专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]检测装置-CN201910978580.4有效
  • 田文亚;郭恩卿;王程功 - 成都辰显光电有限公司
  • 2019-10-15 - 2023-06-27 - H01L21/67
  • 本发明提供一种检测装置,该检测装置包括:电致检测设备,电致检测设备包括:基板以及阵列设置在基板上的多个供电头,基板内设置有多个控制晶体管,每一控制晶体管与一个供电头电连接,供电头用于与待测的发光二极管的电极接触,以在控制晶体管的控制下驱动待测的发光二极管发光;每一控制晶体管控制一个待测的发光二极管发光,以实现各待测的发光二极管的单独控制,当其中任一待测的发光二极管发生短路时,不会影响其他待测的发光二极管正常发光。
  • 检测装置
  • [发明专利]显示模组的制造方法-CN202111438425.7在审
  • 韩赛赛;田文亚;王岩;宋玉华;董小彪;葛泳;王程功;刘娜 - 成都辰显光电有限公司
  • 2021-11-29 - 2023-05-30 - H01L27/15
  • 本申请公开了一种显示模组的制造方法,包括如下步骤:提供驱动背板,驱动背板的一侧表面形成有导电胶膜,导电胶膜具有多个导电粒子;将多个发光元件通过其引脚预固定于导电胶膜,多个发光元件位于导电胶膜远离驱动背板的一侧;形成固定膜层,每个发光元件的至少部分被固定膜层包覆,且固定膜层至少覆盖多个发光元件远离导电胶膜的一侧的表面;对固定膜层进行加压,对导电胶膜进行加热,导电胶膜变形,导电胶膜中的导电粒子将发光元件与驱动背板电连接,当加热到第一温度时,导电胶膜开始固化。本申请提供的显示模组的制造方法,提升了发光元件与驱动背板的电连接良率。
  • 显示模组制造方法
  • [发明专利]一种转移机构和转移方法-CN202111314685.3在审
  • 高文龙;盛翠翠;林佳桦;李蒙蒙;吴跃波;董小彪;葛泳;田文亚 - 成都辰显光电有限公司
  • 2021-11-08 - 2023-05-09 - H01L33/00
  • 本申请公开了一种转移机构和转移方法,属于显示技术领域。本申请提供的转移机构包括转移辅助板和转移基板,其中,转移辅助板包括相对的第一表面和第二表面,且转移辅助板上设置有呈阵列排列的贯通第一表面和第二表面的多个开口,转移基板的一侧表面用于设置待转移至目标基板的多个微元件。利用转移机构进行巨量转移时,可将转移辅助板设置在目标基板和转移基板之间,呈阵列排列于目标基板承载面上的多个接收区域与多个开口一一对应,则多个微元件可通过开口转移至接收区域。开口可对微元件限位,提高微元件与目标基板的对位精度,且可使得微元件在开口内的活动空间较小,降低旋转偏位的几率。因此,本申请能够提高巨量转移过程的转移良率。
  • 一种转移机构方法
  • [发明专利]生长基板及微元件的转移方法-CN202111265049.6在审
  • 田文亚;盛翠翠;董小彪;葛泳 - 成都辰显光电有限公司
  • 2021-10-28 - 2023-05-02 - H01L27/15
  • 本申请公开了一种生长基板及微元件的转移方法,所述生长基板包括:衬底;多个微元件和多个挡墙,间隔设置于所述衬底的第一表面,且相邻所述微元件之间的间隔内设置有所述挡墙;牺牲胶层,位于所述第一表面,至少覆盖所述微元件和所述挡墙的侧面;其中,所述微元件、所述挡墙和所述牺牲胶层能够与所述衬底脱离并转移至临时基板上;且从所述临时基板上转移所述微元件之前,待转移的所述微元件周围的所述牺牲胶层可被去除。通过上述设计方式,本申请能够降低微元件在转移过程中旋转或偏位的概率。
  • 生长元件转移方法
  • [发明专利]显示面板制备方法及显示面板-CN202111000843.8在审
  • 盛翠翠;董小彪;李蒙蒙;高文龙;吴跃波;田文亚;葛泳 - 成都辰显光电有限公司
  • 2021-08-30 - 2023-03-03 - H01L33/12
  • 本发明公开了一种显示面板制备方法及显示面板,显示面板制备方法包括:提供转移基板,转移基板上形成有发光元件,各发光元件包括本体部以及连接于本体部一侧的第一电极;至少在本体部背离转移基板一侧形成第一应力缓释层;提供阵列基板,阵列基板包括衬底基板以及设于衬底基板一侧的多个相互绝缘的第二电极;至少在衬底基板设有第二电极的一侧形成第二应力缓释层;将转移基板的第一电极和阵列基板的第二电极进行对位;将发光元件和转移基板相分离,以使发光元件落在阵列基板上,且第一应力缓释层和第二应力缓释层相接触。提高了后续发光元件的第一电极和阵列基板的第二电极对位连接的准确性,提升了发光元件转移的效率。
  • 显示面板制备方法
  • [发明专利]Micro-LED的测试电路、装置和方法-CN201910906483.4有效
  • 田文亚;郭恩卿;王程功 - 成都辰显光电有限公司
  • 2019-09-24 - 2023-02-28 - H01L21/66
