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[发明专利]柔性阈值可调的负电容晶体管及制备方法、小型逻辑电路-CN202310244089.5在审
发明人：于志浩;李莫杨;罗中中;徐勇;孙华斌;吴洁;朱力 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明属于有机半导体电子器件技术领域，公开了一种柔性阈值可调的负电容晶体管及制备方法、小型逻辑电路，柔性阈值可调的负电容晶体管包括柔性衬底、有机半导体层、有机介质层，源漏电极以及两个栅极，制备方法为：在柔性衬底表面制备底栅电极且旋涂有机铁电性薄膜，在有机介质层表面旋涂有机聚合物薄膜作为半导体沟道层，制备源/漏金属电极，最后旋涂有机铁电薄膜并制备顶栅电极。本发明利用有机铁电晶体管的负电容原理降低了工作电压及功耗，制作双栅极结构使晶体管的阈值电压可调，在以单极性器件为基础元件的柔性逻辑电路中具有重大的作用。
柔性阈值可调电容晶体管制备方法小型逻辑电路

[发明专利]一种超高增益有机放大器及其制备方法-CN202011394499.0在审
发明人：王欣然;罗中中;施毅 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明公开一种超高增益有机放大器及其制备方法。该超高增益有机放大器由一个驱动晶体管和一个负载晶体管串联构成，其中负载晶体管的栅极与源极短接；驱动晶体管和负载晶体管的栅极介电层为铁电性氧化物薄膜，半导体沟道层为有机分子薄膜。其制备方法包括：在衬底上制备局域栅极金属层；在局域栅极金属层表面生长铁电性氧化物薄膜作为介电层；制备半导体层和电极层。该超高增益有机放大器可以在3V工作电压下实现超过10000的电压增益，1V工作电压下实现4000的增益，同时，可以实现电池供电。该超高增益的有机放大器亦可在柔性衬底上实现。另外，该有机放大器可用于各类微小信号的检测和放大。
一种超高增益有机放大器及其制备方法

[发明专利]一种超高增益有机薄膜晶体管及其制备方法-CN202011397209.8在审
发明人：王欣然;罗中中;施毅 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开一种超高增益有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管包括衬底、介电层、半导体沟道层和源/漏电极，其中介电层为铁电性氧化物薄膜，半导体沟道层为有机分子薄膜。其制备方法包括如下步骤：在衬底表面生长铁电性氧化物薄膜作为介电层；在介电层表面生长有机分子薄膜作为半导体沟道层；制备源/漏电极。本发明采用铁电性氧化物作为介电层，其引入的负电容效应在有机薄膜晶体管中打破了玻尔兹曼极限，获得了室温下小于60mV/dec的亚阈值摆幅和大于38.7S/A的跨导效率，本征增益达到4.7×104，比已报导结果高一个量级以上。该有机薄膜晶体管还可制备在柔性衬底上，在柔性低功耗电路、皮肤电子、射频标签、显示驱动等领域具有广泛的潜在应用。
一种超高增益有机薄膜晶体管及其制备方法