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[发明专利]电源供应系统与其中的多路径电源转换电路-CN202110895337.3在审
发明人：刘至伦 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：一种电源供应系统与其中的多路径电源转换电路。该电源供应系统包括：切换式升降压转换器，用以切换电感器转换第一节点上的输入电源而于第二节点产生第一输出电源，其中该第一输出电源的第一输出电压高于、低于或等于该输入电源的输入电压；电池，耦接于第三节点；第一晶体管，耦接于该第一节点与该第三节点之间；以及第二晶体管，耦接于该第二节点与该第三节点之间；其中该切换式升降压转换器、该第一晶体管与该第二晶体管操作而供电于负载电路及/或对该电池充电，其中当供电于该负载电路时，该负载电路以可移除的方式耦接于该第二节点。
电源供应系统与其中的路径转换电路

[发明专利]快速瞬态响应线性稳压电路及信号放大电路-CN201911374013.4有效
发明人：胡敏弘 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速瞬态响应线性稳压电路及信号放大电路。该快速瞬态响应线性稳压电路包括：误差放大电路，用以将反馈信号与参考信号的差值放大而于驱动节点产生误差放大信号；输出级电路，包括至少一输出功率开关，输出功率开关受误差放大信号控制而于输出节点产生输出信号。误差放大电路包括至少一前级放大电路，其中各前级放大电路包括电流源电路、差动输入级电路、第一至第三电流镜电路以及至少一反馈电容器。差动输入级电路中的一个差动晶体管与第一及第二电流镜电路形成电压正反馈路径，反馈电容器耦接于输出节点与电压正反馈路径的至少一反相节点之间。
快速瞬态响应线性稳压电路信号放大

[发明专利]切换式电源供应器及其控制电路与控制方法-CN202111671097.5在审
发明人：庄咏竣;杨奂箴 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：一种切换式电源供应器及其控制电路与控制方法。该切换式电源供应器用以将输入电压转换为输出电压。切换式电源供应器包括：功率级电路以及控制电路。控制电路包括第一放大电路以及第二放大电路。其中第一放大电路根据参考信号与反馈信号，产生放大信号。第二放大电路根据反馈信号与响应增进信号的差值，产生调整信号。调整信号用以适应性调整放大信号或斜坡信号，由此于控制电路对输出电压进行动态电压调节时，降低响应时间及/或避免输出电压过冲或下冲。参考信号相关于输出电压的目标位准。开关控制信号根据放大信号与斜坡信号而产生，以控制功率级电路的功率开关。
切换电源供应及其控制电路控制方法

[发明专利]切换式电源供应器及其控制电路与控制方法-CN202110704383.0在审
发明人：庄咏竣;杨奂箴 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：一种切换式电源供应器及其控制电路与控制方法。该切换式电源供应器包括：功率级电路以及控制电路。控制电路包括第一放大电路、第二放大电路、斜坡信号产生电路以及比较器。其中第一放大电路根据低通滤波信号与反馈信号的差值，产生放大信号。第二放大电路根据反馈信号与快速响应信号的差值，产生调整信号。比较器比较放大信号与斜坡信号，产生脉宽调制信号，用以产生开关控制信号。调整信号用以适应性调整放大信号或斜坡信号。其中，低通滤波信号相关于将参考信号滤除高频部份后所产生的信号，且参考信号相关于输出电压的目标位准的动态变化。
切换电源供应及其控制电路控制方法

[发明专利]切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路-CN202110897436.5在审
发明人：廖庭维;陈建馀;游焜煌;邱建维;杨大勇 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：一种切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路。该切换式转换器电路，用以根据脉宽调制信号，切换其中的电感一端的电压，以转换输入电压为输出电压。切换式转换器电路具有驱动电路，其包括上桥驱动器、下桥驱动器、上桥感测电路以及下桥感测电路。上桥感测电路用以感测上桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅‑源极电压，而产生下桥使能信号，以使能下桥驱动器根据脉宽调制信号切换下桥金属氧化物半导体场效晶体管。下桥感测电路用以感测下桥金属氧化物半导体场效晶体管的栅‑源极电压，而产生上桥使能信号，以使能上桥驱动器根据脉宽调制信号切换上桥金属氧化物半导体场效晶体管。
切换转换器电路其中具有适应性时间驱动

