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[发明专利]发光器件以及发光器件的制造方法-CN202110795430.7在审
发明人： 聂志文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K50/15 文献下载
摘要：本申请提供一种发光器件及其制造方法。发光器件包括空穴功能层，所述空穴功能层包括第一空穴功能层和第二空穴功能层，所述第一空穴功能层具有磁性，所述第二空穴功能层不具有磁性或者具有磁性，当所述第一空穴功能层和所述第二空穴功能层均具有磁性时，所述第一空穴功能层的磁性强度大于所述第二空穴功能层的磁性强度。本申请的发光器件及其制造方法能够避免因为使用了正交溶剂，上层溶剂对下层膜层产生破坏、成膜质量差的问题，并且能够形成得到膜面平整，膜厚均匀的双层膜层，从而提高发光器件的光学性能。
发光器件以及制造方法

[发明专利]发光器件以及发光器件的制造方法-CN202110796622.X在审
发明人： 聂志文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请提供一种发光器件以及发光器件的制造方法。发光器件包括电子传输层，电子传输层包括第一电子传输层和第二电子传输层，第一电子传输层具有磁性，第二电子传输层不具有磁性或者具有磁性，当第一电子传输层和第二电子传输层均具有磁性时，第一电子传输层的磁性强度大于第二电子传输层的磁性强度。本申请的发光器件以及发光器件的制造方法能够简化多层电子传输层的制备工艺。
发光器件以及制造方法

[发明专利]一种N-端烯基氮杂芳烃的制备方法-CN202110781319.2在审
发明人：郭灿城;聂志文;郭欣 -专利权人：长沙资材科技有限公司
申请日： 2021-07-11 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C07D209/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种N‑端烯基氮杂芳烃的制备方法，该方法是在大气气氛和二甲亚砜溶剂中，芳醛与氮杂芳烃在碱的作用下进行一锅反应，即得N‑端烯基氮杂芳烃化合物。该方法得到的N‑端烯基氮杂芳烃化合物的芳烯基来源于原料醛，但比原来的醛原料增加了一个双键碳原子。反应过程中，原料芳醛的碳氧双键转变为碳碳双键，芳醛羰基碳上的氢原子被氮杂芳烃分子中的氮原子取代。该方法原料来源广泛易得，绿色环保，价格低廉，操作简单，有利于工业化生产。
一种端烯基氮杂芳烃制备方法

[发明专利]一种由芳醛与酰胺制备N-端烯基酰胺的方法-CN202110781324.3在审
发明人：郭灿城;聂志文;郭欣 -专利权人：长沙资材科技有限公司
申请日： 2021-07-11 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C07D223/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种由芳醛与酰胺制备N‑端烯基酰胺的方法，该方法是在大气气氛和二甲亚砜溶剂中，芳醛与酰胺或环酰胺在碱的作用下进行一锅反应，即得N‑端烯基酰胺化合物。该方法得到的N‑端烯基酰胺化合物的芳烯基来源于原料醛，但比原来的醛原料增加了一个双键碳原子。反应过程中，原料芳醛的碳氧双键转变为碳碳双键，芳醛羰基碳上的氢原子被酰胺或环酰胺分子中的氮原子取代。该方法原料来源广泛易得，绿色环保，价格低廉，操作简单，有利于工业化生产。
一种制备端烯基酰胺方法

[发明专利]一种由芳醛与醇制备单芳乙烯基烷基醚的方法-CN202210115165.8在审
发明人：郭灿城;聂志文;郭欣 -专利权人：长沙资材科技有限公司
申请日： 2022-02-05 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C07C41/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种由芳醛与醇制备单芳乙烯基烷基醚的方法，该方法是在大气气氛和二甲亚砜溶剂中，芳醛与醇在碱的作用下进行一锅反应，即得单芳烯基烷基醚化合物。产物结构中，芳烯基来自原料醛，烷基来自原料醇。该方法得到的芳乙烯基烷基醚化合物的芳烯基比原来的醛原料增加了一个双键碳原子。该方法原料来源广泛易得，绿色环保，价格低廉，操作简单，有利于工业化生产。
一种制备乙烯基烷基方法

