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[发明专利]NAND闪存器件、高压运算晶体管及其制作方法-CN202311219258.6在审
发明人：金汉洙;高伟;申女 -专利权人： 联和存储科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及闪存技术领域，具体公开了一种NAND闪存器件、高压运算晶体管及其制作方法，包括：提供半导体基板；在半导体基板上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层背离半导体基板的表面形成栅极电极；在栅极绝缘层朝向半导体基板的表面形成第一掺杂浓度的第一源漏区域；去除部分栅极绝缘层，并在第一源漏区域内且与栅极绝缘层的去除部分对应的位置处形成第二掺杂浓度的第二源漏区域，去除部分栅极绝缘层和形成第二掺杂浓度的第二源漏区域基于同一图形掩膜实现；在栅极电极和第二源漏区域位置均形成金属连接部；在金属连接部的表面形成金属层。本发明提供的高压运算晶体管的制作方法能够降低成本的同时提升NAND闪存器件的集成度。
nand 闪存器件高压运算晶体管及其制作方法

[实用新型]SPI NAND闪存存储系统-CN202321107466.2有效
发明人：黎江南;刘焱 -专利权人： 联和存储科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本申请涉及半导体存储器技术领域，具体涉及一种SPI NAND闪存存储系统。SPI NAND闪存存储系统包括：NAND闪存芯片、SPI芯片、引线框架载体和合封层；所述引线框架载体包括位于中部的载片区和位于所述载片区外周的引脚区，所述框架引脚区中设有多个框架引脚；所述NAND闪存芯片通过第一粘接层粘附在所述载片区的正面；所述SPI芯片通过第二粘接层粘附在所述NAND闪存芯片的正面；所述NAND闪存芯片通过多条第一引线连接所述SPI芯片，所述SPI芯片通过多条第二引线对应连接所述框架引脚；所述NAND闪存芯片、SPI芯片、引线框架载体和第一引线、第二引线封装于所述合封层中。本申请提供的SPI NAND闪存存储系统，可以解决相关技术中数据的问题。
spi nand 闪存存储系统

[发明专利]非易失性存储器件及其制备方法-CN202311113059.7在审
发明人：文才煥;朴鍾旻;金汉洙;高伟;申女 -专利权人： 联和存储科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请提供一种非易失性存储器件及其制备方法，其中制备方法包括：在部分衬底上形成第一栅氧化层；在其余衬底上形成第二栅氧化层；形成浮栅多晶硅层；形成介质层；形成控制栅多晶硅层；在衬底中形成重掺杂区；在部分浮栅多晶硅层上表面形成台阶；形成层间绝缘层；形成第一导电插塞、第二导电插塞和第三导电插塞。本申请通过在浮栅多晶硅层底部形成由第一栅氧化层和第二栅氧化层构成的组合氧化层结构，可以在形成接触孔时有效缓解刻蚀对浮栅多晶硅层底部的组合氧化层的损伤，改善了器件的电性能；此外，本申请形成并联的第一电容器、第二电容器和第三电容器，并且将第三电容器中的第二栅氧化层的厚度减薄，最大限度地增加了器件电容器的静电容量。
非易失性存储器及其制备方法

[发明专利]存储芯片的电阻补偿方法、装置、设备及存储介质-CN202311126615.4在审
发明人：高伟;邢清瑞 -专利权人： 联和存储科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明涉及存储芯片技术领域，公开了一种存储芯片的电阻补偿方法、装置、设备及存储介质，用于提高存储芯片的电阻补偿准确率。方法包括：采集目标存储芯片的工作温度数据和电阻值数据；根据工作温度数据和电阻值数据构建温度与电阻变化模型；根据温度与电阻变化模型生成第一电阻补偿策略；获取实时温度数据并根据第一电阻补偿策略生成电阻补偿信号；基于电阻补偿信号对目标存储芯片进行电阻补偿，并获取电路延迟数据以及目标存储芯片的芯片能耗数据；根据电路延迟数据和芯片能耗数据进行补偿参数优化，生成第二电阻补偿策略；对第二电阻补偿策略进行电阻补偿校准，得到目标电阻补偿策略，并通过目标电阻补偿策略计算性能优化指标。
存储芯片电阻补偿方法装置设备介质

[实用新型]基于蓝牙的路由器开关机测试系统-CN202321308468.8有效
发明人：孙文琪 -专利权人： 联和存储科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H04L43/50 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于蓝牙的路由器开关机测试系统，包括：电路控制模组，用于与若干路由器电性连接，并控制各路由器开机或者关机以生成测试信息；主控模组，与电路控制模组蓝牙通讯连接，主控模组通过蓝牙发送控制指令至电路控制模组；主控模组还用于与若干路由器通信连接，并接收路由器发送的测试信息，以根据测试信息判断路由器的稳定性；以及温控模组，包括温控器和温箱，温控器用于调节温箱的温度，温箱的内部形成用于放置路由器的温控空间，主控模组设置于温箱的外部，并与温控模组通信连接，电路控制模组设置于温箱的内部。本实用新型公开的基于蓝牙的路由器开关机测试系统能够解决路由器的存储芯片老化测试结果不准确的问题。
基于蓝牙路由器开关机测试系统

