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[发明专利]高压元件及其制造方法-CN201811166763.8有效
发明人：黄宗义;游焜煌 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高压元件及其制造方法。高压元件包含：硅晶层、阱区、本体区、栅极以及源极与漏极。其中，硅晶层形成于半导体基板上。阱区具有N型导电型，形成于硅晶层中。本体区具有P型导电型，形成于阱区中。栅极位于阱区上方并连接于阱区。源极与漏极具有N型导电型，分别位于栅极的外部不同侧下方的本体区中与阱区中。反转区定义于源极与阱区间的本体区中，用以在导通操作中作为反转电流通道。反转区具有锗原子分布区，且其中的锗原子浓度高于1*1013个/cm2。漂移区定义于本体区与漏极之间的阱区中，用以在导通操作中作为漂移电流通道。
高压元件及其制造方法

[发明专利]返驰式电源转换电路及其主动箝位缓冲器-CN202010835787.9有效
发明人：林梓诚 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：一种返驰式电源转换电路及其主动箝位缓冲器。该返驰式电源转换电路包含功率变压器、一次侧控制电路、二次侧控制电路以及主动箝位缓冲器。其中，主动箝位缓冲器包括缓冲器开关与控制信号产生电路。控制信号产生电路用以于切换信号的开关周期中的一次侧开关的不导通时段中的一段柔性切换期间，控制缓冲器开关导通，使一次侧开关实现柔性切换。其中柔性切换期间的起始时点根据电流阈值而决定，使得二次侧电流于起始时点不低于电流阈值，进而使得二次侧控制电路于起始时点保持同步整流开关导通。其中，二次侧控制电路于二次侧电流低于电流阈值时，不导通同步整流开关。
返驰式电源转换电路及其主动箝位缓冲器

[发明专利]固定时间升降压切换式转换器及调制控制电路与控制方法-CN202210115752.7在审
发明人：郑闳彧;游宗翰;朱耿宏 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：一种固定时间升降压切换式转换器及调制控制电路与控制方法。该固定时间升降压切换式转换器，包括：功率开关电路，用以切换电感的第一端于输入电压与接地电位之间，且切换电感的第二端于输出电压与接地电位之间；以及调制控制电路，用以产生降压斜坡信号及升压斜坡信号，且根据二斜坡信号与误差放大信号的比较而控制电感的切换，以转换输入电压而产生输出电压。其中降压斜坡信号的平均值与升压斜坡信号的电压的平均值都等于输出电压与预设的比例的乘积，降压斜坡信号的上限及升压斜坡信号的下限都为输入电压与预设的比例的乘积，升压斜坡信号的电压大于等于降压斜坡信号的电压。
固定时间升降切换转换器调制控制电路控制方法

[发明专利]多互补式金属氧化物半导体元件整合结构及其制造方法-CN202210859060.3在审
发明人：翁武得;熊志文;杨大勇 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种多互补式金属氧化物半导体元件整合结构及其制造方法。多互补式金属氧化物半导体元件整合结构，包括：半导体层、多个绝缘区、第一高压P型阱区与第二高压P型阱区、第一高压N型阱区与第二高压N型阱区、第一低压P型阱区与第二低压P型阱区、第一低压N型阱区与第二低压N型阱区、第一栅极、第二栅极、第三栅极、第四栅极、第五栅极、第六栅极、第七栅极以及第八栅极。其中超高阈值互补式金属氧化物半导体元件形成于超高阈值元件区，高阈值互补式金属氧化物半导体元件形成于高阈值元件区，中阈值互补式金属氧化物半导体元件形成于中阈值元件区，低阈值互补式金属氧化物半导体元件形成于低阈值元件区。
互补金属氧化物半导体元件整合结构及其制造方法

[发明专利]具有低寄生极点效应的放大电路与其中的缓冲电路-CN202211232242.4在审
发明人：尤俊仁;黄思维;王宣凯;杨智仁;佘宪治 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：一种具有低寄生极点效应的放大电路与其中的缓冲电路。该具有低寄生极点效应的放大电路包括：前级放大器、输出晶体管及缓冲电路。缓冲电路用以根据前级放大器产生的前级放大信号而产生驱动信号以控制输出晶体管。缓冲电路包括：缓冲输入晶体管，用以于同相输出端产生驱动信号，其控制端的输入阻抗小于输出晶体管控制端的输入阻抗；低输出阻抗电路，其输出阻抗小于缓冲输入晶体管反相输出端的反相输出阻抗；放大晶体管，用以于其反相输出端产生放大信号；放大级电路，用以将放大信号放大一放大倍率而使得缓冲输入晶体管同相输出端的等效输出阻抗小于等于本质输出阻抗与放大倍率的倒数的乘积。
具有寄生极点效应放大电路与其中的缓冲