[发明专利]一种2,2-二芳基乙烯基烷基醚的制备方法-CN202210115168.1在审
发明人：郭灿城;聂志文;郭欣 -专利权人：长沙资材科技有限公司
申请日： 2022-02-05 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C07C41/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种2,2‑二芳基乙烯基烷基醚的制备方法，该方法是在大气气氛和二甲亚砜溶剂中，二芳基甲酮与醇在碱的作用下进行一锅反应，即得2,2‑二芳基乙烯基烷基醚化合物。产物结构中，二芳基乙烯基来自原料酮，烷基来自原料醇，产物中的二芳基乙烯结构比原来的酮原料增加了一个双键碳原子。该方法原料来源广泛易得，绿色环保，价格低廉，操作简单，有利于工业化生产。
一种二芳基乙烯基烷基制备方法

[发明专利]量子点材料的制备装置及制备方法-CN202110681221.X在审
发明人： 聂志文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：本申请属于量子点材料技术领域，尤其涉及一种量子点材料的制备装置及的制备方法。其中，量子点材料的制备装置，沿量子点材料的制备方向，包括依次连通的：量子点核制备单元、电压分离单元、量子点壳制备单元和分离单元；量子点核制备单元用于制备含量子点核的混合溶液，电压分离单元用于分离混合溶液中杂质，量子点壳制备单元用于在量子点核表面制备壳层，分离单元用于混合溶液中的杂质，得到核壳结构的量子点材料。本申请量子点材料的制备装置，通过各单元之间的协同配合作用，不仅保证了两锅法制备工艺的连续性，同时降低了量子点材料与水、氧等环境因素的接触，提高量子点材料的稳定性，提高制备过程的重复性和连续性，简化了反应过程。
量子材料制备装置方法

[发明专利]复合材料及其制备方法和量子点发光二极管-CN202010546645.0有效
发明人： 聂志文;张旋宇;刘文勇 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明属于发光器件材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括n型金属氧化物纳米颗粒和与所述n型金属氧化物纳米颗粒连接的如式I所示的有机分子，所述有机分子通过羧基结合在所述n型金属氧化物纳米颗粒表面；式I中，R为含有至少一个共轭效应单元的烃基或烃基衍生物。该复合材料具有很好的成膜质量和结晶性能，其通过共轭效率增强复合材料的电子迁移率，因此具有很好的电子传输能力。
复合材料及其制备方法量子发光二极管

[实用新型]一种多功能夹具-CN202221569475.9有效
发明人： 聂志文;夏世朋 -专利权人：珠海创信电子有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及夹具技术领域，具体为一种多功能夹具，包括夹具本体，所述夹具本体的上方设置有安装夹板，所述夹具本体的表面皆设置有防位移机构，所述安装夹板的表面设置有压紧机构，所述安装夹板的表面设置有防脱机构。本实用新型不仅避免了夹具使用过程中出现安装夹板松动的现象，同时，能够保证了夹具使用时的使用效果，避免了夹具使用时出现工件偏移的现象，而且避免了夹具使用过程中出现工件晃动的现象。
一种多功能夹具

[发明专利]一种芳基乙醛缩醛的制备方法-CN202210360629.1在审
发明人：郭灿城;聂志文;郭欣 -专利权人：长沙资材科技有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C07D317/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种由芳基甲醛或二芳基甲酮为原料与二醇反应制备芳基乙醛缩醛的方法，该方法是在二甲亚砜溶剂中，芳基甲醛或二芳基甲酮在碱的作用下与二醇进行一锅反应，即得芳基乙醛缩醛。该方法得到的产物缩醛比原料芳基甲醛或二芳基甲酮分子增加了一个饱和碳原子，该碳原子来源于二甲亚砜。反应过程中，原料中的碳氧双键转变为碳碳单键。该发明提供了一个由芳香甲醛或二芳基甲酮制备芳基乙醛缩醛的方法。该制备方法原料来源广泛易得，绿色环保，价格低廉，操作简单，有利于工业化生产。
一种乙醛制备方法