[实用新型]闪存存储芯片测试装置-CN202321354329.9有效
发明人：覃义平 -专利权人： 联和存储科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本实用新型公开一种闪存存储芯片测试装置，包括：多个SOC测试模块，用于分别搭载闪存存储芯片进行测试；主单片机，与多个SOC测试模块通信连接，用于发送测试指令；测试数据采集模块，用于采集测试数据；测试数据处理模块，与测试数据采集模块和主单片机分别通信连接，用于对测试数据进行处理并发送至主单片机；供电控制模块，与多个SOC测试模块分别连接，用于根据每一个SOC测试模块的测试情况对其进行供电控制。本实用新型闪存存储芯片测试装置中，当任一SOC测试模块出现测试异常/故障的测试情况时，供电控制模块可对应对该SOC测试模块断电关停，从而进行针对性检修以排除故障，其它SOC测试模块则照常测试，降低对整体测试进度的影响，提高了测试效率。
闪存存储芯片测试装置

[发明专利]Nand闪存固件烧录方法-CN202310721262.6有效
发明人：黎江南;刘焱;高伟 -专利权人： 联和存储科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体电数字处理领域，具体涉及Nand闪存固件烧录方法，该方法包括以下步骤：接收固件代码；存储固件代码至Nand闪存的至少一个存储区中；修改存储有固件代码的存储区中所有存储块的标记状态为第一标记；生成一数据库，数据库中的记录数量等于所述Nand闪存容量；数据库的每条记录对应唯一的序位号；向数据库各个序位号对应的记录中存入Nand闪存各个存储块的地址信息和标记状态；确定存储在数据库一条记录中存储块的标记状态为第一标记时，将记录中存储块的地址信息，与随机序位号对应记录中存储块的地址信息进行交换。本申请可以解决相关技术中按区烧录导致不能被访问的块相连成片的问题。
nand 闪存固件烧录方法

[发明专利]EMMC芯片测试方法及其装置、计算机可读存储介质-CN202310643328.4在审
发明人：覃义平;高伟 -专利权人： 联和存储科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开一种EMMC芯片测试方法，包括：主控模块通过传输模块将系统镜像文件发送至测试模块；测试模块通过传输模块下载系统镜像文件；测试模块运行系统镜像文件，并启动测试线程和收发线程；测试模块通过测试线程对插接于测试模块的EMMC芯片进行测试以生成测试结果；以及测试模块通过收发线程将测试结果发送至主控模块。本发明公开的EMMC芯片测试方法能够解决嵌入式设备的兼容性测试的问题。此外，本发明还公开一种EMMC芯片测试装置以及计算机可读存储介质。
emmc 芯片测试方法及其装置计算机可读存储介质

[发明专利]SD NAND测试装置、SD NAND测试方法及计算机可读存储介质-CN202310859930.1在审
发明人：覃义平;高伟 -专利权人： 联和存储科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开一种SD NAND测试装置，该SD NAND测试装置包括：多个SD NAND测试座，用于分别搭载SD NAND并对所述SD NAND进行测试；主控单片机，与多个所述SD NAND测试座采用SDIO总线通信连接，用于向多个所述SD NAND测试座逐一发送测试指令；测试数据采集模块，包括多路ADC采集电路模块，分别与多个所述SD NAND测试座和所述主控单片机通信连接，所述多路ADC采集电路模块用于采集所述SD NAND测试座的测试数据；上位机，与所述主控单片机通信连接，所述上位机的测试界面可预先设置多个SD NAND测试座的测试顺序；其中，在任意一个所述SD NAND测试座完成测试之后，所述主控单片机按预设测试顺序向下一个所述SD NAND测试座发送测试指令。本发明SD NAND测试装置故障检测效率高，可减小对测试进度的影响。
sd nand 测试装置方法计算机可读存储介质

[发明专利]3D NAND闪存器件及其制作方法-CN202310637072.6在审
发明人：金汉洙;文才煥;高伟;申女 -专利权人： 联和存储科技（江苏）有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本申请涉及半导体存储器件技术领域，具体涉及3D NAND闪存器件及其制作方法。其中，所述制作方法包括：先提供半导体衬底层，在半导体衬底层上形成单元隔离结构、沟道结构和源极引出空间，单元隔离结构为堆叠结构包括单元隔离层、存储单元占据空间。再依次沉积第一介质层和第二介质层，第一介质层至少覆盖在单元隔离结构外露的表面。再刻蚀第二介质层，去除位于侧面上全部的第二介质层，去除位于第二表面上至少部分的第二介质层，保留位于第一表面上全部的第二介质层,剩余的第二介质层形成存储单元结构的电子捕获层，最后制作闪存器件的存储单元结构和电极结构。所述闪存器件的电子捕获层结构减少了向源极位置延伸的部分，能够提高数据保持能力。
nand 闪存器件及其制作方法

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