[发明专利]具有短路侦测功能的电源转换电路及其短路侦测方法-CN202211433643.6在审
发明人：赵济光 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H02H3/32 文献下载
摘要：一种具有短路侦测功能的电源转换电路及其短路侦测方法。该电源转换电路包括：第一及第二电源转换器，用以分别产生第一及第二驱动电压。第二电源转换器为切换转换器。于短路侦测模式中，第一驱动电压被加以调节至第一驱动位准，第二电源转换器操作于脉冲频率调制模式，以将第二驱动电压调节至短路侦测位准，当第二电源转换器的切换频率超过频率阈值时，则判断第二驱动电压与第一驱动电压之间发生一短路状态。
具有短路侦测功能电源转换电路及其方法

[发明专利]脉冲宽度调制方法-CN202210687284.0在审
发明人：陈奕光 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H03K7/08 文献下载
摘要：一种脉冲宽度调制方法，用以将一输入信号转换为对应的一输出脉宽调制信号。脉冲宽度调制方法包括以下步骤：产生一第一线性周期波及一第二线性周期波，该第一线性周期波的振幅大于该第二线性周期波的振幅，其中该第一线性周期波及该第二线性周期波为一三角波或一锯齿波。判断该输入信号的位准是否低于一轻载阈值，其中当该输入信号的位准低于该轻载阈值时，根据该输入信号与该第二线性周期波的比较而产生该输出脉宽调制信号；当该输入信号的位准高于该轻载阈值时，根据该输入信号与该第一线性周期波的比较而产生该输出脉宽调制信号。
脉冲宽度调制方法

[发明专利]切换电容式电压转换电路及切换电容式电压转换方法-CN202210687274.7在审
发明人：刘国基;杨大勇 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H02M3/00 文献下载
摘要：一种切换电容式电压转换电路及切换电容式电压转换方法。切换电容式电压转换电路包括：切换电容转换器及控制电路；在谐振模式的充电程序中，通过充电操作信号控制多个开关的切换，使至少一电容与对应电感串联于第一与第二电压之间，以形成充电路径；在谐振模式的放电程序中，通过放电操作信号控制多个开关的切换，使电容与对应电感串联于第二电压与直流电位之间，而同时或轮流形成多个放电路径；在电感切换模式中，通过电感操作信号控制多个开关的切换，使电感的一端交替耦接至第一电压及直流电位；控制电路根据第一电压而选择操作于谐振模式或电感切换模式，以将第二电压维持于预定范围内。
切换电容电压转换电路方法

[发明专利]耗尽型高压NMOS元件与耗尽型低压NMOS元件整合制造方法-CN202210688360.X在审
发明人：翁武得;熊志文;杨大勇 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种耗尽型高压NMOS元件与耗尽型低压NMOS元件整合制造方法，包含：提供基板；形成半导体层于基板上；形成多个绝缘区于半导体层上；形成N型阱区于耗尽型高压NMOS元件区中；形成高压P型阱区于半导体层中，其中N型阱区与高压P型阱区于通道方向上连接；于N型阱区与高压P型阱区形成之后，形成氧化层于半导体层上；于氧化层形成之后，形成低压P型阱区于半导体层中的耗尽型低压NMOS元件区中；形成低压P型阱区；以及形成N型高压通道区与N型低压通道区，以使耗尽型高压NMOS元件与耗尽型低压NMOS元件于各自的栅极‑源极电压为零时导通。
耗尽高压 nmos 元件低压整合制造方法

