽室(101)及制造方法，其中低压力偶极分子气体提供在具有形成波导的导电内部表面(103b，104)的密封腔中。非导电孔(108a，108b)提供到所述腔的电磁入口及离开所述腔的出口。形成在所述蒸汽室(101)的外表面上在所述相应非导电孔(108a，108b)附近的导电耦合结构(110a，110b)将电磁场耦合到所述腔的内部，用于使用收发器电路(130)以最大化所述腔(103)中的所述偶极分子气体的旋转跃迁吸收的频率来询问所述蒸汽室(101)，以提供用于原子时钟或其它应用的参考时钟信号REFCLK。
基于旋转跃迁时钟光谱及其制作方法

[发明专利]在集成电路或印刷电路板中形成导电及电阻电路结构的方法-CN201680009910.3在审
发明人：本杰明·S·库克;胡安·亚力杭德罗·赫布佐默 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：所描述的实例包含通过直写可变阻抗图案化使用基于纳米颗粒的金属化层或基于化学反应的沉积制造导电及电阻结构的方法(100)。在一些实例(100)中，将低导电率纳米颗粒材料沉积(110)于表面之上。在所施加的不同能级下，经由照明源功率调整及/或扫描速率调整选择性地照明(112、114、116)所述纳米颗粒材料，以用于选择性图案化烧结来创造包含梯度电阻电路结构的导电电路结构以及电阻电路结构，所述梯度电阻电路结构具有沿着结构长度改变的电阻率轮廓。另外实例包含方法，其中沉积或图案化非导电反应物层，且使用加成沉积来沉积不同量的第二溶液以与所述反应物层反应以形成可控导电结构。
集成电路印刷电路板形成导电电阻电路结构方法

[发明专利]用于半导体封装的印刷互连件-CN201580040024.2在审
发明人：本杰明·史塔生·库克;胡安·亚力杭德罗·赫布佐默;马修·大卫·罗米格;史蒂文·阿尔弗雷德·库默尔;威洋·徐 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：在所描述的实例中，一种形成封装半导体装置的方法包含提供其上具有接合垫(121、122)的第一半导体裸片(第一裸片)(120)，其面朝上安装在封装衬底上或引线框(衬底)的裸片垫上，其中所述衬底包含端子或接触垫(衬底垫)(142、143)。形成第一电介质层(135)，其包含印刷包含第一油墨的第一电介质前体层，所述第一油墨具有从所述衬底垫延伸到所述接合垫的第一液体载体溶剂。在从所述衬底垫延伸到所述接合垫的所述第一电介质层上方印刷包含具有第二液体载体的第二油墨的第一互连前体层。烧结或固化所述第一互连前体层去除至少所述第二液体载体，以形成将相应衬底垫连接到相应接合垫的包含油墨残余物的第一导电互连件。
用于半导体封装印刷互连

[发明专利]半导体装置中的无电镍及金镀敷-CN201080065192.4有效
发明人： 胡安·亚力杭德罗·赫布佐默;奥斯瓦尔多·洛佩斯 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种所描述的实例半导体装置包含在半导体衬底(210)及金属接触垫(220)的一部分上形成的钝化层(230)。使用ENIG无电镀敷工艺，将镍沉积于所述钝化层及金属接触垫上，且将金沉积于所述镍上。所述镍包含在所述镍与所述钝化层的界面(180)处及在所述镍与所述钝化层及金属接触垫的结(290)处的无多孔镍的第一无孔镍区域(层250A)。所述镍还包含在第一镍层(250A)上的多孔镍区域(层270)。金区域(层260)在多孔镍层(270)上。第二无孔镍区域(层250B)可在所述多孔镍区域与所述金区域之间。富含金的镍区域(275)可在所述多孔镍区域与所述金区域之间。对所沉积镍与所沉积金的相对厚度进行选择以防止在无电金镀敷工艺期间镍层的腐蚀到达装置层。
半导体装置中的无电镍金镀敷