[发明专利]切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路-CN202110928807.1在审
发明人：廖庭维;陈建馀;游焜煌;邱建维;杨大勇 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：一种切换式转换器电路及其中具有适应性空滞时间的驱动电路。该切换式转换器电路，根据脉宽调制信号，切换其中的电感一端的电压，以转换输入电源为输出电源。切换式转换器电路包含上桥MOSFET、下桥MOSFET以及驱动电路。驱动电路包括上桥驱动器、下桥驱动器以及空滞时间控制电路。空滞时间控制电路根据输出电流，以适应性延迟下桥驱动信号而产生上桥使能信号，以使能上桥驱动器根据脉宽调制信号，产生上桥驱动信号；及/或适应性延迟上桥驱动信号而产生下桥使能信号，以使能下桥驱动器根据脉宽调制信号，产生下桥驱动信号；以适应性控制上桥MOSFET及/或下桥MOSFET都不导通的一段空滞时间。
切换转换器电路其中具有适应性时间驱动

[发明专利]齐纳二极管及其制造方法-CN202110648452.0在审
发明人：廖庭维;陈建馀;游焜煌;翁武得;邱建维;杨大勇 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本发明提出一种齐纳二极管及其制造方法。齐纳二极管包括：半导体层、N型区以及P型区。N型区具有N型导电型，其中N型区形成于半导体层中，具有N型导电型，且N型区位于半导体层的上表面下并连接上表面。P型区具有P型导电型，其中P型区形成于半导体层中，且P型区完全位于N型区下方并连接于N型区。其中N型区覆盖所有P型区。其中N型区的N型导电型杂质浓度，高于P型区的P型导电型杂质浓度。
齐纳二极管及其制造方法

[发明专利]可减少鬼影的发光元件阵列电路及其驱动电路与控制方法-CN202110870622.X在审
发明人：赵恒生;戴嘉南;黄心圣 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：一种可减少鬼影的发光元件阵列电路及其驱动电路与控制方法。该可减少鬼影的发光元件阵列电路包括发光元件阵列、多个扫描线开关电路以及驱动电路。发光元件阵列包括多个发光元件，排列为多个扫描线与多个数据线。多个扫描线开关电路，于一帧中，依照多个扫描线排列顺序，轮流且不重叠地将对应的扫描节点电连接至扫描导通电压。驱动电路的数据线缓冲电路用以根据数据操作信号，而提供或不提供预设调光位准给对应的数据节点。驱动电路的预放电控制电路分别与多个扫描节点耦接，用以根据预放电信号，而于预设预放电时段，将预放电位准提供给预设的至少一扫描节点。
减少发光元件阵列电路及其驱动控制方法

[发明专利]具有旁通模式的升降压切换式电源电路及其控制方法-CN202110993878.X在审
发明人：杨世杰;涂建宇;麦永彦;尤宝勲 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：一种具有旁通模式的升降压切换式电源电路及其控制方法。该升降压切换式电源电路包括：功率开关电路，其包括输入开关单元及输出开关单元，用以分别切换电感的二端而进行升降压转换；至少一低压差稳压器，与输出开关单元中的至少一输出上桥开关对应耦接，以将至少一低压差电压对应转换为至少一输出电压；及旁通控制电路，用以根据输入电压与对应的低压差电压间的一转换电压差产生一旁通控制信号；其中旁通控制信号于对应的转换电压差低于参考电压时，控制对应的旁通开关以将输入电压与对应的低压差节点电连接。
具有旁通模式升降切换电源电路及其控制方法