  • 本发明提供一种Micro‑LED的测试电路、装置和方法,该测试电路包括:第一金属引线、第二金属引线、第一测试电极和第二测试电极;第一金属引线与晶圆的LED的阳极连接,并延伸至晶圆的外延片或者发光区域的外侧;第二金属引线与晶圆的LED的阴极连接,并延伸至晶圆的外延片或者发光区域的外侧;第一测试电极位于第一金属引线的延伸段上;第二测试电极位于第二金属引线的延伸段上;当第一测试电极和第二测试电极分别与外部测试设备电连接时,对晶圆的LED进行批量测试。本发明能够解决晶圆的LED测试效率低下的技术问题,实现对晶圆LED的批量测试,显著地提高了测试效率。
  • microled测试电路装置方法
  • [发明专利]微发光元件阵列基板、制备方法以及转移方法-CN201911055698.6有效
  • 郭恩卿;李庆;王程功;田文亚 - 成都辰显光电有限公司
  • 2019-10-31 - 2023-01-20 - H01L27/15
  • 本发明公开了一种微发光元件阵列基板、制备方法以及转移方法,微发光元件阵列基板包括:衬底;微发光二极管芯片,呈阵列分布在衬底上,微发光二极管芯片背离衬底的表面为连接面;牺牲层,设置在连接面上,牺牲层包括至少一个第一开口;隔离层,至少部分隔离层设置在牺牲层背离微发光二级管芯片的一侧,其中隔离层填充第一开口,且隔离层在第一开口处形成连接结构,连接结构与微发光二极管芯片直接接触。本发明提供的微发光元件阵列基板能够与临时基板稳定连接,易于剥离衬底,同时能够便于微发光二极管芯片与临时基板分离,防止对微发光二极管芯片造成损伤,提高显示面板的制造良率。
  • 发光元件阵列制备方法以及转移
  • [发明专利]一种微显示器件-CN202110739589.7在审
  • 田文亚;高文龙;盛翠翠;吴跃波 - 成都辰显光电有限公司
  • 2021-06-30 - 2022-12-30 - H01L33/44
  • 本申请属于半导体技术领域,特别是涉及一种微显示器件,包括衬底层、发光结构组件、第一电极、第二电极和绝缘层,发光结构组件包括依次位于衬底层一侧的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层;第一电极与第一半导体层电连接,第一电极包括远离衬底层的第一端面;第二电极与第二半导体层电连接,第二电极包括远离衬底层的第二端面;绝缘层位于发光结构组件背离衬底层一侧,绝缘层包括第一绝缘部,第一绝缘部位于第一电极和第二电极之间,第一绝缘部包括远离衬底层的第三端面,第三端面比第一端面和第二端面均更加远离衬底层,提高微显示器件的良率。
  • 一种显示器件
  • [发明专利]一种微显示器件及其制作方法-CN202110739597.1在审
  • 田文亚;高文龙;盛翠翠;吴跃波 - 成都辰显光电有限公司
  • 2021-06-30 - 2022-12-30 - H01L33/06
  • 本申请属于半导体技术领域,特别是涉及一种微显示器件及其制作方法,微显示器件,包括衬底层、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、绝缘层、第一电极和第二电极;第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层依次设置于衬底层上,多量子阱层与第一半导体层接触的面为第一端面;绝缘层与多量子阱层同层设置,且具有一开孔,多量子阱层是位于开孔的沉积层和/或生长层,绝缘层与第一半导体层接触的面为第二端面,第一端面和第二端面共面;第一电极与第一半导体层电连接,第二电极层与第二半导体层电连接。本申请实施例的微显示器件多量子阱层通过直接沉积制作而成,多量子阱层的侧壁不会被刻蚀损伤,可以提高微显示器件的发光效率。
  • 一种显示器件及其制作方法
  • [发明专利]微发光器件的成型方法以及发光面板的成型方法-CN202110120583.1在审
  • 田文亚;盛翠翠;姚志博 - 成都辰显光电有限公司
  • 2021-01-28 - 2022-07-29 - H01L27/15
  • 本发明涉及一种微发光器件的成型方法以及发光面板的成型方法,微发光器件的成型方法包括:在第一基板上成型初始外延部,初始外延部包括层叠设置的第二半导体层、光产生层、第一半导体层以及第一电极层,第二半导体层位于第一基板以及第一电极层之间;将初始外延部与第二基板层叠设置并使得第一电极层与第二基板连接;剥离第一基板;第二电极层与初始外延部共同构成器件层;沿第二电极层朝向第一电极层的方向方向刻穿器件层,以在第二基板上形成多个阵列分布的微发光器件。本发明实施例能够降低微发光器件在成型的过程中出现断晶或者边角碎裂问题的概率,提高所成型的微发光器件的良率。
  • 发光器件成型方法以及面板

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