[发明专利]NMOS半桥功率元件及其制造方法-CN202210513274.5在审
发明人：熊志文;翁武得;杨大勇 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种NMOS半桥功率元件及其制造方法。NMOS半桥功率元件包括：半导体层、多个绝缘区、以同一离子注入工艺步骤形成的第一高压N型阱区与第二高压N型阱区、以同一离子注入工艺步骤形成的第一高压P型阱区与第二高压P型阱区、以同一蚀刻工艺步骤蚀刻一漂移氧化层而形成的第一漂移氧化区与第二漂移氧化区、以同一蚀刻工艺步骤蚀刻一多晶硅层，而形成的第一栅极与第二栅极、同一离子注入工艺步骤形成的第一P型本体区与第二P型本体区、第一N型源极与第一N型漏极、以及第二N型源极与第二N型漏极。
nmos 功率元件及其制造方法

[发明专利]高压元件与低压元件整合制造方法-CN202210262781.6在审
发明人：熊志文;翁武得;杨大勇 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种高压元件与低压元件整合制造方法，包含：提供基板；形成半导体层于基板上；形成多个绝缘区于半导体层上，以定义高压元件区与低压元件区；形成第一高压阱区于半导体层中的高压元件区中；形成第二高压阱区于半导体层中，其中第一高压阱区与第二高压阱区于通道方向上连接；于第一高压阱区与第二高压阱区形成之后，形成氧化层于半导体层上，氧化层覆盖高压元件区与低压元件区；于氧化层形成之后，形成第一低压阱区于半导体层中的低压元件区中；将杂质以加速离子的形式，穿透氧化层，注入第一低压阱区的定义区中，以形成第一低压阱区。
高压元件低压整合制造方法

[发明专利]高压互补式金属氧化物半导体元件及其制造方法-CN202210464863.9在审
发明人：翁武得;熊志文;杨大勇 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压互补式金属氧化物半导体元件及其制造方法。高压互补式金属氧化物半导体元件包括：半导体层、多个绝缘区、以同一离子注入工艺步骤形成的第一高压N型阱区与第二高压N型阱区、以同一离子注入工艺步骤形成的第一高压P型阱区与第二高压P型阱区、以同一蚀刻工艺步骤蚀刻一漂移氧化层而形成的第一漂移氧化区与第二漂移氧化区、以同一蚀刻工艺步骤蚀刻一多晶硅层，而形成的第一栅极与第二栅极、N型源极与N型漏极、以及P型源极与P型漏极。
高压互补金属氧化物半导体元件及其制造方法

[发明专利]混合型切换式电源转换器-CN202211103455.7在审
发明人：林浚彰;李镇宇 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：一种混合型切换式电源转换器，用以进行一第一电源、一第二电源与一第三电源之间的电源转换。混合型切换式电源转换器包括一切换电感式转换电路以及一切换电容式转换电路，其中切换电感式转换电路用以进行第一电源与第二电源之间的电源转换，切换电容式转换电路用以进行第二电源与第三电源之间的电源转换。切换电感式转换电路包括多个电感开关，其中该些电感开关包括一第一开关及一第二开关。切换电容式转换电路包括多个电容开关，其中该些电容开关包括该第一开关及该第二开关。
混合切换电源转换器

[发明专利]封装结构以及封装方法-CN202210107892.X在审
发明人：黄恒赍;巫盛尧;罗民顺;林士杰;胡永中 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明提出一种封装结构以及封装方法。该封装结构包含：一导热层；至少一晶粒，包含一信号收发侧与一散热侧，信号收发侧与散热侧互为对面侧，散热侧设置于导热层上；多个金属凸块，设置于信号收发侧；以及一封装材料，包覆导热层上连接晶粒的一侧、晶粒、以及金属凸块。各金属凸块的一侧露出于封装材料外。
封装结构以及方法

[发明专利]具有三态侦测功能的状态侦测电路及其状态侦测方法-CN202210717433.3在审
发明人：尤俊仁;王宣凯;杨智仁;佘宪治 -专利权人： 立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01R31/317 文献下载
摘要：一种具有三态侦测功能的状态侦测电路及其状态侦测方法。该状态侦测电路，用以侦测输入节点的状态为浮接、电性连接于接地电位或电性连接于外部电压。状态侦测电路包括：单向元件电路，用以将测试节点单向电性导通至侦测节点，其中侦测节点耦接于输入节点，其中测试节点、单向元件电路、侦测节点及输入节点形成电流路径；以及判断电路，用以根据侦测节点的电压位准而判断输入节点的状态。于侦测阶段中，状态侦测电路于测试节点提供测试电压，其中侦测节点的电压位准根据输入节点的状态、测试电压与单向元件电路的特性而决定。
具有三态侦测功能状态电路及其方法