[发明专利]高压元件及其制造方法-CN202111507788.1在审
发明人：游焜煌;陈建馀;廖庭维;熊志文;张钧隆;邱国卿;翁武得;邱建维;胡永中;杨大勇 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出一种高压元件及其制造方法。高压元件包括：半导体层、阱区、基底区、栅极、源极及漏极。基底区具有第二导电型，基底区形成于半导体层中并于通道方向上连接阱区。栅极形成于半导体层之上，部分基底区位于栅极正下方并连接于栅极，以提供高压元件在导通操作中的反转区。源极位于基底区中，漏极位于远离基底区的阱区中，部分阱区位于基底区与漏极之间以隔开基底区及漏极。基底区的杂质掺杂分布的第一浓度峰值区位于源极正下方且接触源极。第一浓度峰值区的第二导电型杂质浓度，高于基底区的其他区域。
高压元件及其制造方法

[发明专利]可降低寄生电感的开关-CN202110496513.6在审
发明人：游焜煌;陈建馀;廖庭维;翁武得;邱建维;胡永中;杨大勇 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：本发明提出一种可降低寄生电感的开关。可降低寄生电感的开关包括半导体元件、第一顶层导线以及第二顶层导线。其中第二顶层导线，用以电连接电源输入端与半导体元件的电流流入端，且第一顶层导线的第一部分与第二顶层导线的第二部分平行相邻排列。其中，当半导体元件导通时，输入电流由电源输入端流出并分为第一电流与第二电流。其中，第一电流与第二电流分别流经第一部分与第二部分，且第一电流与第二电流分别流经第一部分与第二部分时，彼此反向，以降低第一顶层导线与第二顶层导线的一第一叠加寄生电感。
降低寄生电感开关

[发明专利]高压元件及其制造方法-CN202110648538.3在审
发明人：游焜煌;陈建馀;廖庭维;熊志文;张钧隆;邱国卿;翁武得;邱建维;胡永中;杨大勇 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出一种高压元件及其制造方法。高压元件包括：半导体层、阱区、基底区、栅极、源极及漏极。基底区具有第二导电型，基底区形成于半导体层中并于通道方向上连接阱区。栅极形成于半导体层之上，部分基底区位于栅极正下方并连接于栅极，以提供高压元件在导通操作中的反转区。源极位于基底区中，漏极位于远离基底区的阱区中，部分阱区位于基底区与漏极之间以隔开基底区及漏极。基底区的杂质掺杂分布的第一浓度峰值区位于源极正下方且接触源极。第一浓度峰值区的第二导电型杂质浓度，高于基底区的其他区域。
高压元件及其制造方法

[发明专利]高压元件、高压控制元件及其制造方法-CN202111508737.0在审
发明人：张钧隆;熊志文;游焜煌;邱国卿;翁武得;邱建维;杨大勇 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压元件、高压控制元件及其制造方法。高压元件包括：半导体层、阱区、浅沟槽隔绝区、漂移氧化区、本体区、栅极、源极与漏极，其中该漂移氧化区位于一漂移区上，其中浅沟槽隔绝区位于漂移氧化区下，且部分漂移氧化区位于部分浅沟槽隔绝区的正上方并连接浅沟槽隔绝区，其中浅沟槽隔绝区介于漏极与本体区之间。
高压元件控制元件及其制造方法

[发明专利]高压元件、高压控制元件及其制造方法-CN202110870624.9在审
发明人：张钧隆;熊志文;游焜煌;邱国卿;翁武得;邱建维;杨大勇 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压元件、高压控制元件及其制造方法。高压元件包括：半导体层、阱区、浅沟槽隔绝区、漂移氧化区、本体区、栅极、源极与漏极，其中该漂移氧化区位于一漂移区上，其中浅沟槽隔绝区位于漂移氧化区下，且部分漂移氧化区位于部分浅沟槽隔绝区的正上方并连接浅沟槽隔绝区，其中浅沟槽隔绝区介于漏极与本体区之间。
高压元件控制元件及其制造方法

[发明专利]芯片封装结构-CN202110489749.7在审
发明人：林士杰;胡永中;黄恒赍;颜豪疄 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：一种芯片封装结构，包含：至少一半导体芯片，具有信号处理功能；一底材，其中半导体芯片设置于底材上；至少一热传贴片，设置于该底材上；以及一封装材料，封装底材、该热传贴片以及以及半导体芯片，其中热传贴片形成至少一热传路径。
芯片封装结构