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[发明专利]处理器侦错系统及方法-CN201810489793.6有效
发明人：孙腾达;田瑞彦;俞日龙 -专利权人：格兰菲智能科技有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明提供一种处理器侦错系统及方法，该侦错系统包括：一除错器，具有一侦错识别码、以及可对一处理器进行测试的一至多个操作功能物件；一接口装置；以及一测试者端装置，通过上述接口装置连接上述除错器，用以控制上述除错器对上述处理器进行测试。上述测试者端装置撷取上述侦错识别码以判定上述除错器是否符合其测试的需求，若符合，则控制上述除错器以上述操作功能物件对上述处理器进行测试。本发明可满足处理器的调试需求。
处理器系统方法

[发明专利]带有双区浮动结的碳化硅UMOSFET器件及制作方法-CN201510190692.5有效
发明人：汤晓燕;田瑞彦;宋庆文;张艺蒙;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-04-18 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有双区浮动结的碳化硅UMOSFET器件及其制备方法，该器件自下往上依次包括漏极、N+衬底、一次N‑漂移区、P+离子注入区和二次N‑漂移区，二次N‑漂移区上设有槽栅介质，槽栅介质内设有多晶硅，槽栅介质两侧对称设有P‑外延层和源区接触，源区接触位于P‑外延层上端，源区接触上端及其一侧均设有源极，两侧源极之间设有钝化层和栅极，钝化层位于栅极两侧，P+离子注入区分为上下对齐的两部分，P+离子注入区为水平分布的双区浮动结。本发明增加了双区浮动结，且浮动结上半部分掺杂浓度比下半部分掺杂浓度高，这样即保护了沟槽底部的拐角的提前击穿，同时也提高了器件的击穿电压。
浮动结源区接触漂移区槽栅离子注入区上端钝化层碳化硅外延层源极掺杂击穿电压上下对齐水平分布拐角多晶硅浓度比击穿衬底漏极制备离子对称制作