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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置-CN201980027125.4在审
  • 根井孝征;村川努;竹内敏彦;菅谷健太郎 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2019-04-16 - 2020-11-27 - H01L21/336
  • 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括第一层以及第一层上的第二层，第一层及第二层各自包括晶体管，第一层中的晶体管及第二层中的晶体管各自包括第一氧化物、第一氧化物上的第一导电体及第二导电体、以覆盖第一导电体、第二导电体及第一氧化物的方式配置的第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、第一氧化物上的在第一导电体与第二导电体之间配置的第二氧化物、第二氧化物上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体以及与第二绝缘体的顶面、第二氧化物的顶面、第三绝缘体的顶面及第三导电体的顶面接触的第四绝缘体，第一绝缘体及第四绝缘体与第二绝缘体相比不容易使氧透过。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201980016079.8在审
  • 山崎舜平;栃林克明;方堂凉太;菅谷健太郎;山出直人 - 株式会社半导体能源研究所
  • 2019-02-21 - 2020-10-16 - H01L29/786
  • 提供一种可靠性良好的半导体装置。一种包括晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一绝缘体；第二绝缘体；第一氧化物；第二氧化物；第三氧化物；第一导电体及第二导电体；第三绝缘体；第三导电体；第四绝缘体；以及第五绝缘体。第四绝缘体及第五绝缘体中设置有到达第二氧化物的开口，以嵌入开口的方式从开口的内壁一侧依次设置有第三氧化物、第三绝缘体和第三导电体。在晶体管的沟道长度方向上，第四绝缘体与第二氧化物不重叠的区域的第四绝缘体的至少一部分与第一绝缘体接触。在晶体管的沟道宽度方向上，第三氧化物与第二氧化物不重叠的区域的第三氧化物的至少一部分与第一绝缘体接触。
  • 半导体装置制造方法
  •  1 
  • 共 3 条
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