[发明专利]量子点薄膜及制备方法、量子点发光二极管及制备方法-CN201911396687.4有效
发明人： 聂志文;刘文勇 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供初始量子点薄膜，对所述初始量子点薄膜进行紫外照射处理，得到第一量子点薄膜；在所述第一量子点薄膜中加入目标配体，退火处理，制备表面结合有目标配体的量子点薄膜。本发明提供的量子点薄膜的制备方法，在保持原有量子点光学性能不受影响的前提下，可以在初始量子点表面引入目标配体，特别是将初始量子点表面配体进行置换，引入目标配体。
量子薄膜制备方法发光二极管

[发明专利]载流子传输材料及其制备方法、量子点发光二极管-CN202011630749.6在审
发明人： 聂志文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及量子点发光二极管材料技术领域，提供了一种载流子传输材料及其制备方法、量子点发光二极管。本发明提供的载流子传输材料包括1,4,8,11‑四氮杂环十四烷配位修饰的金属氧化物半导体纳米晶。本发明通过以1,4,8,11‑四氮杂环十四烷作为配体对金属氧化物半导体纳米晶进行配位修饰，可以有效地钝化金属氧化物半导体纳米晶颗粒材料表面的缺陷态，从而避免与量子点发光层接触时对量子点材料造成不利影响，减少界面荧光猝灭、易引发非俄歇复合的问题。此外，1,4,8,11‑四氮杂环十四烷配体对金属氧化物半导体纳米晶的钝化，还可以显著降低载流子传输材料形成薄膜的粗糙度，提高其致密性，有助于抑制器件的漏电流问题，提高器件的工作稳定性和性能。
载流子传输材料及其制备方法量子发光二极管

[发明专利]量子点配体交换方法、量子点薄膜的制备方法和QLED器件-CN202011567168.2在审
发明人： 聂志文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请涉及量子点技术领域，提供了一种量子点配体交换方法、量子点薄膜及其制备方法和QLED器件。一种量子点配体交换方法，包括如下步骤：提供含第一配体的第一量子点溶液；在非活性气氛下，将第一量子点溶液和反应物混合，进行回流处理，得到表面含有第二配体的量子点溶液，所述第一配体的配位能力比所述第二配体的配位能力弱；该方法适用于利用弱配体置换强配体的情况，同时能够有效避免量子点原有配体的浪费、实现原有配体的科学合理利用，具有简单、温和、有效、快捷，普适性强，资源回收利用的优点。
量子点配体交换方法薄膜制备 qled 器件

[发明专利]复合材料、发光二极管和显示装置-CN202011549128.5在审
发明人： 聂志文 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请涉及显示技术领域，提供了一种复合材料、发光二极管和显示装置。所述复合材料包括电子传输材料与容纳有活性物质的物质储存材料，其中，所述电子传输材料中含有金属元素，所述物质储存材料具有多孔结构，所述活性物质至少包括CO2，所述金属元素能够与CO2形成金属碳酸盐。本申请提供的复合材料，物质储存材料中含有可以反应生成碳酸的气体CO2。物质储存材料可以缓慢释放CO2，并反应生成碳酸，生成的碳酸进一步与电子传输材料反应形成金属碳酸盐，可以降低电子传输材料的电子注入效率。
复合材料发光二极管显示装置

[发明专利]一种由芳基甲醛合成多芳烃的方法-CN202210366337.9在审
发明人：郭灿城;聂志文;郭欣 -专利权人：长沙资材科技有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C07C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种由芳基甲醛为原料制备多芳烃的方法，该方法是在CuI和KOH存在下，两分子芳基甲醛与四分子DMSO进行一锅反应，即得多芳烃，反应得到的产物多芳烃比原料增加了一个苯环，构成该苯环的六个碳原子分别来自两个芳基甲醛和四个DMSO分子。该方法也适合由不同结构芳基甲醛制备不对称多芳烃。该发明提供了一个由单芳化合物制备多芳化合物的方法。该制备多芳烃的方法原料来源广泛易得，绿色环保，价格低廉，操作简单，有利于工业化生产。
一种甲醛合成芳烃方法