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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基于纳米探针的遗传学检验-CN201480029699.2有效
发明人： 祖延兵;应仪如 -专利权人：新加坡科技研究局
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C12Q1/6858 文献下载
摘要：本申请涉及检测靶核酸分子中的突变的方法。相差至少一个碱基的两个磷酰二胺吗啉代寡聚物探针各自与纳米粒子共价偶联并且与靶序列杂交。对所述两个探针中的每一者与所述靶核酸之间的复合物的解链温度进行测量并比较以确定样品是否包含具有所述突变的核酸。另外，本发明涉及包含如本文所述的第一缀合物和第二缀合物的试剂盒以及此类试剂盒用于检测靶核酸分子中的突变或用于将基因型指定给靶核酸分子的用途。
基于纳米探针遗传学检验

[发明专利]MTRNR1基因突变的测定-CN201780011996.8在审
发明人： 祖延兵;应仪如 -专利权人：新加坡科技研究局
申请日： 2017-02-09 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C12Q1/6883 文献下载
摘要：本发明涉及用于测定受试者样品中人线粒体编码的12S RNA(MTRNR1)基因的突变存在的方法和试剂盒，所述突变选自由1555A>G和1494C>T组成的组，尤其包括：扩增至少部分MTRNR1基因并用共价偶联到吗啉代寡核苷酸探针的等离子体金纳米颗粒检测扩增的DNA。要求保护的方法可用于测定受试者患氨基糖苷类引起的听力丧失的风险。
突变等离子体寡核苷酸探针氨基糖苷类金纳米颗粒受试者样品共价偶联听力丧失试剂盒线粒体可用扩增吗啉并用基因检测自由

[发明专利]核酸甲基化的确定-CN201680079795.7在审
发明人： 祖延兵;应仪如 -专利权人：新加坡科技研究局
申请日： 2016-11-25 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： C12Q1/6858 文献下载
摘要：本发明涉及用于确定样品中靶核酸分子的甲基化状态的方法和试剂盒，其包括：(a)用亚硫酸氢盐处理所述靶核酸；(b)用甲基化特异性引物扩增经处理的靶核酸；(c)使扩增子与甲基化特异性等离子体纳米探针接触；以及(d)基于杂交探针和所述靶核酸的解链温度Tm，确定所述甲基化状态。特别地，等离子体金纳米颗粒共价偶联至吗啉代寡核苷酸探针。本发明还请求保护用于确定Septin 9(SEPT9)基因启动子的甲基化状态的方法和试剂盒。
甲基化状态靶核酸等离子体甲基化特异性试剂盒亚硫酸氢盐处理寡核苷酸探针靶核酸分子基因启动子金纳米颗粒共价偶联纳米探针引物扩增杂交探针甲基化扩增子核酸解链吗啉

[发明专利]检测遗传变体的方法-CN201480062258.2在审
发明人： 祖延兵;应仪如 -专利权人：新加坡科技研究局
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于检测与疾病或障碍包括与药物不相容性相关的遗传变体的方法和试剂盒。所述方法和试剂盒使用偶合到至少一个吗啉代核酸探针的第一纳米粒子，所述探针包含与遗传变体序列完全匹配的靶互补区碱基序列。
检测遗传变体方法

[发明专利]利用纳米颗粒探针进行的核酸的序列选择性识别-CN201180013638.3有效
发明人： 祖延兵;高志强 -专利权人：新加坡科技研究局
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：本发明涉及包含纳米颗粒和至少一种寡核苷酸类似物的缀合物，其中，所述至少一种寡核苷酸类似物为磷酰二胺吗啉代寡核苷酸（PMO）或其衍生物，所述寡核苷酸类似物共价连接至所述纳米颗粒；本发明还涉及使用该缀合物来检测靶核酸的方法以及包含该缀合物的试剂盒。
利用纳米颗粒探针进行核酸序列选择性识别

[发明专利]硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置-CN200410037771.4无效
发明人：时康;张力;祖延兵;蒋利民;周勇亮;田中群 -专利权人：厦门大学
申请日： 2004-05-12 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： B81C5/00 文献下载
摘要：硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置，将模板固定于架上，浸入电化学刻蚀溶液，以模板作为工作电极，另在容器中设辅助电极和参比电极，启动电化学系统，将模板逐步移向硅片，进行刻蚀，刻蚀完模板离开硅片表面。由于刻蚀剂寿命缩短而只能扩散很短距离，所以在模板表面形成的刻蚀剂层极薄，以极高的分辨率保持了模板本身的复杂三维立体图形加工于硅片上。可对硅材料进行各种复杂三维微结构(如半球面、锥面等)的批量复制加工。在适当的条件下，以此体系进行硅的加工可以达到每分钟约10微米深度的速度，分辨率达0.1微米以上。
表面复杂三维微结构加工方法及其装置

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